基于ds18b20溫度傳感器的數(shù)字溫度計(jì)設(shè)計(jì)-wenkub.com
2024-10-23 11:23 本頁面
【正文】 過程中我對(duì)這學(xué)期所學(xué)的 模電課程知識(shí) 有了更深一步的體會(huì)，并且復(fù)習(xí)了這個(gè)學(xué)期開學(xué)初的時(shí)候就參加過的金工實(shí)習(xí)，而且對(duì)接下來的單片機(jī)以及數(shù)電的學(xué)習(xí)打下了良好的基礎(chǔ)，對(duì)以后的科技創(chuàng)新活動(dòng)到了很大作用。仿真的成功就預(yù)示著我們離成功又進(jìn)了一步。 這次的設(shè)計(jì)制作我主要負(fù)責(zé)程序的編寫和電路的仿真 ，而電路的焊接是由我和曹群峰同學(xué)一起完成的。 整個(gè)焊接的過程持續(xù)了大約兩個(gè)星期的時(shí)間，在這其中有成功也有失敗，在我們最后的成品出來之前我們有兩個(gè)報(bào)廢的試驗(yàn)品，后來我們請(qǐng)教了相關(guān)專業(yè)的老師以及學(xué)長，吸取焊接過程中的不足，比如對(duì)虛焊，短路以及連線太過復(fù)雜等問題加以改進(jìn)，終于在第三次得到了比較兩人滿意的結(jié)果，以下是我們這次整個(gè)焊接過程中的圖片，以及我們最后成功 時(shí)的成果展示的合影，每張圖下面都附有說明： 左圖是我們相關(guān)的原件準(zhǔn)備，以及第一次的作品。 21 wendu=(t/10)%1000。//兩次間隔轉(zhuǎn)換的間隔要延時(shí)一下 temperature=temperature*()。 //讀出溫度的高位 MSB EA=1。 //讀出溫度的低位 LSB EA=1。 //讀溫度寄存器 RAM（頭兩個(gè)值分別為溫度的低位和高位） EA=1。 //寫 SKIP ROM（跳過檢查 ROM 序列，因?yàn)槲覀円话阒挥幸粋€(gè) DS18B20?。? EA=1。 delay1(12)。 delay1(1)。 delay1(1)。 } } // //DS18B20 讀溫度程序 uint readtemperature() { uint temperature。 _nop_()。 delay1(8)。 for(i=0。 if(j==0) byte=byte|0x00。 17 for(i=0。 EA=0。 _nop_()。 } bit read_bit(void) //read a bit { bit temp。 delay1(100)。 //溫度傳感器傳回來的溫度低八位 uchar tempH=0x50。 key_scan()。 if(wenduwendu_Lamp。 } } } //************************************************************************************************ void main(void) //主函數(shù) { // uchar i。 if(SHOW==0)return。 if(SHOW==1) { 13 if(wendu_L==(wendu_H1)) return。 SHOW++。B2=1。 } if(time_wang==20) { time_wang=0。B1=1。B3=1。 } if(time_wang==10) { P2=0xff。B1=1。B3=0。 P2=0xff。B2=0。 P2=0xff。 B0=1。B2=1。 P2=~table[mun%10]。 B0=1。 P2=(~table[(mun%100)/10])amp。 B0=1。B2=1。 P2=~table[mun/1000]。 B0=0。 // 開總中斷 8 } //************************************************************************************************ void timer0() interrupt 1 using 2 { TH0=0xff。 TL0 = 0xB0。i 1。 uchar wendu_L=5。 sbit K2=P3^2。 sbit B1=P1^1。 5V 直流電源（＋－ ）用于該溫度計(jì)的供電； 5 系統(tǒng)程序的設(shè)計(jì) 系統(tǒng)程序主要包括主程序，讀出溫度子程序，溫度轉(zhuǎn)換命令子程序，計(jì)算溫度子程序，報(bào)警子程序和顯示數(shù)據(jù)刷新子程序等 . include include define uchar unsigned char define uint unsigned int include uint mun=0。操作協(xié)議為：初始化 DS18B20（發(fā)復(fù)位脈沖） → 發(fā) ROM 功能命令 → 發(fā)存儲(chǔ)器操作命令 → 處理數(shù)據(jù)。 3） DS18B20 測(cè)溫原理 DS18B20 的測(cè)溫原理如圖 5 所示，圖中低溫度系數(shù)晶振的振蕩頻率受溫度的影響很小用于產(chǎn)生固定頻率的脈沖信號(hào)送給減法計(jì)數(shù)器 1，高溫度系數(shù)晶振隨溫度變化其震蕩頻率明顯改變，所產(chǎn)生的信號(hào)作為減法計(jì)數(shù)器 2 的脈沖輸入，圖中還 隱含著計(jì)數(shù)門，當(dāng)計(jì)數(shù)門打開時(shí)， DS18B20 就對(duì)低溫度系數(shù)振蕩器產(chǎn)生的時(shí)鐘脈沖后進(jìn)行計(jì)數(shù)，進(jìn)而完成溫度測(cè)量 .計(jì)數(shù)門的開啟時(shí)間由高溫度系數(shù)振蕩器來決定，每次測(cè)量前，首先將 55 ℃ 所對(duì)應(yīng)的基數(shù)分別置入減法計(jì)數(shù)器 1 和溫度寄存器中，減法計(jì)數(shù)器 1 和溫度寄存器被預(yù)置在 55 ℃所對(duì)應(yīng)的一個(gè)基數(shù)值。 DS18B20 完成溫度轉(zhuǎn)換后，就把測(cè)得的溫度值與 RAM 中的 TH、 TL 字節(jié)內(nèi)容 作比較，若 TTH 或 TTL,則將該器件內(nèi)的告警標(biāo)志置位，并對(duì)主機(jī)發(fā)出的 告警搜索命令作出響應(yīng)。 對(duì)應(yīng)的溫度計(jì)算：當(dāng)符號(hào)位 S=0 時(shí)， 表示測(cè)得的溫度植為正值， 直接將二進(jìn)制位轉(zhuǎn)換為十進(jìn)制；當(dāng) S=1 時(shí)， 表示測(cè)得的溫度植為負(fù)值， 先將補(bǔ)碼變換為 原碼，再計(jì)算十進(jìn)制值。轉(zhuǎn)換完成后的溫度值就以 16 位帶符號(hào)擴(kuò)展的二進(jìn)制補(bǔ)碼形式存儲(chǔ)在高速暫存存儲(chǔ)器的第 1，指 令 說 明 讀 ROM（ 33H） 讀 DS1820的序列號(hào) 匹配 ROM（ 55H） 繼讀完 64位序列號(hào)的一個(gè)命令，用于多個(gè) DS1820時(shí)定位 跳過 ROM（ CCH） 此命令執(zhí)行后的存儲(chǔ)器操作將針對(duì)在線的所有 DS1820 搜 ROM（ F0H） 識(shí)別總線上各器件的編碼，為操作各器件作好準(zhǔn)備 報(bào)警搜索（ ECH） 僅溫度越限的器件對(duì)此命令做出響應(yīng) 3 2 字節(jié)。高速暫存 RAM 的結(jié)構(gòu)為 8 字節(jié)的存儲(chǔ)器，結(jié)構(gòu)如圖4 所示。
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