電子元件與材料稿件修改規(guī)范-wenkub.com
2025-04-04 21:50 本頁面
【正文】 碩癘鄴頏謅攆檸攜驤蘞鷥。中英文作者的姓名著錄格式統(tǒng)一為：姓（首字母大寫） 名（首字母大寫，縮寫），如： ，或 。[] , , , . []. , , (): .鯊腎鑰詘褳鉀溈懼統(tǒng)庫。[]郭雨. 一種制備薄膜的方法及薄膜104319305A[]. 。[] . [].[20XX0615]..堯側(cè)閆繭絳闕絢勵蜆贅。構(gòu)氽頑黌碩飩薺齦話騖。鍬籟饗逕瑣筆襖鷗婭薔嗚。…，數(shù)理公式中，字符須分清正斜體。公式用 公式編輯器編輯，在工具欄“尺寸—“定義”內(nèi)選擇，標準磅，下標磅，次下標5磅，符號18磅，次符號12磅。（注：圖序號為全文連續(xù)編號，圖題為中英文對照，圖中文字和符號用英文表示，標注應(yīng)與正文相同）驅(qū)躓髏彥浹綏譎飴憂錦。儀器繪圖請給出原圖（或經(jīng)過計算機處理）。買鯛鴯譖曇膚遙閆擷凄屆。圖（）為硅片表面濺射的金薄膜退火后形成的金納米顆粒的電鏡照片。曲線圖總尺寸最好為： cm cm，一般用號字（最小為號字）排版，全圖字號一致。–)圖 電極的()充放電曲線 壇摶鄉(xiāng)囂懺蔞鍥鈴氈淚。二級標題五號，黑體結(jié)果與討論物相分析等[]研究了直流濺射功率( )對室溫下生長薄膜成分分布的影響：隨著濺射功率的增加，平均沉積速率逐漸增加，而且薄膜由富態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)樨殤B(tài)（如圖所示），與等[]報道的結(jié)果一致。表頭：小五號，黑體，取中。滲釤嗆儼勻諤鱉調(diào)硯錦鋇。結(jié)合灰關(guān)聯(lián)分析求得本系統(tǒng)最佳鍍膜參數(shù)組合。籟叢媽羥為贍僨蟶練淨。金屬半導體金屬型光電探測器（）是由兩個金屬電極直接沉積在半導體材料表面形成的平板型光電探測器，光暗電導比和光響應(yīng)度是衡量性能的重要指標[]。其中，量和單位使用規(guī)定“符號”，量符號用斜體，單位符號用正體，相同符號表示不同量時，可用下標或括號加以區(qū)分。注明基金項目及其編號，作者簡介包括姓名、出生年、性別、籍貫（?。?、職稱、學歷、研究方向和 。 鵝婭盡損鵪慘歷蘢鴛賴。廈礴
公司管理相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1