pcb設(shè)計(jì)規(guī)范、電容及部分二極管的分類-wenkub.com
2025-04-04 06:25 本頁(yè)面
【正文】 所選用的檔位愈靠近被測(cè)值，測(cè)量的數(shù)值就愈準(zhǔn)確?！ y(cè)量電阻時(shí)，如將兩支表棒短接，調(diào)“零歐姆”旋鈕至最大，指針仍然達(dá)不到0點(diǎn)，這種現(xiàn)象通常是由于表內(nèi)電池電壓不足造成的，應(yīng)換上新電池方能準(zhǔn)確測(cè)量。下面介紹使用萬(wàn)用表的注意事項(xiàng)： 測(cè)量電流與電壓不能旋錯(cuò)檔位。對(duì)高傳導(dǎo)鍵型二極管而言，能夠得到更優(yōu)良的特性。使用于高輸入電阻的電路和高阻負(fù)荷電阻的電路中，就鍺材料高反向電阻型二極管而言，SD51N54A等等屬于這類二極管。這種鍺材料二極管，其耐壓受到限制。 高反向耐壓點(diǎn)接觸型二極管 是最大峰值反向電壓和最大直流反向電壓很高的產(chǎn)品。工作電壓低，工作電流小，發(fā)光均勻、壽命長(zhǎng)、可發(fā)紅、黃、綠單色光。 1阻尼二極管 具有較高的反向工作電壓和峰值電流，正向壓降小，高頻高壓整流二極管，用在電視機(jī)行掃描電路作阻尼和升壓整流用。這種器件是由多數(shù)載流子導(dǎo)電的，所以，其反向飽和電流較以少數(shù)載流子導(dǎo)電的PN結(jié)大得多。 1肖特基二極管 （Schottky Barrier Diode） 它是具有肖特基特性的“金屬半導(dǎo)體結(jié)”的二極管。由于PN結(jié)在正向偏壓下，以少數(shù)載流子導(dǎo)電，并在PN結(jié)附近具有電荷存貯效應(yīng)，使其反向電流需要經(jīng)歷一個(gè)“存貯時(shí)間”后才能降至最小值（反向飽和電流值）。其主要參數(shù)有峰谷電流比（IP／PV），其中，下標(biāo)“P”代表“峰”；而下標(biāo)“V”代表“谷”。其P型區(qū)的N型區(qū)是高摻雜的（即高濃度雜質(zhì)的）。產(chǎn)生高頻振蕩的工作原理是欒的：利用雪崩擊穿對(duì)晶體注入載流子，因載流子渡越晶片需要一定的時(shí)間，所以其電流滯后于電壓，出現(xiàn)延遲時(shí)間，若適當(dāng)?shù)乜刂贫稍綍r(shí)間，那么，在電流和電壓關(guān)系上就會(huì)出現(xiàn)負(fù)阻效應(yīng)，從而產(chǎn)生高頻振蕩。在零偏置或直流反向偏置時(shí)，“本征”區(qū)的阻抗很高；在直流正向偏置時(shí)，由于載流子注入“本征”區(qū)，而使“本征”區(qū)呈現(xiàn)出低阻抗?fàn)顟B(tài)。工作在反向擊穿狀態(tài)，硅材料制作，動(dòng)態(tài)電阻RZ很小，一般為2CW型；將兩個(gè)互補(bǔ)二極管反向串接以減少溫度系數(shù)則為2DW型。是反向擊穿特性曲線急驟變化的二極管。階躍二極管又被稱為階躍恢復(fù)二極管，從導(dǎo)通切換到關(guān)閉時(shí)的反向恢復(fù)時(shí)間trr短，因此，其特長(zhǎng)是急速地變成關(guān)閉的轉(zhuǎn)移時(shí)間顯著地短。通常，雖然是采用硅的擴(kuò)散型二極管，但是也可采用合金擴(kuò)散型、外延結(jié)合型、雙重?cái)U(kuò)散型等特殊制作的二極管，因?yàn)檫@些二極管對(duì)于電壓而言，其靜電容量的變化率特別大。 變?nèi)荻O管 用于自動(dòng)頻率控制（AFC）和調(diào)諧用的小功率二極管稱變?nèi)荻O管。小電流的開關(guān)二極管通常有點(diǎn)接觸型和鍵型等二極管，也有在高溫下還可能工作的硅擴(kuò)散型、臺(tái)面型和平面型二極管。 混頻用二極管 使用二極管混頻方式時(shí)，在500～10,000Hz的頻率范圍內(nèi)，多采用肖特基型和點(diǎn)接觸型二極管。也有這樣的組件出售：依據(jù)限制電壓需要，把若干個(gè)必要的整流二極管串聯(lián)起來(lái)形成一個(gè)整體。分類如下： ?、?硅半導(dǎo)體整流二極管2CZ型 ?、?硅橋式整流器QL型、 ?、?用于電視機(jī)高壓硅堆工作頻率近100KHz的2CLG型。也有為調(diào)頻檢波專用的特性一致性好的兩只二極管組合件。因此，能制作開關(guān)二極和低壓大電流整流二極管。 肖特基二極管 基本原理是：在金屬（例如鉛）和半導(dǎo)體（N型硅片）的接觸面上，用已形成的肖特基來(lái)阻擋反向電壓。此法適用于制造高靈敏度的變?nèi)荻O管。對(duì)平面型二極管而言，似乎使用于大電流整流用的型號(hào)很少，而作小電流開關(guān)用的型號(hào)則很多。因此，不需要為調(diào)整PN結(jié)面積的藥品腐蝕作用。初期生產(chǎn)的臺(tái)面型，是對(duì)半導(dǎo)體材料使用擴(kuò)散法而制成的。因PN結(jié)正向電壓降小，適用于大電流整流。 合金型二極管 在N型鍺或硅的單晶片上，通過(guò)合金銦、鋁等金屬的方法制作PN結(jié)而形成的。其特性介于點(diǎn)接觸型二極管和合金型二極管之間。但是，與面結(jié)型相比較，點(diǎn)接觸型二極管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大電流和整流。 半導(dǎo)體二極管主要是依靠PN結(jié)而工作的。只是無(wú)法保證電容的設(shè)計(jì)的容量標(biāo)準(zhǔn)。為了保證電容的穩(wěn)定性，電容在插板前要經(jīng)過(guò)長(zhǎng)時(shí)間的高溫環(huán)境的測(cè)試。所以說(shuō)溫度是導(dǎo)致電容爆漿的直接原因。 電解電容爆漿的原因： 電容爆漿的原因有很多，比如電流大于允許的穩(wěn)波電流、使用電壓超出工作電壓、逆向電壓、頻繁的充放電等。但如果環(huán)境溫度過(guò)高，電容同樣容易發(fā)生爆漿。過(guò)多的毛刺電壓，峰值電壓過(guò)高，電流不穩(wěn)定等都使電容過(guò)于充放電過(guò)于頻繁，長(zhǎng)時(shí)間處于這類工作環(huán)境下的電容，內(nèi)部溫度升高很快。衡量一個(gè)產(chǎn)品，一定要全方位多角度的去考慮，切不可把電容的作用有意無(wú)意的夸大。ESR的要求則高一點(diǎn)，因?yàn)檫@里要保證的是足夠的電流通過(guò)量。 結(jié)合我們上面的提高的供電電路來(lái)說(shuō)，對(duì)于輸入電容來(lái)說(shuō)，輸入電容的容量要大一點(diǎn)。當(dāng)電壓固定時(shí)候，容量越大，ESR越低。電容的容值越大，諧振頻率越低，電容能有效補(bǔ)償電流的頻率范圍也越小。關(guān)鍵在于電容上存在寄生電感，電容放電回路會(huì)在某個(gè)頻點(diǎn)上發(fā)生諧振。3）時(shí)間常數(shù)這就是常見的 R、C 串聯(lián)構(gòu)成的積分電路。電壓額定值為40～450VDC、電容值在220～150 000uF之間的鋁電解電容器（如EPCOS公司的 B43504或B43505）是較為常用的。高頻旁路電容一般比較小，而去耦合電容一般比較大，是10uF或者更大，依據(jù)電路中分布參數(shù)，以及驅(qū)動(dòng) 電流的變化大小來(lái)確定。這就是耦合。地彈是地連接處在通過(guò)大 電流毛刺時(shí)的電壓降。2）旁路旁路電容是為本地器件提供能量的儲(chǔ)能器件，它能使穩(wěn)壓器的輸出均勻化，降低負(fù)載需求。曾有網(wǎng)友將濾波電容 比作“水塘”。有時(shí)會(huì)看到有一個(gè)電容量較大電解電容并聯(lián)了一個(gè)小電容，這時(shí)大電容通低頻，小電容通高頻。首先介紹電容的作用作為無(wú)源元件之一的電容，其作用不外乎以下幾種： 應(yīng)用于電源電路，實(shí)現(xiàn)旁路、去藕、濾波和儲(chǔ)能方面電容的作用，下面分類詳述之：
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