集成電路芯片封裝講座-wenkub.com
2025-03-17 06:10 本頁面
【正文】 倒裝芯片下填充 目的：緩沖焊點(diǎn)受機(jī)械振動(dòng)和 CTE失配導(dǎo)致基板對芯片拉力作用引起的焊點(diǎn)裂紋和失效，提高可靠性。 FCB技術(shù) 凸點(diǎn)制作方法 制作出來的凸點(diǎn)芯片可用于 陶瓷基板和 Si基板 ，也可以在 PCB上直接將芯片進(jìn)行 FCB焊接。而 WB和 TAB則是將芯片面朝上進(jìn)行互連的。 2） TAB金屬材料 制作 TAB引線圖形的金屬材料常用 Cu箔 ，少數(shù)采用 Al箔：導(dǎo)熱性和導(dǎo)電性及機(jī)械強(qiáng)度、延展性。 TAB關(guān)鍵技術(shù) 凸點(diǎn)制作 載帶制作工藝實(shí)例 — Cu箔單層帶 沖制標(biāo)準(zhǔn)定位傳送孔 Cu箔清洗 Cu箔疊層 Cu箔涂光刻膠（雙面） 刻蝕形成 Cu線圖樣 導(dǎo)電圖樣 Cu鍍錫 退火 內(nèi)引線鍵合 (ILB) 內(nèi)引線鍵合是將裸芯片組裝到 TAB載帶上的技術(shù)，通常采用熱壓焊方法。 TAB技術(shù)分類 TAB按其結(jié)構(gòu)和形狀可分為 Cu箔單層帶、 CuPI雙層帶、 Cu粘接劑 PI三層帶和 CuPICu雙金屬帶等四種。 金屬間化合物形成 —— 常見于 AuAl鍵合系統(tǒng) 引線彎曲疲勞 引線鍵合點(diǎn)跟部出現(xiàn)裂紋 。 WB技術(shù)作用機(jī)理 球形鍵合 第一鍵合點(diǎn) 第二鍵合點(diǎn) 楔形鍵合 第一鍵合點(diǎn) 第二鍵合點(diǎn) 引線鍵合接點(diǎn)外形 采用導(dǎo)線鍵合的芯片互連 引線鍵合技術(shù)實(shí)例 不同鍵合方法采用的鍵合材料也有所不同： 熱壓鍵合和金絲球鍵合主要選用金（ Au）絲，超聲鍵合則主要采用鋁（ Al）絲和 SiAl絲（ AlMgSi、 AlCu等）
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