銅氮化鋁復(fù)合材料的制備與性能分析-開題報告-wenkub.com
2025-01-18 17:22 本頁面
【正文】 均在實(shí)驗(yàn)室可以找到。2 通過金相實(shí)驗(yàn)、X射線衍射儀來分析銅氮化鋁的組織。生產(chǎn)的氮化鋁DBC基板產(chǎn)品熱導(dǎo)率高、剝離強(qiáng)度高、絕緣耐壓性能好，同時具有良好的焊接和鍵合性能。日本東芝、DENKA、京瓷等公司均已研制出氮化鋁覆銅基板，并用于IGBT模塊封裝中。 國外銅氮化鋁復(fù)合材料的研究現(xiàn)狀陶瓷覆銅基板是功率模塊封裝技術(shù)中關(guān)鍵材料，其性能決定著模塊的散熱效率和可靠性[1112]。李鵬等人[10]采用復(fù)合電沉積的方法，制備CuAlN復(fù)合鍍層。有研究顯示，A1N是一種非氧化物陶瓷，敷接銅箔的關(guān)鍵是使A1N表面形成A12O3過渡層，然后通過上述過渡層與Cu箔敷合實(shí)現(xiàn)A1N與Cu箔的敷合[9]。國內(nèi)外研究現(xiàn)狀 國內(nèi)銅氮化鋁復(fù)合材料的研究現(xiàn)狀到現(xiàn)在為止，國內(nèi)一些研究人員發(fā)現(xiàn)A1N陶瓷與氧化鋁相比具有更高的導(dǎo)熱特性，同時DBC基板具有銅箔的高導(dǎo)電特性，兩者結(jié)合制備的A1NDBC基板便發(fā)展成一種重要的電子封裝材料，在AlNDBC電子封裝基板領(lǐng)域取得了一些成果。AlN陶瓷顆粒加人銅基體中能夠起到提高基體材料的軟化溫度和降低熱膨脹系數(shù)的作用且隨著顆粒含量的增加復(fù)合材料的軟化溫度進(jìn)一步提高,同時熱膨脹系數(shù)進(jìn)一步降低，將其與Cu等金屬基體復(fù)合，有望獲得滿足性能要求的電子材料[5]【】。迄今為止，國內(nèi)外找到了很多種銅基復(fù)合材料的增強(qiáng)體元素，增強(qiáng)體的選用要求具有高熱導(dǎo)率、低熱膨脹系數(shù)以及低的密度，目前采用的增強(qiáng)體主要有SiC、Al、Al2OO、W和Mo等[3]。所以為了滿足生產(chǎn)中對銅材料的性能要求，人們研究出了銅基復(fù)合材料，即研究者在銅中通過引入適當(dāng)增強(qiáng)相的復(fù)合強(qiáng)化方式既能同時強(qiáng)化相和基體的協(xié)同作用，又具有非常大的設(shè)計自由度，同時導(dǎo)電理論指出固溶在銅基體中的原子引起的銅原子點(diǎn)陣畸變對電子的散射作用較第二相引起的散射作用要強(qiáng)的多，因此復(fù)合強(qiáng)化不會顯著降低銅基體的導(dǎo)電性。昆明理工大學(xué)畢業(yè)設(shè)計（論文）開 題 報 告題 目： 銅氮化鋁復(fù)合材料的制備與性能分析 學(xué) 院： 材料科學(xué)與工程學(xué)院
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