【正文】 ［轉 156］ 2022/2/15 第 2 章 155 2022/2/15 第 2 章 156 ?帶＊部分為自習內(nèi)容。 ?半導體激光二極管的工作原理，理論上與氣體激光器相同。相干的單色光信號可以用激光二極管來產(chǎn)生。在接收端傳送的光中，約有 80％耦合到光電二極管，以致在接收電路的輸出端復原為 0～ 5V電平的數(shù)字信號。 ［轉 148］ 2022/2/15 第 2 章 147 * cd（坎德拉）發(fā)光強度的單位 2022/2/15 第 2 章 148 ?發(fā)光二極管的另一種重要用途是將電信號變?yōu)楣庑盘枺ㄟ^光纜傳輸，然后再用光電二極管接收，再現(xiàn)電信號。光譜譜范圍是比較窄的，其波長由所使用的基本材料而定。 2022/2/15 第 2 章 142 2022/2/15 第 2 章 143 ?其主要特點是，它的反向電流與照度成正比，靈敏度的典型值為 A／ lx(勒克司 )數(shù)量級。 ?光信號和電信號的接口需要一些特殊的光電子器件，下面分別予以介紹。 2022/2/15 第 2 章 139 ＊ 光電子器件 ?雖然模擬和數(shù)字電子技術中，廣泛地應用半導體二極管和三極管電路來作信號處理，但是當前一種新的趨勢是，在信號傳輸和存儲等環(huán)節(jié)中，可有效地應用光信號。圖 它的代表符號，圖 b是某種變?nèi)荻O管的特性曲線。 ［轉 134］ 2022/2/15 第 2 章 133 2022/2/15 第 2 章 134 解： ? (1)負載所消耗的功率 PL＝ V L I L mA56V9LLMLM ??? VPI ???????? VR VVVIP R(2)檢驗穩(wěn)壓管的耗散功率 當空載 (I L＝ 0)時，穩(wěn)壓管的最大耗散功率為： 此功率未超過穩(wěn)壓管的額定耗散功率值。負載為一移動式 9V半導體收音機，當它的音量最大時，需供給的功率為 。 2022/2/15 第 2 章 128 表 幾種典型的穩(wěn)壓管的主要參數(shù) 2022/2/15 第 2 章 129 ?如 圖 。 2022/2/15 第 2 章 125 2． 5 特殊二極管 ? 齊納二極管 ?１ .穩(wěn)壓二極管：齊納二極管又稱穩(wěn)壓二極管，是一種特殊工藝制造的面接型半導體二極管。 2022/2/15 第 2 章 123 ?二極管較完整且較精確的模型是前面討論過的由式 ()所表達的指數(shù)模型。在這類應用中，二極管的小信號模型用來計算輸出電壓的變動是合適的。顯然，相應的二極管的信號電壓，可按分壓比來計算，即： 2022/2/15 第 2 章 119 mV.V2V)(DDd585281 0310282峰 值峰??????　　　　　　　　　　　?。健Rrv 由此可知，二極管電壓 vd的變化為土。圖中 rd就是前面分析的二極管的微變電阻。 ［ 112］ 2022/2/15 第 2 章 111 [轉 112] 2022/2/15 第 2 章 112 ?由于某種原因，如電網(wǎng)電壓波動引起直流電源電壓 V I產(chǎn)生波動，這個波動分量用 ΔV I表示，其波形是任意的，它與 V I串聯(lián)共同作用于 R(限流電阻 )和二極管 D相串聯(lián)的支路 (圖 (b))。這里所討論的是一種 低 電 壓 的 穩(wěn)壓 電路。 ［轉 106］ 2022/2/15 第 2 章 105 2022/2/15 第 2 章 106 ?解： ? (1)當 vI1＝ 0V、 vI2＝ 5V時， D1為正向偏置，v O＝ 0V(因二極管是理想的 )，此時 D2的陰極電位為 5V，陽極為 0V，處于反向偏置，故D2截止。 2022/2/15 第 2 章 103 ?在分析這種電路時，應當掌握一條基本原則： ?即判斷電路中的二極管處于導通狀態(tài)還是截止狀態(tài)，可以 先將二極管斷開 ，然后 觀察 (或經(jīng)過 計算 )陽、陰 兩極 間是 正向電壓 還是 反向電壓 ，若是 前者 則二極管 導通 ， 否則 二極管截止 ，現(xiàn)舉例說明。在二極管沒有導通之前，即 v I(VREF+Vth)之前，傳輸特性是一條通過 0點且斜率為 1的直線；一旦當 v I(VREF+Vth)，傳輸特性發(fā)生轉折并以斜率為 rD／ (rD+R)上升，如圖 (c)所示。 ［轉 97］ 2022/2/15 第 2 章 96 2022/2/15 第 2 章 97 ?解： (1)考慮輸入電壓不高，且有參考電壓 VREF＝ 3V，因此作用于二極管兩端的電壓不高，選用折線模型來分析是合適的，其等效電路如圖 (b) 所示，設 Vth＝ ， rD＝ 200Ω 。它是用來讓信號在預置的電平范圍內(nèi)，有選擇地傳輸一部分。為了簡單起見，圖 a所示的電路常采用圖 b所示的習慣畫法，今后經(jīng)常用到。在每種情況下，應用理想模型、恒壓降模型和折線模型求解。 ［轉 82］ 2022/2/15 第 2 章 81 2022/2/15 第 2 章 82 ? 4. 小信號模型 ?如 圖 ，在靜態(tài)工作點附近，可把二極管看成為一條直線，該直線斜率的倒數(shù)就是所求的小信號模型的微變電阻 rd 參考圖(a)，可求得 rd 為： rd=ΔvD /ΔiD ［轉 84］ 2022/2/15 第 2 章 83 2022/2/15 第 2 章 84 ? rd還可以通過二極管 V－ I 特性表達式求得。反偏時，其電阻為∞，電流為零。 2022/2/15 第 2 章 73 ? 5. 二極管的其它參數(shù) ?參閱表 ? 6. 半導體器件的命名方法 ?附：半導體器件型號命名方法 ? (根據(jù)國家標準 GB249— 74) ? 1．半導體器件的型號由 五個部分 組成 ? 2．型號組成部分的符號及其 意義 (見 P44表 ) ［轉 76］ 2022/2/15 第 2 章 74 2022/2/15 第 2 章 75 2022/2/15 第 2 章 76 二極管基本電路及其分析方法 ? 二極管正向 V－ I 特性的建模 ? 1. 理想模型 ?如圖 ? (a)所示，為理想二極管的 VI 特性 (黑線表示實際特性，紫線表示理想模型 )； ? (b)為其電路符號。 ? (2). 擴散電容 CD ? CD 反映了在外加電壓作用下，載流子在擴散過程中的積累效應。 2022/2/15 第 2 章 69 ? 4. 極間電容 ? (1). 勢壘電容 CB ? PNJ的勢壘電容是用來描述勢壘區(qū)的空間電荷隨外加電壓變化而產(chǎn)生的電容效應的。手冊中給出的最高反向工作電壓約為反向擊穿電壓的一半，以確保管子安全工作。 2022/2/15 第 2 章 65 ? 此時，二極管兩端的反向電壓基本不變，但反向電流劇增，且很小的一個電壓變化，就會引起很大的電流變化。 ?門坎電壓 V th (又稱為死區(qū)電壓 )，硅管： ；鍺管： . ?正常 工作電壓 ：硅管： ；鍺管：(或 )左右。 ?例如： 2CP1：最大整流電流為 400mA，最高工作頻率為 3kHz。常用于高頻檢波、脈沖數(shù)字電路中開關元件、小電流整流。 ? (1)、 (2)兩種擊穿 (電擊