電光效應(yīng)及其應(yīng)用ppt課件-wenkub.com
2025-01-12 04:14 本頁面
【正文】 角，調(diào)整磁感應(yīng)強(qiáng)度 B， 使從法拉第盒出來的光振動面相對 P1轉(zhuǎn)過 45176。但線偏振光通過磁光介質(zhì)時，如果沿磁場方向傳播，迎著光線看，振動面向右旋轉(zhuǎn)角度 θ ， 而當(dāng)光束沿反方向傳播時，振動面仍沿原方向旋轉(zhuǎn)，即迎著光線看振動面向左旋轉(zhuǎn)角度 θ ， 所以光束沿原路返回，一來一去兩次通過磁光介質(zhì)，振動面與初始位置相比，轉(zhuǎn)過了角度 2θ 。86表 51 幾種物質(zhì)的維爾德常數(shù)(用 λ = 3μm 的偏振光照明 ) 物 質(zhì) 溫 度 /? 176。83 1846年，法拉第發(fā)現(xiàn)，在磁場的作用下，本來不具有旋光性的介質(zhì)也產(chǎn)生了旋光性，能夠使線偏振光的振動面發(fā)生旋轉(zhuǎn)，這就是法拉第效應(yīng)。803. 自然旋光現(xiàn)象的實驗驗證 —— 菲涅耳棱鏡組實驗裝置81圖 521 菲涅耳棱鏡組 82 磁光效應(yīng) —— 法拉第 (Faraday)效應(yīng) 上述旋光現(xiàn)象是旋光介質(zhì)固有的性質(zhì)，因此可以叫作自然圓雙折射。按照他的假設(shè)，可以把進(jìn)入旋光介質(zhì)的線偏振光看作是右旋圓偏振光和左旋圓偏振光的組合。當(dāng)對著光線觀察時， 使光振動矢量順時針旋轉(zhuǎn)的介質(zhì)叫右旋光介質(zhì)，逆時針旋轉(zhuǎn)的介質(zhì)叫左旋光介質(zhì)。/mm ? 。 例如，石英晶體的 α 在光波長為 m時，為 49176。由于石英晶體是單軸晶體，光沿著光軸方向傳播不會發(fā)生雙折射，因而阿喇果發(fā)現(xiàn)的現(xiàn)象應(yīng)屬另外一種新現(xiàn)象，這就是旋光現(xiàn)象。布拉格衍射是在超聲波頻率較高，聲光作用區(qū)較長，光線與超聲波波面有一定角度斜入射時發(fā)生的。而在 Q 4π 的中間區(qū)內(nèi)，衍射現(xiàn)象較為復(fù)雜，通常的聲光器件均不工作在這個范圍內(nèi)，故不討論。64 按照超聲波頻率的高低和介質(zhì)中聲光相互作用長度的不同，由聲光效應(yīng)產(chǎn)生的衍射有兩種常用的極端情況：喇曼 —乃斯 (RamanNath)衍射 和 布拉格衍射 。Δ Bm=Π mnσ n m, n=1, 2, … , 663 聲光衍射 眾所周知 ,超聲波是一種彈性機(jī)械波 ,當(dāng)它通過介質(zhì)時 ,介質(zhì)中各點就會出現(xiàn)隨時間和空間呈周期性變化的彈性應(yīng)變。n 介質(zhì)在足夠大的外力作用下，其光學(xué)性質(zhì)發(fā)生改變（即折射率發(fā)生變化）的這一現(xiàn)象，叫做 彈光效應(yīng) ?，F(xiàn)若光線沿 x2′ 軸方向入射 ,振動方向為 x1′軸方向 ,則根據(jù)前面的分析可知 :光在下面棱鏡中的折射率為 在上面棱鏡中 ,由于電場與該棱鏡的 x3方向相反，所以折射率為 。 如圖 510所示，設(shè)入射波前與光楔 ABB′ 的 AB面平行，由于光楔的折射率 n1， 所以 AB面上各點的振動傳到A′ B′(∥ AB)面上時，通過了不同的光程：54 由 A到 A′, 整個路程完全在空氣中 ,光程為 l；由 B到B′, 整個路程完全在玻璃中 ,光程為 nl； A和 B之間的其它各點都通過一段玻璃 ,例如 ,由 C到 C′, 光程為 nl′+( ll′)= l+(n1)l′ 。 ? 如果在光路中插入 1/4波片，則光通過調(diào)制器后的總相位差是 (π/2+ φ )， 因此，通過檢偏器輸出的光強(qiáng) I與通過起偏器輸入的光強(qiáng) I0之比變?yōu)椋?2工作點由 O移到 A點。 夾角。47 晶體電光效應(yīng)的應(yīng)用 ? 將信息電壓 (調(diào)制電壓 )加載到光波上的技術(shù)叫光調(diào)制技術(shù)。46 所有晶體都具有二次電光效應(yīng)。43C. GaAs、 BGO型晶體的線性電光效應(yīng) ? ? GaAs(砷化鎵 )晶體屬于 43 m晶體點群，這一類晶體還有InAs(砷化銦 )、 CuCl(氯化銅 )、 ZnS(硫化鋅 )、 CdTe(碲化鎘 )等； BGO(鍺酸 )晶體屬于 23晶體點群，這一類晶體還有BSO(硅酸 )等，它們都是 立方晶體 ，在電光調(diào)制、光信息處理等領(lǐng)域內(nèi)，有著重要的應(yīng)用。41 當(dāng)光沿 x3方向傳過 l距離后，由于線性電光效應(yīng)引起電光延遲為：42 相應(yīng)的半波電壓為：式中， l是光傳播方向上晶體的長度； d為外加電場方向上晶體的厚度。此時， E E2≠0, E3=0， 經(jīng)計算可得感應(yīng)折射率橢球為：40 顯然， 外加電場后，晶體由單軸晶體變成了雙軸晶體。 當(dāng)光波沿 x1軸 (或 x2軸 )方向傳播時，出射沿 x2軸和 x3軸(或沿 x1軸和 x3軸 )方向振動的二線偏振光之間，將產(chǎn)生受電場控制的相位差：38 其中， l為光傳播方向上的晶體長度； d為電場方向上的晶體厚度； U3為沿 x3方向的外加電壓。 LiNbO3型晶體未加電場時的折射率橢球為旋轉(zhuǎn)橢球 ,即：式中， no和 ne分別為單軸晶體的尋常光和非常光的主折射率。但由于橫向運(yùn)用必須采取補(bǔ)償措施，結(jié)構(gòu)復(fù)雜，對兩塊晶體的加工精度要求很高，所以， 一般只有在特別需要較低半波電壓的場合才采用。 得到，因此，光沿感應(yīng)折射率橢球的主軸方向 x2′ 傳播時，相應(yīng)的兩個特許線偏振光的折射率為 n1′ 和 n3′ ， 該二光由晶片射出時的相位差 (“ 電光延遲 ” )為：26圖 53 用于 γ 63橫向運(yùn)用的 KDP晶片27 上式中，等號右邊第一項表示由 自然雙折射 造成的相位差；第二項表示由 線性電光效應(yīng) 引起的相位差。 x3切割，即如圖 53 所示，晶片的長和寬與 x x2軸成 45176。 例如，在 λ = 的情況下， KDP晶體的 no=, γ 63 = 10 10cm/V， Uλ/2 = kV。 由第 4章的討論知道，在這種情況下，相應(yīng)的兩個特許偏振分量的振動方
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