[工學(xué)]模擬電子教案02----三極管電路-wenkub.com
2024-12-31 23:42 本頁(yè)面
【正文】 （ 3） 1V 2V 電極和電位對(duì)應(yīng)關(guān)系是： B極為 1V， E極為 ， C極為 2V。 2． PNP管 （ l） 0 .2V 0V 0V 電極和電位對(duì)應(yīng)關(guān)系是： B極為 ， E極為 0V， C極為 0V。發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)也正偏，故三極管 T處在飽和狀態(tài)。 ? 根據(jù)電位確定三極管的狀態(tài)和電極時(shí)一般應(yīng)先設(shè)法確定三極管的基極 B和發(fā)射極 E，再確定集電極 C。 4. 溫度對(duì)特性的影響 輸入特性 : 若 uBE 不變，則當(dāng)溫度升高時(shí) iB 將增大，反之 iB 減小。 截止區(qū) —— iC接近零的區(qū)域，相當(dāng) iB=0的曲線的下方。 同理，可作出 iB=其他值的曲線。 （ 2） uCE ↑ → Ic ↑ 。 二 . 晶體管共射的特性曲線 1. 輸入特性曲線 iB=f(uBE)? uCE=const ++++iuBE+uB TCE+Cii(V )(u A )BE8040Bu= 0 VuCE＞ 1VCEu（ 3） uCE ≥1V再增加時(shí)，曲線右移很不明顯。 （ 2）當(dāng) uCE=1V時(shí)， 集電結(jié)已進(jìn)入反偏狀態(tài)，開(kāi)始收集電子，所以基區(qū)復(fù)合減少， 在同一 uBE 電壓下， iB 減小。 （ 3） 當(dāng) uCE ＞ 1V后，收集電子的能力足夠強(qiáng)。 iCCE ( V )( m A )= 6 0 u AI Bu=0BBII= 2 0 u ABI = 4 0 u AB = 8 0 u AI= 1 0 0 u AI B以 iB=60uA為例。 此時(shí)，發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏。 輸出特性 : ? 增大，集電極電流增大。按此思路對(duì)給定的6組數(shù)據(jù)分析如下。 （ 3） 2V 5V 1V 發(fā)射結(jié)若正偏 BE間必然滿足正偏條件，即 UBE = ，而給定的 3個(gè)數(shù)據(jù)中，不具備此條件，因而發(fā)射結(jié)沒(méi)有正偏。發(fā)射結(jié)正偏，偏置電壓 UBE =，集電結(jié)也正偏，故三極管 T處在飽和狀態(tài)。同樣，發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏， T為放大狀態(tài)。發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏， T為放大狀態(tài)。三極管 T處在截止?fàn)顟B(tài)。 解： （ 2） 1V 可考慮各電極對(duì)應(yīng)的電位如下：基極 B為 1V，射極 E為 ，集電極 C為 。 ? 多數(shù) NPN管用 Si材料制成， PN結(jié)的導(dǎo)通壓降一般設(shè)為 ；而多數(shù)的 PNP管用 Ge材料制成， PN結(jié)導(dǎo)通壓降一般為 左右。 CBii?＝iCIBIB =0uCE ( V )( m A )= 2 0 u ABI = 4 0 u ABI = 6 0 u ABI = 8 0 u ABI
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