實(shí)驗(yàn)2四探針法測量半導(dǎo)體電阻率和薄層電阻-wenkub.com
2024-12-20 13:57 本頁面
【正文】 ⑷ 廈門大學(xué)物理系半導(dǎo)體物理教研室編： 半導(dǎo)體器件工藝原理 ，人民教 育出版社， 1977。 5. 由于正向探針有少子注入及探針移動的存在，所以在測量中總是進(jìn)行正反 兩個電流方向的測量，然后取其平均以減小誤差。 實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)處理和分析 School of Microelectronics Xidian University 1. 為增加表面復(fù)合，減少少子壽命及避免少子注入，被測表面需粗磨或噴砂 處理。 2. 對樣品進(jìn)行不同電流但測量點(diǎn)相同情況下的測量， 計(jì)算 (修正 )同點(diǎn)電流不同 時的電阻率 ρ。 5. 改變測試電流，重復(fù) 4。 3. 將被測樣品表面用金鋼砂研磨 (指單晶硅樣品 )，用去離子水沖洗干凈后，再 用酒精棉球擦洗干凈，晾干，這樣處理后就可以獲得新鮮磨毛的測試平面，以使 探針和樣品實(shí)現(xiàn)較好的歐姆接觸，當(dāng)樣品與室溫相同后方可開始測量。 4. 參考附錄一，用陽極氧化剝層法求擴(kuò)散層中的雜質(zhì)濃度分布 (選作 )。 電位差計(jì)是采用補(bǔ)償法測微小電壓的儀器，其優(yōu)點(diǎn)是當(dāng)調(diào)節(jié)平衡后，測量線 路和被測線路間都無電流流過。 所以 ： 因此有 : 實(shí)驗(yàn)原理 School of Microelectronics Xidian University 實(shí)際的擴(kuò)散片尺寸一般不很大，并且實(shí)際的擴(kuò)散片又有單面擴(kuò)散與雙面擴(kuò)散之 分， 因此，需要進(jìn)行修正，修正后的公式為： 實(shí)驗(yàn)原理 不很大樣品修正情況 School of Microelectronics Xidian University 本實(shí)驗(yàn)的測試裝置主要由四探針頭， 可調(diào)的直流恒流源， 電位差計(jì)和檢流 計(jì)等組成。 實(shí)驗(yàn)原理 School of Microelectronics Xidian University 說明：樣品為片狀單晶，四探針針尖所連成的直線與樣品一個邊界垂直， 探針與該邊界的最近距離為 L，除樣品厚度及該邊界外，其余周界為無窮遠(yuǎn)，樣 品周圍為絕緣介質(zhì)包圍。 實(shí)際測量中， 最常用的是直線型四探針， 即四根探針的針尖位于同一直線 上，并且間距相等， 設(shè) r12=r23=r34=S，則有： )111
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1