清華大學材料顯微結構分析05-織構分布函數(shù)微晶尺寸xrd測定-wenkub.com
2025-05-11 01:24 本頁面
【正文】 通過 對 ?hkl進行分離 ， 可 求 微晶 和 晶格畸變 各量 。 ???CosD h klh kl? Dhkl一定 ， ??時 ?hkl?， ……(30) 三 . 衍射峰展寬起因的判定： 1. 微晶效應 ： 由公式 ： 即由 微晶效應引起 。 (2) ?hkl 測定方法二 ： i 用 與 待測試樣 不同 、晶粒度在 5 ~ 20?m的標樣， 與待測試樣均混 后 XRD，同時獲得： ii 由 實測線形 h(2?)測量得到： iii ?hkl測定 : 實測線形 h(2?)＋儀器線形 g(2?+?2?)。 ② ③ 角因數(shù) ； 1?K 2?K ?①②③ 構成儀器線形g(2?)。 第 n個晶胞散射與入射波的相位差 ： nnc rsgrk????? ????? )(??? 22那么 整個晶體散射的結構因子 ： ? ??? 全部晶胞整 ])(e xp [ ng rsgiF ????? 2? ??? 全部晶胞整 ]e xp []e xp [ nng rsirgiF ???? ??? 22 ……(9) ……(10) 晶胞原點射線反射 X射線反射 X射線入射 X射線入射 Xiir?? ???全部晶胞整 ]2e xp []2e xp [ nng rsirgiF???? ???已知 ： ??? ??? clbkahg ???? cZbYaXrn???? ???h、 k、 l， X、 Y、 Z均為整數(shù)， 單位體積晶體的結構因子 ： ? ?? 晶體 dVrsiVF ncg ]2e xp [ ????VC 代表在積分范圍內的體積 。 hkl? N?0k?0k?gk?k?衍射矢量方程 ： h k lgk?? ?0kkk g??? ??k?0k?gk?:入射 X線的單位矢量 以 1/?為單位 :反射 X線的單位矢量 :衍射矢量 符合 Bragg公式 ： 2dSin?=??=? (晶體無限厚 ) ????????? Cosd42 ?? ?建立 : ? 偏差 與 相位差 ? 與 微晶尺寸 D的關系 已知 ？ hklg?2? X射線入射 X射線反射 ……(4) 2? hkl? N?0k?0k?gk?h k lh k l gk?? //hklg?＃ 愛瓦爾德作圖法 ： 反射球半徑 1/?= 0k?gk?hklg??)(hkl2? ① 當晶體無限厚 , 落在愛氏球面 (反射球面 )上 。 因此，搖擺曲線為寬化的、具有一定半高寬 D值的衍射峰。 D D D ?? 0 ?? 0 D ?? 0 IV. 理想 (無擇優(yōu)取向 )多晶結構的搖擺曲線 晶體 (晶面 )在樣品中的生長是完全隨機的， 又該晶面 (hkl)與試樣表面形成的各個角度 ??的可能性 均等 ， 因此，搖擺曲線無論橫坐 標為何值，即 ?? 如何變化， 即該衍射面的 衍射強度都是一樣的， 為一條平行于橫坐標的直線。 **如果考慮儀器線形導致的衍射線寬化， 搖擺曲線為一具有 一定 半峰寬 D（ 儀器線形） 的 (窄 )衍射峰。 )B(S i n)(AI?????? 2?*晶體的 X射線衍射滿足： X射線衍射搖擺法 (hkl) d N ? 反射 X線 入射 X線 (hkl) d N ? 反射 X線 入射 X線 2dSin? =? X射線衍射儀法 (hkl) d N ? 反射 X線 入射 X線 X光管固定 X光管固定 探測器固定 探測器 2ω 樣品 ω 樣品繞 ??試樣表面又 ?入射與反射 X線組成的平面的軸 樣品 ??? 左右擺動 ??? 衍射強度隨衍射角變化的曲線即為搖擺曲線。 2?Sin? d? AI AII d? 2. 分布函數(shù)的實驗及測量 由 XRD， ? =0時有： RlRh kllh klRlRh klWWCCII000000??tlth kllh kltlth klWWCCII000000??)0()0( 000000????? ?? t lRlRh kltlth klth kl WIIIIW ……(11) 而： )0()0( 00 ??? ?? t lth k l WW (hkl)∧ (00l)= ? 的關系圖 )0(00 ??t lW(1)令 1)0(00 ???t lW
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