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2025-05-05 06:30 本頁面
【正文】 在電鏡操作期間，樣品室可充＜ 3 103Pa的空氣或更高分壓的氫氣和其他氣體，在槍體關(guān)閉的情況下，可充 3 104Pa的反應(yīng)氣體。 ? 物鏡減少球差系數(shù) ：增加了一個電磁四極～八極球差校正器，球差系數(shù)由原來的 。標(biāo) = 圖 4 誘導(dǎo)處理后細(xì)胞的核骨架纖維和中間纖維通過薄層均一的核纖層發(fā)生密切關(guān)系 電子衍射技術(shù) —選區(qū)電子衍射 SAD ?選區(qū)衍射 SAD： 微米級 微小區(qū)域結(jié)構(gòu)特征 ?會聚束衍射 CBED： 納米級 微小區(qū)域結(jié)構(gòu)特征 ?微束衍射 NED： 納米級 微小區(qū)域結(jié)構(gòu)特征 電子衍射分析 方法 * 圖 1 未經(jīng) DDP修飾 的 PbS納米微粒的 TEM像 (a)和電子衍射花樣 (b) 圖 2 DDP表面修飾 的 PbS納米微粒的 TEM像 (a)和電子衍射花樣 (b) 電子衍射技術(shù) —會聚束衍射 CBED 電子槍 樣品 照明源 聚光鏡 物鏡 中間鏡 投影鏡 熒光屏或照相底片 選區(qū)光闌 聚光鏡光闌 第一中間鏡 選區(qū)電子衍射操作：第一中間鏡的操作 C A O B B’ O’ A’ C’ 樣品 物平面 物鏡 物鏡光闌 背焦面（衍射花樣） 選區(qū)光闌 像平面 000 hkl 2θ （樣品像） 選區(qū)電子衍射原理 ?晶體 樣品 微區(qū) 的 形貌特征和晶體學(xué)性質(zhì) 得到同時反映； ?電子衍射花樣直觀反映 晶體的點陣結(jié)構(gòu)和位向 ； 選區(qū)電子衍射分析技術(shù) 特點 選區(qū)電子衍射操作：在多晶體樣品內(nèi) 選取單個晶體 進(jìn)行分析； 圖 3 含細(xì)棍和粗棍兩類的一維納米晶體 圖 4 Si3N4的衍射圖 ?明場（ BF） 成像 ：在物鏡的背焦面上，讓 透射束 通過物鏡光闌而把衍射束擋掉得到圖像襯度的方法； ?暗場（ DF） 成像 ：將入射束方向傾斜 2θ 角度，使 衍射束 通過物鏡光闌而把透射束擋掉得
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