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2025-05-06 17:55 本頁面
【正文】 當(dāng) WDT 溢出，它將驅(qū)動 RSR 引腳一個高個電平輸出。 WDT 在默認(rèn)情況下無法工作；為了激活 WDT，戶用必須往 WDTRST 寄存器（地址： 0A6H）中依次寫入 01EH 和 0E1H。 MOV R0 , data 堆棧操作也是簡介尋址方式。 當(dāng)一條指令訪問高于 7FH 的地 址時，尋址方式?jīng)Q定 CPU訪問高 128 字節(jié) RAM 還是特殊功能寄存器空間。 對于 89S52，如果 EA 接 VCC，程序讀寫先從內(nèi)部存儲器（地址為 0000H～ 1FFFH）開始，接著從外部尋址，尋址地址為： 2020H~FFFFH。 POF可以軟件控制使用與否，但不受復(fù)位影響。特殊寄存器 AUXR1中 DPS＝ 0 選擇 DP0； DPS=1 選擇 DP1。當(dāng) EXEN2=1 時， CP/ 2RL ＝ 1， T2EX出現(xiàn)負(fù)脈沖，會引起捕捉操作；當(dāng)定時器 2 溢出或 EXEN2=1時 T2EX 出現(xiàn)負(fù)跳變，都會出現(xiàn)自動重載操作。當(dāng) EXEN2=1 時，如果定時器 2沒有用作串行時鐘， T2EX（ ）的負(fù)跳變見引起定時器 2捕捉和重載。若 RCLK=1，串行口將使用定時器 2溢出脈沖作為串行口工作模式 1 和 3 的串口接收時鐘；RCLK＝ 0，將使用定時器 1 計數(shù)溢出作為串口接收時鐘。定時器 2 打開， EXF2=1 時，將引導(dǎo) CPU執(zhí)行定時器 2中斷程序。必須軟件清“ 0”。由于這些寄存器在將來可能被賦予新的功能，復(fù)位后，這些位都為“ 0” 。 并不是所有的地址都被定義了。 在 flash 編程期間， EA 也接收 12 伏 VPP 電壓。 當(dāng) AT89S52 從外部程序存儲器執(zhí)行外部代碼時， PSEN 在每個機(jī)器周期被激活兩次，而在訪問外部數(shù)據(jù)存儲器時， PSEN 將不被激活。這一位置“ 1”， ALE 僅在執(zhí)行 MOVX 或 MOVC 指令時有效。在 flash 編程時，此引腳（ PROG ）也用作編程輸入脈沖?？撮T狗計時完成后， RST腳輸出 96 個晶振周期的高電平。 P3 口亦作為 AT89S52 特殊功能（次要功能）使用，如下表所示。 在 flash 編程和校驗時， P2 口也接收高 8 位地址字節(jié)和一些控制信號。作為輸入使用時，被外部拉低的引腳由于內(nèi)部電阻的原因，將輸出電流（ IIL）。此外， 和 分別作定時器 /計數(shù)器 2 的外部計數(shù)輸入（ ）和時器 /計數(shù)器 2的觸發(fā)輸入（ ），具體如下表所示。程序校驗時，需要外部上拉電阻。對 P0端口寫“ 1”時，引腳用作高阻抗輸入?？臻e模式下， CPU停止工作，允許 RAM、定時器 /計數(shù)器、串口、中斷繼續(xù)工作。片上 Flash 允許程序存儲器在系統(tǒng)可編程，亦適于常規(guī)編程器。 XXXXX 學(xué)院 畢業(yè)設(shè)計 (論文 )外文資料翻譯 學(xué)院 (系 )： 電子電氣工程學(xué)院 專 業(yè)： 電氣工程及其自動化 姓 名：
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