20xx實驗報告--霍爾效應(yīng)原理及其應(yīng)用-wenkub.com
2025-01-12 01:42 本頁面
【正文】 此資料由網(wǎng)絡(luò)收集而來，如有侵權(quán)請告知上傳者立即刪除。判別的方法是按圖１所示的Is和B的方向（即測量中的＋I(xiàn)s，＋B），若測得的VH＜０（即Ａ′的電位低于Ａ的電位），則樣品屬Ｎ型，反之為Ｐ型。 荷的積累就達(dá)到平衡，即樣品Ａ、Ａ′間形成了穩(wěn)定的電勢差（霍爾電壓）
設(shè)EH為霍爾電場，v是載流子在電流方向上的平均漂移速度；樣品的寬度為b，厚度為d，載流子濃度為n，則有：
Is?nevbd
因為 （1－1） fE?eEH，fB?evB，又根據(jù)fE?fB，則
其中VH?EH?b?IB1IsB??RHsnedd （1－2） RH?1/(ne)稱為霍爾系數(shù)，是反映材料霍爾效應(yīng)強(qiáng)弱的重要參數(shù)。當(dāng)帶電粒子（電子或空穴）被約束在固體材料中，這種偏轉(zhuǎn)就導(dǎo)致在垂直于電流和磁場的方向上產(chǎn)生正負(fù)電荷的聚積，從而形成附加的橫向電場。 UO= SH =12mV/mA*KG。將實驗儀三組雙刀開關(guān)均投向上方，即Is沿X方向，B沿Z方向，毫伏表測量電壓為VAA′。
（5）測量Vδ值。保持IM值不變（取IM＝），測繪VH－Is曲線。
圖（2） 霍爾效應(yīng)實驗儀示意圖
接線時嚴(yán)禁將測試儀的勵磁電源“IM輸出”誤接到實驗儀的“Is輸入”或“VH、Vσ輸出”處，否則一旦通電，霍爾元件即遭損壞！
（2）對測試儀進(jìn)行調(diào)零。半導(dǎo)體μ高，ρ適中，是制造霍爾器件較理想的材料，由于電子的遷移率比空穴的遷移率大，所以霍爾器件都采用N型材料，又由于霍爾電壓的大小與材料的厚度成反比，因此，薄膜型的霍爾器件的輸出電壓較片狀要高得多。電導(dǎo)率σ可以通過圖（a）所示的A、C電極進(jìn)行測量。
(2)求載流子濃度。
V1?V2?V3?V4
由式（4）可知霍爾電壓VH（A、A′電極之間的電壓）與IsB乘積成正比，與試樣厚度d成反比。電場的指向取決于試樣的導(dǎo)電類型。 ③、實驗原理
霍爾效應(yīng)從本質(zhì)上講是運(yùn)動的帶電粒子在磁場中受洛侖茲力作用而引起的偏轉(zhuǎn)。
二、 設(shè)計原理 ①、實驗?zāi)康?br /> 1．了解霍爾效應(yīng)實驗原理以及有關(guān)霍爾元件對材料要求的知識。
【關(guān)鍵詞】霍
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