【正文】 VVon=，二極管兩端電壓基本保持不變，如同一個閉合的開關，二極管導通； （ 2）截止條件及截止特點 加于二極管兩端電壓 VVD=（死區(qū)電壓），流過二極管電流基本為零，如同一個斷開的開關，二極管截止； （ 3）開關時間 開通時間非常短，可忽略不計。關斷時間為幾 ns。 第六節(jié) 基本半導體開關元件 模擬、數(shù)字及電力電子技術 拓新 ,弘毅 ,篤學 ,明德 ? 二極管的動態(tài)電流波形： 第六節(jié) 基本半導體開關元件 模擬、數(shù)字及電力電子技術 拓新 ,弘毅 ,篤學 ,明德 第六節(jié) 基本半導體開關元件 二、三極管開關特性 （ 1）飽和導通條件 飽和導通時，三極管上壓降（ UCEUBE），一般 UCES小于 。 （ 2）截止條件 UBEUD=(死區(qū)電壓） 此時，三極管上壓降（ UCE=VCC） 。 （ 3）開關時間 tON ， tOFF一般都在 ns數(shù)量級，飽和深度愈深，關斷時間越長。 CCCCCE SCCCSBSB RVRUVIii???????? )(模擬、數(shù)字及電力電子技術 拓新 ,弘毅 ,篤學 ,明德 三、 CMOS開關特性 MOS管的結構 S (Source)：源極 G (Gate)：柵極 D (Drain)：漏極 B (Substrate):襯底 金屬層 氧化物層 半導體層 PN結 第六節(jié) 基本半導體開關元件 模擬、數(shù)字及電力電子技術 拓新 ,弘毅 ,篤學 ,明德 ? 以 N溝道增強型 為例 第六節(jié) 基本半導體開關元件 模擬、數(shù)字及電力電子技術 拓新 ,弘毅 ,篤學 ,明德 以 N溝道增強型 為例： 當加 +VDS時， VGS=0時， DS間是兩個背向 PN結串聯(lián)， iD=0 加上 +VGS，且足夠大至 VGS VGS (th), DS間形成導電溝道（ N型層） 開啟電壓 第六節(jié) 基本半導體開關元件 模擬、數(shù)字及電力電子技術 拓新 ,弘毅 ,篤學 ,明德 輸入特性和輸出特性 ① 輸入特性：直流電流為 0，看進去有一個輸入電容 CI，對動態(tài)有影響。 ② 輸出特性： ③ iD = f (VDS) 對應不同的 VGS下得一族曲線 。 第六節(jié) 基本半導體開關元件 模擬、數(shù)字及電力電子技術 拓新 ,弘毅 ,篤學 ,明德 漏極特性曲線 （分三個區(qū)域） ① 截止區(qū) ② 恒流區(qū) ③ 可變電阻區(qū) 第六節(jié) 基本半導體開關元件 模擬、數(shù)字及電力電子技術 拓新 ,弘毅 ,篤學 ,明德 漏極特性曲線 （分三個區(qū)域） 截止區(qū)： VGSVGS(th)， iD = 0, ROFF 109Ω 第六節(jié) 基本半導體開關元件 模擬、數(shù)字及電力電子技術 拓新 ,弘毅 ,篤學 ,明德 漏極特性曲線 （分三個區(qū)域） 恒流區(qū)： iD 基本上由 VGS決定，與 VDS 關系不大 ,MOS 管工作在放大區(qū) 2)(2)()1(GSDthGSGSthGSGSDSDViVVVVIi?????下，當?shù)诹?jié) 基本半導體開關元件 模擬、數(shù)字及電力電子技術 拓新 ,弘毅 ,篤學 ,明德 漏極特性曲線 （分三個區(qū)域） 可變電阻區(qū)：當 VDS 較低（近似為 0）， VGS 一定時， 這個電阻受 VGS 控制、可變。 常數(shù)（電阻）?DDS iV第六節(jié) 基本半導體開關元件 模擬、數(shù)字及電力電子技術 拓新 ,弘毅 ,篤學 ,明德 MOS管的四種類型 ? 增強型 ? 耗盡型 大量正離子 導電溝道 第六節(jié) 基本半導體開關元件 模擬、數(shù)字及電力電子技術 拓新 ,弘毅 ,篤學 ,明德 MOS管的基本開關電路 控制的開關。間相當于一個受管所以導通當截止當則：只要因為IOLOGSIHIDDOHOGSILIOF FDONONOF FVSDMOSVVTthVVVVVVTthVVVRRRKRR???? ??? ??????? ??? ????????????0)()(,1,109第六節(jié) 基本半導體開關元件 模擬、數(shù)字及電力電子技術 拓新 ,弘毅 ,篤學 ,明德 MOS管開關等效電路如下 OFF ，截止狀態(tài) ON，導通狀態(tài) 第六節(jié) 基本半導體開關元件 模擬、數(shù)字及電力電子技術 拓新 ,弘毅 ,篤學 ,明德 第六節(jié) 基本半導體開關元件 N溝道增強型 導通條件： VGSVTH，導通電阻 Ron1K。 截止條件： VGSVTH 開關時間：輸入電阻高，電容大，開關時間比三極管長。 P溝道增強型 導通條件： VGSVTH，導通電阻 Ron1K。 截止條件： VGSVTH 開關時間：輸入電阻高，電容大，開關時間比三極管長。 模擬、數(shù)字及電力電子技術 拓新 ,弘毅 ,篤學 ,明德 第七節(jié) 二極管與門、或門、三極管反相器 高電平： VIH=VCC 低電平： VIL=0 ? VI=VIH D截止， VO=VOH=VCC ? VI=VIL D導通， VO=VOL= 模擬、數(shù)字及電力電子技術 拓新 ,弘毅 ,篤學 ,明德 一、二極管與門 設 VCC = 5V 加到 A,B的 VIH=3V VIL=0V 二極管導通時 VDF= A B Y 0V 0V 0V 3V 3V 0V 3V 3V A B Y 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 1 1 規(guī)定 3V以上為 1 0 第七節(jié) 二極管與門、或門、三極管反相器 模擬、數(shù)字及電力電子技術 拓新 ,弘毅 ,篤學 ,明德 二、 二極管 或 門 設 VCC = 5V 加到 A,B的 VIH=3V VIL=0V 二極管導通時 VDF= A B Y 0V 0V 0V 0V 3V 3V 0V 3V 3V A B Y 0 0 0 0 1 1 1 0 1 1 1 1 規(guī)定 1 0V以下為 0 第七節(jié) 二極管與門、或門、三極管反相器 模擬、數(shù)字及電力電子技術 拓新 ,弘毅 ,篤學 ,明德 二極管構成的門電路的缺點 ? 電平有偏移 ? 帶負載能力差 ? 只用于 IC內(nèi)部電路 第七節(jié) 二極管與門、或門、三極管反相器 模擬、數(shù)字及電力電子技術 拓新 ,弘毅 ,篤學 ,明德 三、三極管反相器 ???Bi第七節(jié) 二極管與門、或門、三極管反相器 基極電流： 基極飽和電流 ?????bBEAB RUVi 5 ????cccBS RVi? ????BSBBSBiiKii飽和深度三極管飽和導通?VA高電平，三極管飽和導通，輸出低電平； VA低電平，三極管截止，輸出高電平 模擬、數(shù)字及電力電子技術 拓新 ,弘毅 ,篤學 ,明德 謝謝觀看 /歡迎下載 BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAIT