【正文】 VVon=，二極管兩端電壓基本保持不變，如同一個閉合的開關(guān)，二極管導(dǎo)通； （ 2）截止條件及截止特點 加于二極管兩端電壓 VVD=（死區(qū)電壓），流過二極管電流基本為零，如同一個斷開的開關(guān)，二極管截止； （ 3）開關(guān)時間 開通時間非常短，可忽略不計。關(guān)斷時間為幾 ns。 第六節(jié) 基本半導(dǎo)體開關(guān)元件 模擬、數(shù)字及電力電子技術(shù) 拓新 ,弘毅 ,篤學(xué) ,明德 ? 二極管的動態(tài)電流波形： 第六節(jié) 基本半導(dǎo)體開關(guān)元件 模擬、數(shù)字及電力電子技術(shù) 拓新 ,弘毅 ,篤學(xué) ,明德 第六節(jié) 基本半導(dǎo)體開關(guān)元件 二、三極管開關(guān)特性 （ 1）飽和導(dǎo)通條件 飽和導(dǎo)通時，三極管上壓降（ UCEUBE），一般 UCES小于 。 （ 2）截止條件 UBEUD=(死區(qū)電壓） 此時，三極管上壓降（ UCE=VCC） 。 （ 3）開關(guān)時間 tON ， tOFF一般都在 ns數(shù)量級，飽和深度愈深，關(guān)斷時間越長。 CCCCCE SCCCSBSB RVRUVIii???????? )(模擬、數(shù)字及電力電子技術(shù) 拓新 ,弘毅 ,篤學(xué) ,明德 三、 CMOS開關(guān)特性 MOS管的結(jié)構(gòu) S (Source)：源極 G (Gate)：柵極 D (Drain)：漏極 B (Substrate):襯底 金屬層 氧化物層 半導(dǎo)體層 PN結(jié) 第六節(jié) 基本半導(dǎo)體開關(guān)元件 模擬、數(shù)字及電力電子技術(shù) 拓新 ,弘毅 ,篤學(xué) ,明德 ? 以 N溝道增強(qiáng)型 為例 第六節(jié) 基本半導(dǎo)體開關(guān)元件 模擬、數(shù)字及電力電子技術(shù) 拓新 ,弘毅 ,篤學(xué) ,明德 以 N溝道增強(qiáng)型 為例： 當(dāng)加 +VDS時， VGS=0時， DS間是兩個背向 PN結(jié)串聯(lián)， iD=0 加上 +VGS，且足夠大至 VGS VGS (th), DS間形成導(dǎo)電溝道（ N型層） 開啟電壓 第六節(jié) 基本半導(dǎo)體開關(guān)元件 模擬、數(shù)字及電力電子技術(shù) 拓新 ,弘毅 ,篤學(xué) ,明德 輸入特性和輸出特性 ① 輸入特性：直流電流為 0，看進(jìn)去有一個輸入電容 CI，對動態(tài)有影響。 ② 輸出特性： ③ iD = f (VDS) 對應(yīng)不同的 VGS下得一族曲線 。 第六節(jié) 基本半導(dǎo)體開關(guān)元件 模擬、數(shù)字及電力電子技術(shù) 拓新 ,弘毅 ,篤學(xué) ,明德 漏極特性曲線 （分三個區(qū)域） ① 截止區(qū) ② 恒流區(qū) ③ 可變電阻區(qū) 第六節(jié) 基本半導(dǎo)體開關(guān)元件 模擬、數(shù)字及電力電子技術(shù) 拓新 ,弘毅 ,篤學(xué) ,明德 漏極特性曲線 （分三個區(qū)域） 截止區(qū)： VGSVGS(th)， iD = 0, ROFF 109Ω 第六節(jié) 基本半導(dǎo)體開關(guān)元件 模擬、數(shù)字及電力電子技術(shù) 拓新 ,弘毅 ,篤學(xué) ,明德 漏極特性曲線 （分三個區(qū)域） 恒流區(qū)： iD 基本上由 VGS決定，與 VDS 關(guān)系不大 ,MOS 管工作在放大區(qū) 2)(2)()1(GSDthGSGSthGSGSDSDViVVVVIi?????下，當(dāng)?shù)诹?jié) 基本半導(dǎo)體開關(guān)元件 模擬、數(shù)字及電力電子技術(shù) 拓新 ,弘毅 ,篤學(xué) ,明德 漏極特性曲線 （分三個區(qū)域） 可變電阻區(qū)：當(dāng) VDS 較低（近似為 0）， VGS 一定時， 這個電阻受 VGS 控制、可變。 常數(shù)（電阻）?DDS iV第六節(jié) 基本半導(dǎo)體開關(guān)元件 模擬、數(shù)字及電力電子技術(shù) 拓新 ,弘毅 ,篤學(xué) ,明德 MOS管的四種類型 ? 增強(qiáng)型 ? 耗盡型 大量正離子 導(dǎo)電溝道 第六節(jié) 基本半導(dǎo)體開關(guān)元件 模擬、數(shù)字及電力電子技術(shù) 拓新 ,弘毅 ,篤學(xué) ,明德 MOS管的基本開關(guān)電路 控制的開關(guān)。間相當(dāng)于一個受管所以導(dǎo)通當(dāng)截止當(dāng)則：只要因為IOLOGSIHIDDOHOGSILIOF FDONONOF FVSDMOSVVTthVVVVVVTthVVVRRRKRR???? ??? ??????? ??? ????????????0)()(,1,109第六節(jié) 基本半導(dǎo)體開關(guān)元件 模擬、數(shù)字及電力電子技術(shù) 拓新 ,弘毅 ,篤學(xué) ,明德 MOS管開關(guān)等效電路如下 OFF ，截止?fàn)顟B(tài) ON，導(dǎo)通狀態(tài) 第六節(jié) 基本半導(dǎo)體開關(guān)元件 模擬、數(shù)字及電力電子技術(shù) 拓新 ,弘毅 ,篤學(xué) ,明德 第六節(jié) 基本半導(dǎo)體開關(guān)元件 N溝道增強(qiáng)型 導(dǎo)通條件： VGSVTH，導(dǎo)通電阻 Ron1K。 截止條件： VGSVTH 開關(guān)時間：輸入電阻高，電容大，開關(guān)時間比三極管長。 P溝道增強(qiáng)型 導(dǎo)通條件： VGSVTH，導(dǎo)通電阻 Ron1K。 截止條件： VGSVTH 開關(guān)時間：輸入電阻高，電容大，開關(guān)時間比三極管長。 模擬、數(shù)字及電力電子技術(shù) 拓新 ,弘毅 ,篤學(xué) ,明德 第七節(jié) 二極管與門、或門、三極管反相器 高電平： VIH=VCC 低電平： VIL=0 ? VI=VIH D截止， VO=VOH=VCC ? VI=VIL D導(dǎo)通， VO=VOL= 模擬、數(shù)字及電力電子技術(shù) 拓新 ,弘毅 ,篤學(xué) ,明德 一、二極管與門 設(shè) VCC = 5V 加到 A,B的 VIH=3V VIL=0V 二極管導(dǎo)通時 VDF= A B Y 0V 0V 0V 3V 3V 0V 3V 3V A B Y 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 1 1 規(guī)定 3V以上為 1 0 第七節(jié) 二極管與門、或門、三極管反相器 模擬、數(shù)字及電力電子技術(shù) 拓新 ,弘毅 ,篤學(xué) ,明德 二、 二極管 或 門 設(shè) VCC = 5V 加到 A,B的 VIH=3V VIL=0V 二極管導(dǎo)通時 VDF= A B Y 0V 0V 0V 0V 3V 3V 0V 3V 3V A B Y 0 0 0 0 1 1 1 0 1 1 1 1 規(guī)定 1 0V以下為 0 第七節(jié) 二極管與門、或門、三極管反相器 模擬、數(shù)字及電力電子技術(shù) 拓新 ,弘毅 ,篤學(xué) ,明德 二極管構(gòu)成的門電路的缺點 ? 電平有偏移 ? 帶負(fù)載能力差 ? 只用于 IC內(nèi)部電路 第七節(jié) 二極管與門、或門、三極管反相器 模擬、數(shù)字及電力電子技術(shù) 拓新 ,弘毅 ,篤學(xué) ,明德 三、三極管反相器 ???Bi第七節(jié) 二極管與門、或門、三極管反相器 基極電流： 基極飽和電流 ?????bBEAB RUVi 5 ????cccBS RVi? ????BSBBSBiiKii飽和深度三極管飽和導(dǎo)通?VA高電平，三極管飽和導(dǎo)通，輸出低電平； VA低電平，三極管截止，輸出高電平 模擬、數(shù)字及電力電子技術(shù) 拓新 ,弘毅 ,篤學(xué) ,明德 謝謝觀看 /歡迎下載 BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAIT