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低頻電子線路(傅豐林)第3章-資料下載頁

2025-01-01 05:51本頁面
  

【正文】 了,而上限頻率 fH 下降了,導(dǎo)致通頻帶 fBW變 窄了。 382 設(shè)放大器的 低頻 電壓增益函數(shù)與中頻電壓放大倍數(shù)之比的表達(dá)式為:對于正弦輸入: 383 設(shè)放大器的高頻增益函數(shù)與中頻電壓放大倍數(shù)之比為: 384 例 315: 一多級放大器的電壓增益函數(shù)為求:中頻電壓增益、上限頻率 fH和下限頻率 fL。解: Au(s)都 趨 于零, 這說 明 Au(s)是一個全 頻 段增益函數(shù)表 達(dá)式,在低頻段有兩個極點 (10,100),兩個零點 (0,2); 在高頻區(qū)有兩個極點 ,令 將 Au(s)表達(dá)式中 s從低 頻 因子 (s+2)、 (s+10)、 (s+100) 中提出;將常數(shù) 從高頻因子中提出,于是得 385 386 顯然,中頻電壓增益 由以上分析可知, 對 于中 頻電壓 增益 實際 上是把低 頻 零 點和極點以及高頻極點的影響統(tǒng)統(tǒng)忽略不計,即 387 放大器的階躍響應(yīng) 階躍響應(yīng)的指標(biāo) 單級放大器的階躍響應(yīng) 多級放大器的階躍響應(yīng) 388 階躍響應(yīng)的指標(biāo)頻域法 : 以正弦輸入信號的頻率作為自變量,通過電路對 不同頻率的響應(yīng),來評價放大器的線性失真。該方法又稱為穩(wěn)態(tài)響應(yīng)優(yōu)點:分析簡單缺點:不能直觀地確定放大器的波形失真。時域法 : 以階躍信號作為放大器的輸入信號,分析輸出信號 波形隨時間變化的情況。該方法又稱為瞬態(tài)響應(yīng)優(yōu)點:可以直觀地判斷放大器放大階躍信號的失真。缺點:分析復(fù)雜。 389 ( 1)單位階躍電壓表達(dá)式: 波形圖:信號特點:既有突變部分又有不變的部分。( 2)輸出響應(yīng)當(dāng)電路中存在 惰性元件 時,輸出電壓跟不上輸入信號的變化。 390 ( 1)上升時間 tr 輸 出 電壓 從 時間 , U為 上升的 穩(wěn) 定 值 。( 2)相對平頂降落 δ ( 3)超調(diào)量 在指定 時間 tp內(nèi),輸出電壓 U(tp)比 上升的穩(wěn)定值 U下降的百分比。輸出電壓上升的瞬態(tài)過程中,超出 U的部分,用百分比 表示。 391 單級放大器的階躍響應(yīng) 時間 和上限 頻 率的關(guān)系上升過程發(fā)生在輸入信號突變時,因此 上升時間與上限頻率有關(guān) 。單級放大器的高頻響應(yīng):輸入信號:令:結(jié)論: 上升時間與上限頻率成反比,即 fH越高,上升響應(yīng)越快。 392 δ 與下限頻率 的關(guān)系 是指放大器在輸入信號突變到某固定值 以后輸出電壓的穩(wěn)定過程,所以 和下限 頻率有關(guān)。單 級放大器的 低頻響應(yīng) :輸入信號:令:δ 與下限頻率成正比,即 越低, δ 就越小。 393 設(shè)各級放大器的高頻電壓增益相同,則若各級具有不同的高頻極點頻率,則當(dāng)各級放大器的低頻增益相同時當(dāng)各級放大器的低頻增益不同時思路 :線性失真分兩類:幅度失真相位失真在幅頻特性中得到反映在相頻特性中得到反映對放大器的線性失真分析就轉(zhuǎn)化成 對放大器的頻率響應(yīng)分析幅頻響應(yīng)相頻響應(yīng)可以反映幅度失真可以反映相位失真兩者都可 轉(zhuǎn)化成 對 零極點因子 的幅頻特性和相頻特性分析和 疊加 ,從而得到 整個 放大器的頻率響應(yīng) .用波特圖表示對應(yīng) 關(guān)系1.線性失真及其分析方法本章小結(jié)一階零點 一階極點 原點處的零點 原點處的極點2.兩對 基本因子 的幅頻特性和相頻特性的 波特圖波特圖橫坐標(biāo) :頻率用對數(shù)刻度 . 優(yōu)點 :把一個較大的頻率范圍用一個 相對較小的坐標(biāo)范圍來描述縱坐標(biāo) :幅度 用 dB表示相位 用度表示理解波特圖的畫法 .忽略 發(fā)射區(qū)和集電區(qū)體電阻利用密勒定理將    等效到 輸入和輸出端忽略簡化簡化的混合 π型等效電路3. 三極管的 高頻混合 π型等效電路 373 效 應(yīng) 管的 高 頻 等效 電 路 ( 考慮場效應(yīng)管極間電容的影響 ) ( 1) JFET高 頻 等效 電 路( 2) MOSFET高 頻 等效 電 路( 3) MOSFET高 頻 等效 電 路 (襯 源短路 )JFET5.單級放大器的頻率響應(yīng)在分析頻率響應(yīng)時, 采用分頻區(qū)分析法 ,即劃分成低頻、中頻和高頻三個不同的區(qū)域進(jìn)行分析。(1)分析思路分頻區(qū)低頻區(qū) :考慮 C1,C2,Ce的作用 ( 極間電容視作開路)中頻區(qū): 所有電容效應(yīng)均不考慮。 (即 C1,C2,Ce視作短路,     極間電容視作開路)高頻區(qū): 考慮 極間電容 的作用。 ( C1,C2,Ce視作短路)特點: C C2和 Ce的容量較大 (以 μ F為單 位 ),而 的容量 較 小 (以 pF為單位 )A低頻區(qū)B中頻區(qū)C高頻區(qū)(2)分析 過程:D合成6.單級放大器( 三極管或 場效應(yīng)管 )的頻率響應(yīng) 分析思路和步驟( 1) 管子的高頻等效;( 2) 外電路的高頻等效;( 3) 找增益函數(shù)的頻響函數(shù)表達(dá)式,然后分頻區(qū)分析;( 4) 找上限截止頻率和下限截止頻率上限截止頻率 歸結(jié)為 求時間常數(shù), 等于 時間常數(shù)的倒數(shù);下限截止頻率 也歸結(jié)為 求時間常數(shù), 等于 時間常數(shù)的倒數(shù);簡化的 高頻 混合 π型等效電路H參數(shù)等效電路形式 簡化的 H參數(shù)等效電路( 忽略基調(diào)效應(yīng) )高頻低 /中頻JFET交流小信號等效電路 不考慮 rgs。JFETJFET高頻等效電路高頻低 /中頻MOSFET高 頻 等效 電 路 MOSFET高 頻 等效 電 路 (襯 源短路 )高頻低 /中頻MOSFET7.晶體管的高頻參數(shù)b.特征頻率c.共基截止頻率第 3章作業(yè):題號: 35  36(1)(3) 38 39 313(1)謝謝觀看 /歡迎下載BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH
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