igbt在電焊機(jī)中的應(yīng)用和rt4的推廣-資料下載頁
2025-01-01 00:32本頁面
【正文】 戶對(duì)他們的模塊的反應(yīng)并不是很好！這主要是因?yàn)樗麄兊哪K穩(wěn)定性不好！這就涉及到了 IGBT的另外一個(gè)性能—— 熱循環(huán)周次和功率循環(huán)周次。? 熱循環(huán)周次：在每次傳熱時(shí)， DCB和銅基板也會(huì)產(chǎn)生熱脹冷縮，因?yàn)榕蛎浡什煌?，長(zhǎng)時(shí)間后，就會(huì)使 DCB與銅基板接觸不良，使 IGBT失效。? 功率循環(huán)周次：綁定線，通過電流發(fā)熱后，會(huì)熱脹冷縮發(fā)生變形。在一定次數(shù)后就會(huì)出現(xiàn)裂紋，導(dǎo)致 IGBT失效。RT4模塊 與斯達(dá)模塊的比較RT4模塊 與宏微模塊的比較宏微在焊機(jī)應(yīng)用上主要有以下幾款：B系列 (ABB芯片）： MMG50S120B MMG75S120B MMG100S120B MMG100D120B MMG150D120BRT4模塊 與宏微模塊的比較50A的 RT4和宏微模 塊 的性能比 較 （如無特殊 說 明 Tj=125℃ ）型號(hào) MMG50S120B FF50R12RT4 結(jié)論封裝 34mm 34mm 散 熱 器安裝尺寸完全兼容。Ic 50A(Tc=80℃ ) 50A(Tc=100℃ ) RT4性能更好， 電 流能力更大。Vcesat(Ic=50A,Vge=15v,) RT4的 導(dǎo) 通 損 耗略高于宏微模 塊 。Tj(度） 150℃ 175℃ RT4性能更好， 熱 余量更大Rgon/off 18Ω 15Ω 驅(qū)動(dòng)電 阻推薦 值 差 別 不是很大， 驅(qū)動(dòng)電 路更改不大。Eon RT4的性能好，開關(guān) 損 耗低。Eoff 4mjRjc(IGBT) ，但其 175度的 結(jié) 溫可以保 證熱 余量 .Rjc(Diode) 并 聯(lián) 二極管 Vf(V) RT4反并 聯(lián) 二極管通 態(tài) 性能更好結(jié)論： RT4的各項(xiàng)性能幾乎都優(yōu)于宏微的模塊，用 RT4代替宏微的模塊只需更改驅(qū)動(dòng)電路，替代容易！RT4模塊 與宏微模塊的比較75A的 RT4和宏微模 塊 的性能比 較 （如無特殊 說 明 Tj=125℃ ）型號(hào) MMG75S120B FF75R12RT4 結(jié)論封裝 34mm 34mm 散 熱 器安裝尺寸完全兼容。Ic 75A(Tc=80℃ ) 75A(Tc=100℃ ) RT4性能更好， 電 流能力更大。Vcesat(Ic=75A,Vge=15v,) RT4的 導(dǎo) 通 損 耗略高于宏微模 塊 。Tj(度） 150℃ 175℃ RT4性能更好， 熱 余量更大。Rgon/off 15Ω 驅(qū)動(dòng)電 阻推薦 值 差 別較 大， 驅(qū)動(dòng)電 路要做更改。Eon RT4的性能更好，開關(guān) 損 耗小。Eoff Rjc(IGBT) ，但其 175度的 結(jié) 溫可以保證熱 余量。Rjc(Diode) 并 聯(lián) 二極管 Vf(V) RT4反并 聯(lián) 二極管通 態(tài) 性能更好。結(jié)論： RT4的各項(xiàng)性能幾乎都優(yōu)于宏微的模塊，用 RT4代替宏微的模塊只需更改驅(qū)動(dòng)電路，替代容易！RT4模塊 與宏微模塊的比較100A的 RT4和宏微模塊的性能比較 （如無特殊說明 Tj=125℃ ）型號(hào) MMG100S120B MMG100D120B FF100R12RT4 結(jié)論封裝 34mm 62mm 34mm100S與 RT4散 熱 器安裝尺寸完全兼容， 100D與 RT4的安裝尺寸不能兼容！Ic 100A(Tc=80℃ ) 100A(Tc=80℃ ) 100A(Tc=100℃ ) RT4性能更好，電流能力更大Vcesat(Ic=100A,Vge=15v,) RT4的 導(dǎo) 通 損 耗略高于宏微模 塊 。Tj(度） 150℃ 150℃ 175℃ RT4性能更好，熱余量更大Rgon/off 10Ω 10Ω 驅(qū)動(dòng)電 阻推薦 值 有差 別 ， 驅(qū)動(dòng)電 路需要更改！Eon RT4的性能更好，開關(guān) 損 耗小Eoff 9mjRjc(IGBT) ，但其 175度的結(jié)溫可以保證熱余量。Rjc(Diode) 并聯(lián)二極管 Vf(V) RT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好結(jié)論： RT4代替 100S只需對(duì)驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行修改，但代替 100D還需對(duì)散熱器進(jìn)行修改。RT4模塊 與宏微模塊的比較150A的 RT4和宏微模 塊 的性能比 較 （如無特殊 說 明 Tj=125℃ ）型號(hào) MMG150D120B FF150R12RT4 結(jié)論封裝 62mm 34mm 宏微模 塊 與 RT4的安裝尺寸不能兼容！Ic 150A(Tc=80℃ ) 150A(Tc=100℃ ) RT4性能更好， 電 流能力更大Vcesat(Ic=150A,Vge=15v,) 2V RT4的 導(dǎo) 通 損 耗略高于宏微模 塊 。Tj(度） 150℃ 175℃ RT4性能更好， 熱 余量更大Rgon/off 驅(qū)動(dòng)電 阻推薦 值 有差 別 ， 驅(qū)動(dòng)電 路需要更改！Eon RT4的性能更好，開關(guān) 損 耗小Eoff Rjc(IGBT) ，但其 175度的結(jié)溫可以保證熱余量。Rjc(Diode) 并 聯(lián) 二極管 Vf(V) RT4反并 聯(lián) 二極管通 態(tài) 性能更好結(jié)論： RT4代替宏微 150A的模塊需對(duì)驅(qū)動(dòng)電路和散熱器進(jìn)行修改。RT4模塊 與宏微模塊的比較 總的來說，宏微的 IGBT模塊的飽和壓降比較低，但是開關(guān)損耗比較大，與 RT4相比他的熱阻較低，但是 RT4能工作在 175℃ 的結(jié)溫，熱余量大。Thank You !Thank You !謝謝觀看 /歡迎下載BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH
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