【總結(jié)】天津冶金職業(yè)技術(shù)學(xué)院2020——2020學(xué)年第(二)學(xué)期期末考試《電力電子技術(shù)》試卷B班級(jí):電氣,電子專業(yè)姓名--------------------------------------------------------------------------------------
2024-10-18 13:09
【總結(jié)】1西安交通大學(xué)數(shù)字電子技術(shù)實(shí)驗(yàn)報(bào)告姓名:高加西班級(jí):電氣12學(xué)號(hào):21104010392ISE基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)一、設(shè)計(jì)要求1)通過(guò)使
2024-10-07 10:20
【總結(jié)】第1章電力電子器件填空題:________狀態(tài)。,電力電子器件功率損耗主要為_(kāi)_______,而當(dāng)器件開(kāi)關(guān)頻率較高時(shí),功率損耗主要為_(kāi)_______。,一般由________、________、________三部分組成,由于電路中存在電壓和電流的過(guò)沖,往往需添加________。,電力電子器件可分為_(kāi)_
2025-01-09 14:26
【總結(jié)】1章電力電子器件。,電力電子器件功率損耗主要為_(kāi)_通態(tài)損耗__,而當(dāng)器件開(kāi)關(guān)頻率較高時(shí),功率損耗主要為_(kāi)_開(kāi)關(guān)損耗__。,一般由__控制電路__、_驅(qū)動(dòng)電路_、_主電路_三部分組成,由于電路中存在電壓和電流的過(guò)沖,往往需添加_保護(hù)電路__。,電力電子器件可分為_(kāi)單極型器件_、_雙極型器件_、_復(fù)合型器件_三類。,承受反相電壓截止_。、_快恢復(fù)二極管_、_肖特基
2025-06-07 03:24
【總結(jié)】請(qǐng)認(rèn)真復(fù)習(xí)書(shū)上的習(xí)題及幻燈片上的習(xí)題:P22:1,3,9,14(a),17,18P48:1,3,8,12,16P115:8,14P156:7,8,14,17,18P211:1,2,6,8,16,P241:5,6,7,8,13,14P295:2,16,17,22以下供大家練習(xí):電路與電子技術(shù)模擬練習(xí)題一、判斷正誤(對(duì)者打√號(hào),錯(cuò)
2025-03-25 06:24
【總結(jié)】第2章電力電子器件3.圖1-43中陰影部分為晶閘管處于通態(tài)區(qū)間的電流波形,各波形的電流最大值均為Im,試計(jì)算各波形的電流平均值Id1、Id2、Id3與電流有效值I1、I2、I3。圖1-43晶閘管導(dǎo)電波形解:a)Id1==()ImI1==Imb)Id2==()ImI2==c)
2025-06-18 13:36
【總結(jié)】電力電子技術(shù)習(xí)題集標(biāo)*的習(xí)題是課本上沒(méi)有的,作為習(xí)題的擴(kuò)展習(xí)題一*試說(shuō)明什么是電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)及其作用。答:當(dāng)PN結(jié)通過(guò)正向大電流時(shí),大量空穴被注入基區(qū)(通常是N型材料),基區(qū)的空穴濃度(少子)大幅度增加,這些載流子來(lái)不及和基區(qū)的電子中和就到達(dá)負(fù)極。為了維持基區(qū)半導(dǎo)體的電中性,基區(qū)的多子(電子)濃度也要相應(yīng)大幅度增加。這就意味著,在大注入的條件下原始基片的電阻率實(shí)際上大大
2025-06-27 16:13
【總結(jié)】....電力電子技術(shù)答案2-1與信息電子電路中的二極管相比,電力二極管具有怎樣的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)才使得其具有耐受高壓和大電流的能力?答:,使得硅片中通過(guò)電流的有效面積增大,顯著提高了二極管的通流能力。,也稱漂移區(qū)。低摻雜N區(qū)由于摻雜濃度低而接近于無(wú)摻雜的純半導(dǎo)體材料即本征半導(dǎo)體,由于摻雜濃度低,低摻雜N區(qū)就可
2025-06-23 20:09
【總結(jié)】第1章電力電子器件1.使晶閘管導(dǎo)通的條件是什么?答:使晶閘管導(dǎo)通的條件是:晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓,并在門(mén)極施加觸發(fā)電流(脈沖)。或:uAK0且uGK0。2.維持晶閘管導(dǎo)通的條件是什么?怎樣才能使晶閘管由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷?答:維持晶閘管導(dǎo)通的條件是使晶閘管的電流大于能保持晶閘管導(dǎo)通的最小電流,即維持電流。要使晶閘管由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷,可利用外加電壓和
2025-06-18 13:41
【總結(jié)】電力電子技術(shù)試題1、請(qǐng)?jiān)诳崭駜?nèi)標(biāo)出下面元件的簡(jiǎn)稱:電力晶體管GTR;可關(guān)斷晶閘管GTO;功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET;絕緣柵雙極型晶體管IGBT;IGBT是MOSFET和GTR的復(fù)合管。2、晶閘管對(duì)觸發(fā)脈沖的要求是要有足夠的驅(qū)動(dòng)功率
2024-11-07 18:17
【總結(jié)】第1頁(yè)共73頁(yè)答案參見(jiàn)我的新浪博客:第1章直流電路1理想電流源的外接電阻越大,則它的端電壓()。(a)越高(b)越低(c)不能確定2理想電壓源的外接電阻越
2024-10-24 11:14
【總結(jié)】模擬電子技術(shù)第1章半導(dǎo)體二極管及其基本應(yīng)用1.1填空題1.半導(dǎo)體中有空穴和自由電子兩種載流子參與導(dǎo)電。2.本征半導(dǎo)體中,若摻入微量的五價(jià)元素,則形成N型半導(dǎo)體,其多數(shù)載流子是電子;若摻入微量的三價(jià)元素,則形成P型半導(dǎo)體,其多數(shù)載流子是空穴。3.PN結(jié)在正偏時(shí)導(dǎo)通反偏時(shí)截止,這種特性稱為單向?qū)?/span>
2025-06-23 22:43
【總結(jié)】第一章復(fù)習(xí)題?答:當(dāng)晶閘管承受正向電壓時(shí),僅在門(mén)極有觸發(fā)電流的情況下晶閘管才能導(dǎo)通。2.維持晶閘管導(dǎo)通的條件是什么?怎樣才能使晶閘管由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷?答:(1)維持晶閘管導(dǎo)通的條件是使晶閘管的電流大于能保持晶閘管導(dǎo)通的最小電流,即維持電流。(2)若要使已導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷,只能利用外加電壓和外電路的作用使流過(guò)晶閘管的電流降到接近于零的某一數(shù)值以下,即降到維持電流以下,便可使
2025-06-18 13:42
【總結(jié)】2-1與信息電子電路中的二極管相比,電力二極管具有怎樣的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)才使得其具有耐受高壓和大電流的能力?答:,使得硅片中通過(guò)電流的有效面積增大,顯著提高了二極管的通流能力。,也稱漂移區(qū)。低摻雜N區(qū)由于摻雜濃度低而接近于無(wú)摻雜的純半導(dǎo)體材料即本征半導(dǎo)體,由于摻雜濃度低,低摻雜N區(qū)就可以承受很高的電壓而不被擊穿。2-2.使晶閘管導(dǎo)通的條件是什么?答:使晶閘管導(dǎo)通的條件是:晶閘管承受正
2025-04-17 07:00
【總結(jié)】《電力電子技術(shù)》(??频诙?習(xí)題解答第1章思考題與習(xí)題?導(dǎo)通后流過(guò)晶閘管的電流和負(fù)載上的電壓由什么決定?答:晶閘管的導(dǎo)通條件是:晶閘管陽(yáng)極和陽(yáng)極間施加正向電壓,并在門(mén)極和陽(yáng)極間施加正向觸發(fā)電壓和電流(或脈沖)。導(dǎo)通后流過(guò)晶閘管的電流由負(fù)載阻抗決定,負(fù)載上電壓由輸入陽(yáng)極電壓UA決定。? 如何實(shí)現(xiàn)? 晶閘管處于阻斷狀態(tài)時(shí)其兩端的電壓大小由什么決定?答:晶閘管的關(guān)
2025-03-25 06:06