基于單片機(jī)的數(shù)控直流恒流源的設(shè)計(jì)畢業(yè)設(shè)計(jì)開題報(bào)告-資料下載頁
2025-08-06 08:51本頁面
【正文】 e onchip Flash Memory, the entire memory must be erased using the Chip Erase Mode.對(duì)應(yīng)的中文翻譯：?jiǎn)纹瑱C(jī)原理及應(yīng)用(AT89C51數(shù)據(jù)手冊(cè))特點(diǎn): ?兼容管委會(huì) 51 ?產(chǎn)品? 4千字節(jié)的在系統(tǒng)編程快閃記憶體耐力： 1 000寫/擦寫?完全靜態(tài)操作： 0赫茲至24兆赫?三個(gè)級(jí)別程式記憶體鎖? 128 8位內(nèi)部RAM ? 32個(gè)可編程I / O線?兩個(gè)16位定時(shí)器/計(jì)數(shù)器? 6個(gè)中斷源?可編程串行通道?低功耗閑置和掉電模式描述:該AT89C51的是一個(gè)低功耗，高性能的CMOS 8位單片機(jī)。4K字節(jié)的Flash可編程和可擦除唯讀記憶體。該AT89C51的規(guī)定，下列標(biāo)準(zhǔn)特點(diǎn)：4K字節(jié)的閃存， 128字節(jié)RAM ， 32 I / O線，兩個(gè)16位定時(shí)器/計(jì)數(shù)器，一個(gè)五向量?jī)蓚€(gè)級(jí)別的中斷結(jié)構(gòu)， 全雙工串行口，片上振蕩器和時(shí)鐘電路。引腳說明：VCC：電源電壓。 GND：接地。 Port0 :端口0是一個(gè)8位開漏雙向輸入/輸出端口。作為輸出端口，每個(gè)腳輸入8個(gè)TTL門。Prot1 :端口1是一個(gè)8位雙向輸入/輸出端口與內(nèi)部連接。 端口1輸出緩沖器可以吸收4個(gè)TTL輸入。 當(dāng)1S的信號(hào)給端口1管腳，可以用來作為輸入。作為輸入時(shí)， 端口1管腳被外部拉低，將源電流（最佳的效果）。端口2是一個(gè)8位雙向輸入/輸出端口與內(nèi)部連接。 端口第2輸出緩沖器可以吸收4端口的TTL門輸入。 當(dāng)1S的寫信號(hào)給端口第2腳，他們是拉偏高內(nèi)部連接 ，可以用來作為輸入。作為輸入， 端口第2腳被外部拉低，將源電流（最佳的效果） ，這是因?yàn)閮?nèi)部連接。 端口2放射出高階地址字節(jié)，在讀取從外部程序存儲(chǔ)器，并在通道外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器使用16位地址（ movx @ dptr ） 。在這個(gè)應(yīng)用，它利用強(qiáng)有力的內(nèi)部連接當(dāng)發(fā)光1S的。在訪問外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器使用8位地址（ movx @ RI ）等。Prot3: 端口3是一個(gè)8位雙向輸入/輸出端口與內(nèi)部連接 。 端口3輸出緩沖器可以吸收4個(gè)門的TTL輸入。 當(dāng)1S的是寫信號(hào)給端口3時(shí)，他們是拉偏高內(nèi)部連接 ，可以用來作為輸入。作為輸入， /psen 節(jié)目存儲(chǔ)，使是閱讀頻閃，以外部程序記憶體。當(dāng)發(fā)光1秒的。在訪問外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器使用第8位地址（ movx @里）等，端口2輸出了內(nèi)容的P2的的特殊功能寄存器。 端口2還得到高階地址位和一些控制信號(hào)在閃存編程和核查。 端口3是一個(gè)第8位雙向輸入/輸出端口與內(nèi)部連接 。 端口3輸出緩沖器可以吸收4個(gè)門的TTL輸入。 當(dāng)1秒的是寫信號(hào)給端口3時(shí)，他們是拉偏高內(nèi)部連接 ，可以用來作為輸入。作為輸入， 端口3管腳被外部拉低，將源電流（最佳的效果） ，這是因?yàn)樵撨B接 。 端口3 ，也是具有多種職能的各種特殊功能。該單片機(jī)作為列舉如下： 端口3還接收一些控制信號(hào)為閃存編程和核查，復(fù)位輸入。對(duì)這個(gè)引腳為第2個(gè)機(jī)器周期，而振蕩器運(yùn)行重置裝置。 地址鎖存使能輸出脈沖鎖存低字節(jié)該地址在訪問外部存儲(chǔ)器。這管腳也計(jì)畫脈沖輸入（方案號(hào)） ，在閃光編程。 在正常運(yùn)作的信號(hào)在恒定速率的1 / 6 振蕩器的頻率，并有可能被用于外部時(shí)機(jī)或者時(shí)鐘的目的。信號(hào)存儲(chǔ)，使是閱讀頻閃，以外部程序記憶體。，當(dāng)計(jì)算機(jī)閑置時(shí)終止，由硬件復(fù)位后，設(shè)備恢復(fù)正常程序執(zhí)行，從那里的不放過，最多兩個(gè)機(jī)器周期之前內(nèi)部復(fù)位算法控制。單晶片硬件抑制進(jìn)入內(nèi)部RAM在這種情況下，但進(jìn)入端口時(shí)，是不是抑制，消除的可能性，復(fù)位后，指示后，其中援引閑置不應(yīng)該是一個(gè)寫一個(gè)端口引腳或外部記憶體。 電源關(guān)閉模式：在電源關(guān)閉模式振蕩器被攔下，并指示說，引用掉電是最后指示執(zhí)行。該單晶片RAM和特殊功能寄存器留住他們，直到電源關(guān)閉模式時(shí)終止。唯一退出功率下降是一個(gè)硬件復(fù)位。 復(fù)位重新定義符合SFR ，但不改變單晶片內(nèi)存。復(fù)位不應(yīng)被激活之前的VCC是恢復(fù)到正常經(jīng)營(yíng)的程度，邏輯層次，在環(huán)境引腳采樣，并鎖定在復(fù)位。如果設(shè)備是動(dòng)力無復(fù)位，鎖存初始化一個(gè)隨機(jī)價(jià)值，并認(rèn)為值，直到復(fù)位被激活。這是必要的該鎖存價(jià)值的環(huán)境因素予以同意目前的邏輯層次上針，為了讓裝置適當(dāng)?shù)匕l(fā)揮作用。字節(jié)從內(nèi)部記憶體，環(huán)境采樣，并鎖存復(fù)位，并進(jìn)一步編程技術(shù)研究.編程閃存該AT89C51的通常是出貨與單晶片快閃存儲(chǔ)器陣列中抹去的國(guó)家（也就是內(nèi)容=的FFH ） 并準(zhǔn)備進(jìn)行編程。編程接口要么接受高電壓（ 12伏）或低電壓（ VCC的）計(jì)劃，低電壓編程模式提供了一種便捷的途徑編程AT89C51的內(nèi)部用戶的系統(tǒng)，而高壓編程模式，是與傳統(tǒng)的Flash或EPROM的程序員。 該AT89C51的是發(fā)運(yùn)，無論是與高電壓或低電壓編程模式開啟。該AT89C51的代碼存儲(chǔ)器陣列編程字節(jié)bybyte 無論是編程模式。編程任何nonblank 字節(jié)在單晶片快閃記憶體，整個(gè)記憶必須擦除使用芯片擦除模式。指導(dǎo)教師意見簽名： 月 日教研室意見教研室主任（簽章）： 月 日評(píng)審小組意見參加評(píng)審人員（簽字）： 月 日第 13 頁 共 13 頁
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