【正文】 中縱軸IC是流過三極管的集電極電流。圖中的每一條曲線代表一個基極電流IB值，實際上應(yīng)該是密密麻麻的，只是選擇了這14個做典型顯示出來。以下關(guān)于組合字符除首字符外其后跟的若干字符均為下標，文中不再加以下標顯示。直流電流放大倍數(shù)β的描述直流電流放大倍數(shù)β是指特性曲線區(qū)任一點對應(yīng)的IC電流和IB電流之比。如A點，IC=，IB=30μA，則其直流電流放大倍數(shù)β=IC/IB= mA /30μA =97；而B點，IC=，IB=45μA，則其直流電流放大倍數(shù)β=IC/IB= mA /45μA =100；可見。選擇不同的點，其直流電流放大倍數(shù)β也不盡相同。我們來感覺下C點和D點 _C點，IC=，IB=30μA，則其直流電流放大倍數(shù)β=IC/IB= mA /30μA =50；D點，IC=，IB=0μA，則其直流電流放大倍數(shù)β=IC/IB= mA /0μA224?！?；可見,選擇的點的位置不同，其得到的三極管的參數(shù)也不同，如β為50，97，100，∞等。其中，D點的計算結(jié)果∞是錯誤的，接下來會有所深入討論。這各個點如A、B、C、D，就稱為靜態(tài)工作點，用Q來表示，Q就是靜態(tài)工作點的含義。在ABCD四個Q點中，顯然，AB兩個Q點選擇的比較合適，具有較大的直流電流放大倍數(shù)，而CD點選擇的不合適。要想選擇相應(yīng)的Q點，需要兩個條件，一是所加的電壓UCE，二是確定基極電流IB，留待后續(xù)討論。晶體管的四個工作區(qū)域三極管直流電流放大倍數(shù)反映的是給定一個較小的基極電流IB，能獲得較大的集電極電流IC。我們說上面的A、B點選得合適，是因為其還具有較大的直流電流放大倍數(shù)，如果Q點選擇的不當，則直流電流放大倍數(shù)較小，如C點，甚至輸入一個特定的基極電流，反映出來的集電極電流無規(guī)律可尋，如D點。這就涉及到三極管的工作區(qū)域問題，我們把下圖左邊的區(qū)域稱飽和區(qū)，把下面的一段區(qū)域稱截止區(qū)，把右上區(qū)域稱擊穿區(qū)。把圖中三條紅線圍起來的區(qū)域稱放大區(qū)。飽和區(qū)的特點：反映出的直流電流放大系數(shù)較??；UCE電壓較低，隨著外加UCE的變化，分別有深度飽和區(qū)、淺飽和區(qū)和臨界飽和區(qū)。臨界飽和是那條通上右上的那條紅色直線上的各點，深度飽和是UCE很小，淺飽和區(qū)介于深度飽和和臨界飽和之間的點，飽和時的UCE電壓稱飽和電壓，用UCES表示，一般。截止區(qū)的特點： _是IB224。0，IC224。0，這時IC隨著IB 的變化不呈線性變化，IC≠βIB，且即使IB=0，IC≠0，這是因為三極管內(nèi)部BC結(jié)少數(shù)載流子作漂移運動產(chǎn)生的電流ICBO，這是二極管的漏電流，反映到三極管CE之間，稱基極開路集電極和發(fā)射極之間的飽和漏電流，簡稱漏電流，也叫穿透電流，用ICEO表示。擊穿區(qū)的特點：當UCE很大時，其集電極電流IC不再保持恒定，而是很快的的變大。這時的IC也不再隨著IB的變化而線性變化，而是隨UCE電壓的變高而迅速變大，此時如果不加以限制其電流的增大，容易損壞三極管，造成永久性擊穿（損壞）。放大區(qū)是研究模擬電子技術(shù)應(yīng)用的主要區(qū)域，介于三根紅色線條所圍起來的那個中間區(qū)域，這個區(qū)域的特點是，IC隨著IB的變化而線性變化，或者說集電極電流IC受基極電流IB所控制，而與集電極到發(fā)射極之間的電壓UCE無關(guān)，三極管要想正常處于放大狀態(tài)必須工作在這個區(qū)域，這是我們要研究的重點。第十四講 三極管基本放大電路的演變關(guān)于三極管的一些主要參數(shù)可參見相關(guān)書籍。這里給出一些三極管的參數(shù)名詞1：直流電流放大系數(shù)（或叫靜態(tài)電流放大系數(shù)，放大系數(shù)也叫放大倍數(shù)）β，注意符號β的上方有上劃線。描述的是集電極電流和基極電流的比值，在放大區(qū)內(nèi)近似為常數(shù)，大約在20~400范圍內(nèi)為合格，有些超β管子達到1000倍，β越大，其放大能力越強，但是會帶來其他負面影響，如擊穿電壓會偏低，漏電流會偏大，這都是不利的。三極管基區(qū)越窄，其發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子越容易越過基區(qū)到達集電區(qū)，其β就越大，顯然擊穿電壓就會降低；而發(fā)射區(qū)加大多數(shù)載流子的擴散量，其到達集電區(qū)的載流子數(shù)量就越多，β越大，此時在相同溫度下，本征激發(fā)的自由電子空穴對的數(shù)量也增多，當然其漏電流也增大。β=IC/IB（C和B為下標）2：交流電流放大系數(shù)（或叫動態(tài)電流放大系數(shù)）β，符號β的上方?jīng)]有上劃線。這是描述集電極電流變化量與基極電流變化量之比，在遠離截止區(qū)的放大區(qū)內(nèi)，其β與β近似相等相等。β=ΔIC/ΔIB（C和B為下標）或β=iC/ΔiB（C和B為下標）3：最大允許的集電極電流ICM（CM為下標）4：飽和壓降VCES（CES為下標）5：集電極耗散功率PCM（CM為下標）6：反向擊穿電壓，有三個，BVCEO（CEO為下標），BVCBO（CBO為下標），BVEBO（EBO為下標）說明一下：BVEBO這個參數(shù)較小，所有的管子大約不會超出4V~8V這個范圍，6V以下的稱齊納擊穿，6V以上的稱雪崩擊穿，6V左右的有的是齊納擊穿有的是雪崩擊穿，雪崩擊穿和齊納擊穿請參見相關(guān)書籍說明。高反壓管：一般將BVCEO大于100V的稱高反壓管，表示可以工作在高電壓下，如彩色電視機的視頻放大管要達到250V以上，彩色電視機的行輸出管要大于1500V等，大多數(shù)小功率管子在30V~50V。一個管子的BVCBO略大于BVCEO。7：反向飽和電流，有三個，ICES（CES為下標）、ICBS（CBS為下標）、IEBS（EBS為下標），其中ICES還叫穿透電流。該參數(shù)越小性能越好越好。三極管的放大電路是基于描述原理的結(jié)構(gòu)圖演變而來，我們來回顧下。 這就是基本放大電路的直流通路了。下一節(jié)對基本放大電路的直流通路的直流參數(shù)（也叫靜態(tài)參數(shù)）予以分析，到時要區(qū)別電路參數(shù)和三極管參數(shù)。第十五講：基本放大電路直流通路分析前面課程我們了解了三極管具有電流放大的作用，三極管在放大區(qū)其電流放大倒還不是主要的，重要的是能為人們做些貢獻，那么放大器就是三極管做貢獻的最好媒介。如果不是因為60年前美國某（貝爾？）實驗室研制出第一個三極管，那么龐大的真空電子管可能還沿用至今。前面的章節(jié)的最后一個圖就是三極管作為信號放大器的直流通路。我們先分析這個直流通路。通過對這個直流通路的分析，逐漸引入到能對輸入的信號予以放大，實現(xiàn)如何對著話筒喊話，能從喇叭（揚聲器）發(fā)出更大的聲音。 分解這個圖為下面兩個圖： 左邊這個圖的BE之間其實就是一個二極管，二極管的特性曲線我們沒有忘記，也就是三極管的輸入特性曲線。對左圖建立方程式；URB+UBE=VCCIB*RB+UBE=VCCIB= （1/RB）UBE+VCC/RB對二極管特性曲線即三極管的輸入特性曲線來說，IB是Y軸坐標，UBE是X軸坐標，上式等同于Y=aX+b乃二元一次方程，應(yīng)是一條直線，這條直線與X軸相交與VCC，與Y軸相交與VCC/RB。這條直線與輸入特性曲線的交點定義為Q點，稱靜態(tài)工作點，反映了當前管子工作的UBE==25uA電流。我們再對被分解的右邊那個圖做類似的分析。URC+UCE=VCCIC*RC+UCE=VCCIC= （1/RC）UCE+VCC/RC對三極管的特性曲線來說，IC為縱坐標，UCE為橫坐標，上式對應(yīng)為Y=aX+b，也是一條直線，該直線橫坐標對應(yīng)于VCC，縱坐標對應(yīng)于VCC/RC，如下圖。該直線URC+UCE=VCC與輸出特性曲線的IB=25uA曲線（由輸入特性曲線的IB確定）相交與Q點，該Q點指示UCE=，IC=。