探測(cè)器暗電流綜述報(bào)告-資料下載頁(yè)
2025-07-26 11:29本頁(yè)面
【正文】 圖3中,ILT曲線可用式(4)進(jìn)行解釋。溫度上升會(huì)使半導(dǎo)體材料帶隙變窄,可能導(dǎo)致Voc下降[2]。Rs主要是高阻區(qū)(低摻雜區(qū))體串聯(lián)電阻,在溫度較低時(shí),低摻雜區(qū)存在較嚴(yán)重的載流子凍結(jié)效應(yīng)[1],使材料電導(dǎo)率減小,電阻率或體電阻增加。在50～+ 20℃內(nèi),載流子凍結(jié)效應(yīng)隨著溫度的升高迅速減輕或消除,即Rs由低溫時(shí)的較大值逐漸減小,此時(shí)Rs的減小相對(duì)Voc的減小起主導(dǎo)作用,導(dǎo)致IL上升。在20～ 50℃內(nèi)載流子凍結(jié)效應(yīng)已基本消除,隨著溫度的升高Rs變化很小,Voc減小起主導(dǎo)作用,從而導(dǎo)致IL值基本不變或者略有下降。由于整機(jī)使用的工作條件在10～+ 50℃,而在室溫附近這一范圍內(nèi),圖3光電流的變化幅度足夠小( 10%),因此符合使用要求。暗電流穩(wěn)定性分析小結(jié)摻雜濃度、結(jié)面積、壓焊區(qū)尺寸、溫度、腐蝕速率和鈍化技術(shù)等都會(huì)對(duì)探測(cè)器的暗電流穩(wěn)定性的影響。要減小暗電流提高暗電流的穩(wěn)定性,少子壽命和材料摻雜濃度應(yīng)適當(dāng)提高,但過高的摻雜濃度會(huì)使器件的反壓過低,還會(huì)影響響應(yīng)速度和光靈敏度,因此材料電阻率的選取應(yīng)折中考慮；探測(cè)器反向偏壓下暗電流影響的探討表明,與電極壓焊區(qū)的大小及位置相關(guān)的表面漏電對(duì)探測(cè)器暗電流的影響不大；只在表面pn結(jié)SiO2層上覆蓋聚酰亞胺環(huán)形鈍化膜,在其他大面積pn結(jié)上不加聚酰亞胺鈍化膜,既解決了芯片表面鈍化問題,又保證了光電探測(cè)器的高光靈敏度；溫度上升會(huì)使半導(dǎo)體材料帶隙變窄,可能導(dǎo)致Voc下降[2]。Rs主要是高阻區(qū)(低摻雜區(qū))體串聯(lián)電阻,在溫度較低時(shí),低摻雜區(qū)存在較嚴(yán)重的載流子凍結(jié)效應(yīng)[1],使材料電導(dǎo)率減小,電阻率或體電阻增加，因此要讓探測(cè)器的暗電流穩(wěn)定，溫度適中和恒定也是影響因素之一。參考文獻(xiàn)[1] 高性能硅光電探測(cè)器設(shè)計(jì)及溫度特性研究_閆陽(yáng)[2] InGaAsPIN光電探測(cè)器的暗電流特性研究_郝國(guó)強(qiáng)[3] 低暗電流InGaAsPIN光電二極管_KatsuyaHasegawa[4] 具有低暗電流的全金屬化耦合封裝I_省略_As_InP平面PIN光電二極管_黃燕丹[5] 具有高量子效率_低暗電流_高可靠_省略_面InGaAs_PIN光電二極管_李保根[6] 雙異質(zhì)結(jié)擴(kuò)展波長(zhǎng)InGaAsPIN光電探測(cè)器暗電流研究_李成[7] 中心帶雪崩光電二極管的InGaAsPIN四象限探測(cè)器_石柱[8] 一種低暗電流高響度InGaAs_InPpin光電探測(cè)器_車相輝[9] APD微弱光電信號(hào)探測(cè)技術(shù)研究_趙慧玲[10] Ge_Si異質(zhì)結(jié)及其光電探測(cè)器特性研究_魏瑩[11] 半導(dǎo)體光電探測(cè)器中載流子輸運(yùn)過程研究_馬麗芹[12] 光電探測(cè)器特性一體化實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)研究_曲洪豐[13] 光探測(cè)器等效電路模型的建立與參數(shù)提取_許文彪[14] 硅基光電探測(cè)器的研究_周弘毅[15] 基于ADL5317雪崩二極管系統(tǒng)參數(shù)測(cè)試電路的設(shè)計(jì)_伍保
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