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正文內(nèi)容

單片機原理及應用(第1、2章微機基礎部分-)-資料下載頁

2025-07-25 02:18本頁面
  

【正文】 er – PC( Program Counter), ID, – DPTR(分為高 8位 DPH和低 8位 DPL),及其他 Rgs 8051單片機系統(tǒng)的存儲器結構 據(jù)存儲器地址空間結構分類 諾依曼 結構 哈佛結構 —— ROM與 RAM統(tǒng)一地址空間, —— ROM與 RAM分開地址空間, 0000H FFFFH ROM RAM 64K 諾依曼結構 0000H FFFFH RAM 64KB 哈佛結構 0000H FFFFH ROM 64K 8051單片機系統(tǒng)的存儲器結構 ? 從物理位置上分為片內(nèi)和片外存儲器 RAM和ROM。 ? 從用戶編程角度,可分為程序存儲器 ROM(片內(nèi)片外統(tǒng)一編址,片內(nèi) RAM( 00FFH),片外 RAM ? RAM和 ROM地址有重疊,必須用指令和控制ESPN信號指明。 片內(nèi) RAM 多少不定 8051單片機的存儲器結構 ? ROM – 片內(nèi) ROM和片外 ROM 統(tǒng)一編址 – 片外 ROM的尋址范圍由設計人員任意確定。 – 假定片內(nèi)有 4K的 ROM,其地址范圍是 00000FFFH,而這時候若片外擴展了 64KB的 ROM ? 若 EA=1,當尋址范圍小于等于 0FFH時,從片內(nèi)找,當尋址范圍大于 0FFFH時,從片外找 ? 若 EA=0,直接轉向片外 ROM 尋找 8051單片機的存儲器結構 ? RAM – 片內(nèi) RAM 地址 000FFH – 片外 RAM 地址范圍由設計人員任意確定,可從0000H0FFFFH。 – 程序使用不同的指令,如 MOVX, MOV來區(qū)分是要尋址片外還是片內(nèi)。 8051單片機的存儲器結構 ? 片內(nèi)高 128字節(jié)中常用的 SFR 堆棧及堆棧指針 ? 堆棧是存在于片內(nèi) RAM 的一片存儲器 ? 堆棧主要用于保護斷點和現(xiàn)場 ? 堆棧范圍有棧頂和棧底確定,棧底一般不變,棧頂用SP指針指向。 ? 向上生長型(棧頂?shù)刂繁葪5椎刂反螅┖拖蛳律L型 – 向上生長型,進棧時,先 SP 加 1,再壓入數(shù)據(jù),出棧時,先彈出數(shù)據(jù),再 SP減 1 – 向下生長型操作規(guī)則相反 I/O接口、定時器 /計數(shù)器 ? 兩個 16位定時器 /計數(shù)器 ? 4個并行口,很多有第二功能。 ? 一個串行口 ? 中斷系統(tǒng),用于實現(xiàn)多級中斷 8051引腳功能 ? 電源 Vcc, Vss, ? 復位 RST/備用電源 Vpd ? EA/Vpp(編程電壓) ? RD/WR, PSEN ? ALE/PROG(編程脈沖) ? 并行口 P0P3 ? 晶振入口 XTAL12 8051工作方式 ? 復位(注意各 SFR的初始值) ? 單步執(zhí)行 ? 程序執(zhí)行 ? 掉電和低功耗方式 – 片內(nèi)已設計有掉電后切換備用電源電路, – 可設置 SMOD相應位進入低功耗方式 ? 編程和校驗、加密 8051時序 ? 時鐘電路 – 內(nèi)部產(chǎn)生,需要外接振蕩器 – 由外部輸入穩(wěn)定脈沖做時鐘信號 8051時序 ? 節(jié)拍 P定義為振蕩脈沖的一個周期 – 狀態(tài) S=2P ? 機器周期 T=6S=12P, – 例如振蕩頻率為 6MHz時,一個機器周期為 2us ? 指令周期是指令執(zhí)行所需的時間。 – 51中,有一、二、四個機器周期指令 ? 各指令執(zhí)行時的時序(略)
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