低頻低噪聲高增益放大器-資料下載頁
2025-07-24 23:11本頁面
【正文】 。0,X,0,1,0=B0000110,B0000001,B11111111111111。0,X,0,0,1=B0000001,B0010010,B11111111111110。0,X,0,0,0=B0000001,B0010010,B11111111111110。 ENDTABLE。END。三,使用儀器和測(cè)試數(shù)據(jù)TDS2012型數(shù)字示波器DT9205型數(shù)字式萬用表GPS2303型穩(wěn)壓源EE1641D型函數(shù)信號(hào)發(fā)生器GOS620型模擬示波器PC機(jī)ALERA輔助開發(fā)板實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)當(dāng)輸入電壓均為5mV時(shí):放大倍數(shù) 輸出電壓(V)200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000 四,結(jié)束語對(duì)于本系統(tǒng)設(shè)計(jì),有些指標(biāo)還有待于進(jìn)一步提高.例如,在小信號(hào)輸入時(shí),噪聲相對(duì)較大.另外,最大輸出不失真電壓方面還有較大潛力可挖,這些都有待于我們通過電路的改進(jìn)和對(duì)元器件的最佳選擇來進(jìn)一步完善.主要介紹了C波段高增益低噪聲單片放大器的設(shè)計(jì)方法和電路研制結(jié)果。電路設(shè)計(jì)基于Agilent ADS微波設(shè)計(jì)環(huán)境,采用GaAs PHEMT工藝技術(shù)實(shí)現(xiàn)。為了消除C波段低噪聲放大器設(shè)計(jì)中在低頻端產(chǎn)生的振蕩,提出了在第三級(jí)PHEMT管的柵極和地之間放置RLC并聯(lián)再串聯(lián)電阻吸收網(wǎng)絡(luò)的方法,降低了帶外低頻端的高增益,從而消除了多級(jí)級(jí)聯(lián)低噪聲放大器電路中由于低頻端增益過高產(chǎn)生的振蕩。通過電路設(shè)計(jì)與版圖電磁驗(yàn)證相結(jié)合的方法,使本產(chǎn)品一次設(shè)計(jì)成功。本單片采用三級(jí)放大,工作頻率為5～6GHz,增益大于40dB,∶1,增益平坦度ΔGp≤177。,1dB壓縮點(diǎn)P1≥10dBm,直流電流小于90m
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