【正文】 周期 T 內(nèi)電熱絲消耗的電能量 為，對于 K 個控制周期而言，電熱絲所消耗的電能為TW=/nHf?。由此可見，改變每個控制周期內(nèi)通過電熱絲交流半周波的個2KP?數(shù)，就能改變電熱絲所消耗的電能，也就改變了加熱電熱絲的發(fā)熱量。為了實現(xiàn)可控硅的過零觸發(fā)，選用了帶過零檢測功能的光電耦合可控硅芯片MOC3031。MOC3031 將 AT89C52 輸出信號控制了可控硅，同時也使單片機部分與電網(wǎng)電壓之間進(jìn)行了可靠的隔離，以免產(chǎn)生干擾。驅(qū)動電路如圖 ：圖 干燥機驅(qū)動電路圖其中，R13 限流電阻，用以限制流過發(fā)光二極管的電流，SCR 為外接的雙向可控硅，C6 為濾波電容，用以濾掉交流電網(wǎng)中的高次諧波，MOC3031 保證可控硅 SCR 只要在交流電網(wǎng)電壓過零時導(dǎo)通。4 系統(tǒng)軟件的設(shè)計 主程序設(shè)計NYN開始LCD 初始化設(shè)置報警上下限值讀取溫度數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換、顯示溫度處理延時 10s復(fù)位鍵盤掃描？圖 主程序流程圖 DS18B20 的軟件設(shè)計 復(fù)位與讀、寫時序由于 DS18B20 是在一根 I/O 線上讀寫數(shù)據(jù)，對讀寫有著嚴(yán)格的時序要求，因此有通信協(xié)議來保證各位數(shù)據(jù)傳輸?shù)恼_性和完整性。DS18B20 的復(fù)位時序 GNDVDD214。247。187。162。179。246。184。180。206。187。194。246。179。229。238。208。161。480166。204。s238。180。243。960166。204。s1560166。204。s163。168。480166。204。s163。169。DS18B20211。166。180。240。163。168。60240166。204。s163。169。DS18B20181。200。180。253。214。247。187。181。196。238。182。204。189。211。202。213。202。177。188。228。....圖 復(fù)位時序復(fù)位要求主 CPU 將數(shù)據(jù)線下拉 500μs，然后釋放，DS18B20 收到信號后等待16－60μs 左右，后發(fā)出 60－240μs 低脈沖，主 CPU 收到此信號表示復(fù)位成功。DS18B20 的讀時序 NYNY讀取濕度數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換、顯示濕度處理延時 10sY結(jié)束OK/STOP?？執(zhí)行鍵盤相應(yīng)任務(wù)對于 DS18B20 的讀時序分為讀 0 時序和讀 1 時序兩個過程。讀時序是從單片機把單總線拉低之后，在 15μs 之內(nèi)就得釋放單總線，以 DS18B20把數(shù)據(jù)傳輸?shù)絾慰偩€上。DS18B20 在完成一個讀時序過程，至少需要 60us 才能完成。214。247。187。182。193。1202。177。188。228。GNDVDD214。247。187。182。193。0202。177。188。228。1166。204。s188。228。207。182。1166。204。s188。228。207。182。15166。204。s45166。204。s15166。204。s45166。204。s214。247。187。178。201。209。249。 214。247。187。178。201。209。249。....1166。204。s188。228。207。182。 圖 DS18B20 的讀時序DS18B20 的寫時序 對于 DS18B20 的寫時序仍然分為寫 0 時序和寫 1 時序兩個過程。對于 DS18B20 寫 0 時序和寫 1 時序的要求不同，當(dāng)要寫 0 時序時，單總線要被拉低至少 60us，保證 DS18B20 能夠在 15us 到 45us 之間能夠正確地采樣 IO 總線上的“0”電平，當(dāng)要寫 1 時序時，單總線被拉低之后，在 15us 之內(nèi)就得釋放單總線。 214。247。187。208。180。1202。177。188。228。GNDVDD214。247。187。208。180。0202。177。188。228。238。208。161。60166。204。s238。180。243。120166。204。s 1166。204。s188。228。207。182。1166。204。s188。228。207。182。15166。204。s 15166。204。s 30166。204。sDS18B20178。201。209。249。202。177。188。228。min tye max15166。204。s15166。204。s 30166。204。sDS18B20178。201。209。249。202。177。188。228。min tye max .... 圖 4. 4 DS18B20 的寫時序 操作命令介紹ROM 命令1）讀 ROM（33h）該命令允許從 DS18B20 芯片中讀出 8 位編碼、序列號和 8 位 CRC 碼，總線上只有一個 DS18B20 的時候才可用。2）匹配 ROM 命令（55h）該命令后跟 64 位 ROM 序列，可以在總線上找到一個唯一的 DS18B20，只有這個匹配的芯片才能響應(yīng)隨后的命令，而所有不匹配的芯片都等待復(fù)位，總線上有 1 個或多個器件時，都可以使用這個命令。3） 跳過 ROM 命令（CCh ）在總線上只有單芯片時，可以使用這條命令跳過 ROM 搜索，節(jié)省時間，如果有多個芯片，則會發(fā)生數(shù)據(jù)沖突。4） 搜索 ROM 命令（F0h ）當(dāng)不知道總線上有多少芯片和各芯片序列號時，這條命令采用排除法識別總線上的芯片的 64 位編碼。5） 報警搜索命令（ECh）最近一次測溫后，滿足報警條件的芯片，將響應(yīng)這條命令報警。DS18B20 的操作命令1）寫暫存器命令（4Eh）寫入開始地址為 TH（字節(jié) 2） ，隨后是 TL（字節(jié) 3）和配置字節(jié)（字節(jié) 4） ，所有寫入操作必須在 DS18B20 芯片復(fù)位之前完成。2）讀暫存器命令（BEh）該命令從字節(jié) 0 開始，一直讀完所有字節(jié)（字節(jié) 8） ，如果只需要讀取部分?jǐn)?shù)據(jù)，則可以使用復(fù)位命令終止。3）拷貝暫存器命令（48h）將暫存器內(nèi)容拷貝到 EEPROM 中。4）啟動溫度轉(zhuǎn)換命令（44h）啟動總線上的 DS18B20 進(jìn)行溫度轉(zhuǎn)換。5）讀 EEPROM 命令（B8h ）將 EEPROM 內(nèi)的數(shù)據(jù)讀回暫存器6）讀供電模式命令（B4h）若是寄生電源，芯片返回 0，若是外部電源，返回 1。 基本操作程序及流程圖（1）復(fù)位程序51 單片機發(fā)出復(fù)位脈沖后，總線上的所有 DS18B20 芯片都復(fù)位。void delay(unsigned int i) //延時函數(shù)，時鐘頻率為 { while(i)。 } reset(void) //復(fù)位 DS18B20 的函數(shù) { unsigned char x=0。DQ=1。 //使總線為高電平delay(8)。 //調(diào)用延時程序，延時一段時間DQ=0。 //使總線為低電平delay(80)。 //延時一段時間，至少 480usDQ=1。 //使總線為高電平delay(14)。 //延時一段時間，等待 DS18B20 回應(yīng)低電平x=DQ。 //將 DS18B20 的回應(yīng)讀到變量 x，用以判斷復(fù)位是否成功 //若 x 為 0 表示復(fù)位成功，否則不成功delay(20)。 //延時一段時間結(jié)束 }（2）讀字節(jié)程序 unsigned char readchar (void) //從 DS18B20 讀取一個字節(jié) { unsigned char i=0。 //位循環(huán)變量unsigned char temp=0。 //暫存變量for(i=8。i0。i) //讀位循環(huán){DQ=0。 //使總線為低電平temp=1。 //暫存變量右移DQ=1。 //使總線為高電平后，執(zhí)行如下的讀操作if(DQ) //如果 DS18B20 輸出高電平（總線電平為 1）temp|=0x08。 //將暫存變量的最高位置 1 delay(4)。 //延時一段時間} 程序return(temp)。 //程序結(jié)束后，將暫存變量返回調(diào)用程序 } （3）寫字節(jié)程序void writechar (unsigned char mand) //寫字節(jié)到 DS18B20 的程序{unsigned char i=0。 //設(shè)置位循環(huán)變量for(i=8。i0。i) //按位循環(huán){DQ=0。 //使總線為低電平DQ=mandamp。0x01。 //將發(fā)送字節(jié)的最低位送到總線delay(5)。 //延時一段時間，等待 DS18B20 取走總線數(shù)據(jù)DQ=1。 // 將總線拉高mand=1。 //將待發(fā)送的字節(jié)右移后，繼續(xù)發(fā)生}}（4）啟動溫度轉(zhuǎn)換程序reset()。 //復(fù)位 DS18B20writechar(0xcc)。 //向 DS18B20 發(fā)送跳過 ROM 搜素命令writechar(0x44)。 // 啟動一次轉(zhuǎn)換所有總線上連接的 DS18B20 都轉(zhuǎn)換，因為沒有 ROM 搜素命令（5）總線上只有一個 DS18B20 時的讀溫度程序reset ()。 //復(fù)位 DS18B20writechar (0xcc)。 // 發(fā)送跳過 ROM 搜素命令writechar (0xbe)。 // 發(fā)送讀命令data[0]=read()。 //讀溫度值低 8 位，高 4 位為整數(shù)部分，低 4 位為小數(shù)data[1]=read()。 //讀溫度值高 8 位，高 5 位為符號位，0 表示正數(shù)，1 表示 //負(fù)號，低 3 位溫度值（6）讀 ROM 程序reset ()。 //復(fù)位writechar (0x33)。 //讀 ROM 內(nèi)容操作for(i=0。i8。i++)s[i]=readchar ()。 //順序讀出 ROM 字節(jié)，將讀出的內(nèi)容賦予數(shù)組 s　　　//先讀出機器號 28，最后讀出校驗 CRC　　//例如，某 DS18B20 的 ROM 讀出為：28 75 15 13 01 00 00 D8（7）匹配 ROM 后，讀溫度值操作reset ()。 //復(fù)位writechar(0x55)。 //匹配 ROMfor(pp=0。pp8。pp++)writechar(tp1[pp])。 //寫 ROM 序列號的操作writechar(0xbe)。 //發(fā)送讀暫存器命令a0=readonechar()。 //讀溫度值低位字節(jié)a1=readonechar()。 //讀溫度值高位字節(jié) 發(fā) DS18B20 復(fù)位命令發(fā)跳過 ROM 命令發(fā)讀取溫度命令讀取操作，CRC 校驗9 字節(jié)完？CRC 校驗正確？移入溫度暫存器結(jié)束NYNY 圖 讀出溫度子程序流程圖計算小數(shù)位溫度 BCD 值計算整數(shù)位溫度 BCD 值開始結(jié)束溫度零下？溫度值取補碼置“”標(biāo)志 置“+”標(biāo)志NY 圖 4. 6 計算溫度子程序流程圖 HS1100 的程序設(shè)計HS1100 通過 555 振蕩器將電容轉(zhuǎn)換成頻率，通過計算出頻率就能測出濕度。555振蕩器的輸出接到 C52 單片機的 T0 口。計算頻率的程序如下：void Timer_Init (void) //定時器 T0、T1 初始化發(fā) DS18B20 復(fù)位命令發(fā)跳過 ROM 命令發(fā)溫度轉(zhuǎn)換開始命令結(jié)束圖 溫度轉(zhuǎn)換命令子程序流程圖 { EA=1。TMOD=0x25。ET0=1。ET1=1。TH0=0。TL0=0。 //T0 計數(shù)器清零TH1=Fclk/100(Fclk/1088)。TL1=Fclk/1008。TR0=1。 //打開 T0TR1=1。 //打開 T1}Timer1_Isr(void) interrupt1{uint count。TH1=Fclk/100(Fclk/1088)。TL1=Fclk/1008。count=TH08。count=count+TL0。 //10ms 內(nèi)計數(shù)方波的周期數(shù)f=1/()。 //得到方波的頻率，進(jìn)而求出濕度} 1602 的 C51 讀寫程序如下程序中，LRS 為信號 RS，L_RW 為信號 RW，L_EP 為信號 E，_ nop_（）是 C51 編譯器提供的 中的內(nèi)部函數(shù)。（1）液晶忙檢測程序bit yj_bz() //測試液晶忙狀態(tài)檢測函數(shù)，返回“位” 類型 {bit result。 //定義位變量L_RS = 0。 //L_RS=0 為讀寫命令，而不是數(shù)據(jù)L_RW = 1。 //L_RW=1 為讀操作，而不是寫操作L_EP = 1。 //L_EP=1，高電平使讀操作有效_nop_()。_nop_()。_nop_()。_nop_()。result = (bit