【正文】 0: 讀失敗。南昌工程學院本科畢業(yè)（論文）設計27static int NF_ReadPage ( unsigned int block, unsigned int page,unsigned char * buffer) {NF_RST ECC( ) 。 / * 初始化ECC * /NF_nFCE_L( ) 。 / * 片選NAND Flash 芯片* /NF_CMD( 0x00) 。 / * 從A 區(qū)開始讀* // * A0~ A7( 列地址) * /NF_ADDR( 0) 。/ * A9A16( 頁地址) * /NF_ADDR( blockPageamp。 0x ff) 。/ * A17A24, ( 頁地址) * /NF_ADDR( ( blo ckPag e 8) amp。0x ff) 。/ * A25, ( 頁地址) * /NF_ADDR( ( blo ckPag e 16)amp。0x ff) 。/ * 等待NAND Flash 處于再準備狀態(tài)* /ReadPag e( ) 。 / * 讀整個頁, 512 字節(jié)* /ReadECC( ) 。 / * 讀取ECC 碼* /ReadOOB( ) 。 / * 讀取該頁的OOB 塊* // * 取消NAND Flash 選中* /NF_nFCE_H( ) 。/ * 校驗ECC 碼, 并返回* /Return ( checkEcc( ) )} NAND FLASH 的編程功能: 對頁進行編程命令, 用于寫操作。命令代碼: 首先寫入00h( A 區(qū)) / 01h( B 區(qū)) / 05h( C區(qū)) , 表示寫入那個區(qū)。 再寫入80h 開始編程模式( 寫入模式) , 接下來寫入地址和數(shù)據(jù)。 最后寫入10h 表示編程結束。 為寫程序流程圖。第三章 NAND FLASH 擴展板的設計28參數(shù)說明: block, 塊號。 page, 頁號。 buff er, 指向內存中待寫入NAND Flash 中的數(shù)據(jù)起始位置。 返回值0, 寫錯誤, 返回值1, 寫成功。圖34 寫程序流程st atic int NF_WritePage( unsigned int block, unsigned int page,unsigned char * buffer ) {NF_RST ECC( ) 。 / * 初始化ECC * /NF_nFCE_L( ) 。 / * 片選NAND Flash 芯片* /NF_CMD( 0x0) 。 / * 從A 區(qū)開始寫* /NF_CMD( 0x80) 。 / * 寫第一條命令* // * A0~ A7( 列地址) * /NF_ADDR( 0) 。/ * A9A16( 頁地址) * /NF_ADDR( blockPageamp。 0x ff) 。/ * A17A24( 頁地址) * /NF_ADDR( ( blockPage 8) amp。0xff) 。/ * A25( 頁地址) * /NF_ADDR( ( blockPage 16)amp。0x ff) 。/ * 寫頁為512B 到NAND Flash 芯片* /南昌工程學院本科畢業(yè)（論文）設計29WRDATA( ) 。/ * OOB 一共16 字節(jié), 每一個字節(jié)存放什么由程序員自己定義, 在Byte0 Byte2 存ECC 檢驗碼, Byte6 存放壞塊標志* /WRDATA( ) 。 / * 寫該頁的OOB 數(shù)據(jù)塊* /CMD( 0x10) 。 / * 結束寫命令* /WAITRB( ) 。 / * 等待NAND Flash 處于準備狀態(tài)* // * 發(fā)送讀狀態(tài)命令給NAND Flash * /CMD( 0x70) 。if ( RDDAT A( )amp。0x1) {/ * 如果寫有錯, 則標示為壞塊, 取消NAND Flash 選中* /M arkBadBlock( block) 。return 0。} else {/ * 正常退出, 取消NAND Flash 選中* /return 1。} NAND FLASH 的擦除功能: 塊擦除命令。命令代碼: 首先寫入60h 進入擦寫模式, 然后輸入塊地址, 接下來寫入D0h, 表示擦寫結束。參數(shù)說明: block, 塊號。 返回值0, 擦除錯誤( 若是壞塊直接返回0。 若擦除出現(xiàn)錯誤則標記為壞塊然后返回0) ,返回值1, 成功擦除。Stat ic int NF_EraseBlock( unsigned int block) {/ * 如果該塊是壞塊, 則返回* /if( NF_IsBadBlock( block) ) return 0。NF_nFCE_L( ) 。 / * 片選NAND Flash 芯片* /NF_CMD( 0x60) 。 / * 設置擦寫模式* /第三章 NAND FLASH 擴展板的設計30/ * A9A16( Page Address) , 是基于塊擦除* /NF_ADDR( blockPageamp。 0x ff) 。NF_ADDR( ( block Page 8)amp。 0x ff) 。/ * A25( Page Address) * /NF_ADDR( ( block Page 16)amp。 0x ff) 。 NF_CMD( 0xd0)WAITRB( ) 。 CMD( 0x70) 。if( RDDATA ( )amp。0x1) { / * 如有錯, 標為壞塊, 取消Flash 選中* /Mark Bad Block( block) 。return 0。} else { / * 退出, 取消Flash 選中* /return 1。} 本章小結本章詳細地介紹了 NAND FLASH 硬件電路板的設計和 NAND FLASH 的驅動，并就 NAND FLASH 的工作原理、讀操作、編程和擦除操作進行了詳盡的分析。南昌工程學院本科畢業(yè)（論文）設計31第四章 NAND 擴展板的調試 硬件仿真注意事項使用 40 芯仿真電纜連接 51 study 和用戶目標板，則須要注意硬件資源的分配問題。51 study 硬件資源的分配情況：P1 口，可以完全使用，如果目標板上使用了 P1 口，運行用戶程序時,不用關心 51 study 上的狀態(tài)。P3 口， 和 已經連接了一個 RS232 電路，如果目標板上使用了RS232 通信，則可取下其上面的 RS232 轉換芯片，直接使用 51 study 上的RS232 通信電路即可。 已經連接了紅外遙控接收頭。如果不需要，可以取下 51 study 的紅外遙控輸入跳線冒。(TO),(T1), (WR,(RD)可正常使用。P0 口 和 P2 口，不能做為靜態(tài)口操作。地址分配情況如下： 0X00000X1FFF: 已使用0X20220X3FFF: 數(shù)碼管顯示驅動地址0X40000X5FFF: 未使用0X60000X7FFF：未使用0X80000XFFFF: 已使用 編程中遇到的問題在編寫程序中，端口狀態(tài)發(fā)生變化。因為調用某些庫程序可能會改變端口狀態(tài)，如果程序開始時端口狀態(tài)不對，則可能會異常。因此，在調用庫程序時，一定要考慮端口的狀態(tài)。動態(tài)掃描過程中, 數(shù)碼管顯示的亮度與驅動電流、點亮時間和關斷時間有關, 所以應當適當調整驅動電流大小和掃描頻率, 從而控制顯示所需要的亮度。這在驅動尺寸較大的數(shù)碼管組時更是如此，為了穩(wěn)定顯示，硬件方面必須達到該有的驅動能力，如在驅動端再接達林頓管等。軟件方面，應在實際的調第四章 NAND 擴展板的調試32試過程中不斷的嘗試，找到一個最佳臨界點，即要注意動態(tài)掃描的延時間隔和掃描次數(shù)。存儲器寫失敗錯誤，一般情況是存儲器寫保護引起，如果系統(tǒng)配置的是EEPROM 而且沒有寫保護，則可能是 EEPROM 損壞。需要注意的是：除了手動寫保護外，系統(tǒng)電源電壓不足會自動寫保護存儲器（低電源電壓報警點一般設置為 4V 左右），此時，電源報警及自動寫保護燈發(fā)亮（紅色) .在聯(lián)機編程中，6 聲短音報警：提示地址為 1000H1FFFH 錯,10 聲短音：提示地址在 2022H7FFFH 錯。其中 1000H1FFFH 錯誤可能由于軟件寫保護引起，因為通常情況下,為了保護系統(tǒng)庫程序不被損壞,用戶程序只允許在 0000H0FFFH 范圍內。系統(tǒng)提供了一種用戶 寫 1000H1FFFH 的方法：在編程 1000H1FFFH 前，先編程 即可。 本章小結 本章闡述了硬件仿真注意的事項，總結了在 NAND 擴展板調試時遇到的問題。南昌工程學院本科畢業(yè)（論文）設計33第四章 NAND 擴展板的調試34第五章 全文總結基于多功能單片學習機的 NAND FLASH 驅動包括兩部分：多功能單片學習機和 NAND FLASH 存儲器。本設計首先詳細地分析了多功能單片學習機的硬件電路，簡明扼要地闡述了其軟件設計分為上位機和下位機軟件設計兩部分。多功能單片學習機的硬件電路包括單片機 AT89S52 電路，數(shù)碼顯示電路，外部存儲器電路，外部存儲器的保護電路，鍵盤輸入電路，程序自動切換電路和電源電路等；然后，對 NAND FLASH 擴展板電路進行了詳盡地分析，NAND 擴展板的設計主要從 NAND 擴展板硬件電路設計和驅動兩方面闡述，并就 NAND FLASH 的工作原理、讀操作、編程和擦除操作進行了細致地代碼分析。南昌工程學院本科畢業(yè)（論文）設計35參考文獻[1] Yang S, Chen X, Alty L. 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