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正文內(nèi)容

基于at89c51單片機控制的八路溫度采集與顯示系統(tǒng)設(shè)計-資料下載頁

2025-06-27 17:26本頁面
  

【正文】 0Hz的靜態(tài)邏輯操作,并支持兩種軟件可選的節(jié)電工作模式??臻e方式停止CPU的工作,但允許RAM,定時/計數(shù)器,串行通信口及中斷系統(tǒng)繼續(xù)工作。掉電方式保存RAM中的內(nèi)容,但振蕩器停止工作并禁止其他所有部件工作直到下一個硬件復(fù)位。 AT89C51單片機引腳功能說明(1)Vcc:電源電壓;(2)GND:地;(3)P0口:P0口是一組8位漏極開路型雙向I/O口,也即地址/數(shù)據(jù)總線復(fù)用口。作為輸出口用時,每位能吸收電流的方式驅(qū)動8個TTL邏輯門電路,對端口寫“1”可作為高阻抗輸入端用。在訪問外部數(shù)據(jù)存儲器或程序存儲器時,這組口線分時轉(zhuǎn)換地址(低8位)和數(shù)據(jù)總線復(fù)用,在訪問期間激活內(nèi)部上拉電阻。在Flash編程時,P0口接收指令字節(jié),而在程序校驗時,輸出指令字節(jié),校驗時,要求外接上拉電阻。(4)P1口:P1口是一個帶內(nèi)部上拉電阻的8位雙向I/O口,P1的輸出緩沖級可驅(qū)動(吸收或輸出電流)4個TTL邏輯門電路。對端口寫“1”,通過內(nèi)部的上拉電阻把端口拉倒高電平,此時可做輸入口。做輸入口輸入時,因為內(nèi)部存在上拉電阻,某個引腳被外部信號拉低時會輸出一個電流(IIL)。Flash編程和程序校驗期間,P1接收低8位地址。(5)P2口:P2是一個帶有內(nèi)部上拉電阻的8位雙向I/O口,P2的輸出緩沖級可驅(qū)動(吸收或輸出電流)4個TTL邏輯門電路,對端口寫“1”,通過內(nèi)部的上拉電阻把端口拉倒高電平,此時可做輸入口,做輸入口使用時,因為內(nèi)部存在上拉電阻,某個引腳被外部信號拉低時會輸入一個電流(IIL)。在訪問外部程序存儲器或16位地址的外部數(shù)據(jù)存儲器(例如執(zhí)行MOVX@DPTR指令)時,P2口送出高8位地址數(shù)據(jù)。在訪問8為地址的外部數(shù)據(jù)存儲器(如執(zhí)行MOVX@R1指令)時,P2口線上的內(nèi)容(也即特殊功能寄存器SFR區(qū)中R2寄存器的內(nèi)容),在整個訪問期間不改變。Flash編程或校驗時,P2亦接受高位地址和其它控制信號。(6)P3口:P3口是一個帶有內(nèi)部上拉電阻的8位雙向I/O口,P3口的輸出緩沖級可驅(qū)動(吸收或輸出電流)4個TTL邏輯門電路。對端口寫“1”時,它們被內(nèi)部上拉電阻拉高并可作為輸入端。作輸入端時,被外部拉低的P3口將用上拉電阻輸出電流(IIL)。P3口除了作為一般的I/O口線外,更重要的用途是它的第二功能。 P3口第二功能端口引腳第二功能RXD(串行輸入口)TXD(串行輸出口)INT0(外部中斷0)INT1(外部中斷1)T0(定時/計數(shù)器0)T1(定時/計數(shù)器1)WR(外部數(shù)據(jù)存儲器寫選通)RD(外部數(shù)據(jù)存儲器讀選通)P3口還接收一些用于Flash閃速存儲器編程和程序校驗的控制信號(7)RST:復(fù)位輸入。當振蕩器工作時,RST引腳出現(xiàn)兩個機器周期以上高電平將使單片機復(fù)位。(8)ALE/WRPROG:當訪問外部程序存儲器或數(shù)據(jù)存儲器時,ALE(地址鎖存允許)輸出脈沖可用于鎖存地址的低八位字節(jié)。即使不訪問外部存儲器,ALE仍以時鐘振蕩頻率的1/6輸出固定的正脈沖信號,因此它可對外輸出時鐘或用于定時目的。要注意的是:每當訪問外部數(shù)據(jù)存儲器時將跳過一個ALE脈沖。對Flash存儲器編程期間,該引腳還用于輸入編程脈沖(WRPROG)。如有必要,可通過對特殊功能寄存器(SFR)區(qū)中的8EH單元的D0位置位,可禁止ALE操作。該位置置位后,只有一條MOVX和MOVC指令A(yù)LE才會被激活。此外,該引腳會被微弱拉高,單片機執(zhí)行外部程序時,應(yīng)設(shè)置ALE無效[8]。(9)PSEN:程序儲存允許(WRPROG)輸出是外部程序存儲器的讀選通信號,當AT89C51由外部程序存儲器取指令(或數(shù)據(jù))時,每個機器周期兩次WRPROG有效,即輸出兩個脈沖。在此期間,當訪問外部數(shù)據(jù)存儲器時,這兩次有效的PSEN信號不出現(xiàn)。(10)EA/VPP:外部訪問允許。欲使CPU僅訪問外部數(shù)據(jù)存儲器(地址為0000H—FFFFH),EA端必須保持低電平(接地)。需注意的是:如果加密位LB1被編成,復(fù)位時內(nèi)部會鎖存EA端狀態(tài)。如EA端為高電平(接Vcc端),CPU則執(zhí)行內(nèi)部程序存儲器中的指令。Flash存儲器編程時,該引腳加上+12V的編程允許電源Vpp,當然這必須是該器件使用12V編程電壓Vpp。(10)XTAL1:振蕩器反相放大器及內(nèi)部時鐘發(fā)生器的輸入端。(11)XTAL2:振蕩器反相放大器的輸出端。如需全文可聯(lián)系 253702
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