單片機(jī)原理與應(yīng)用答案第二版李建忠-資料下載頁
2025-06-27 13:27本頁面
【正文】 缺點(diǎn)：每一位段選線都接在一個(gè)I/o口上，因此每送一個(gè)段選碼，8位就顯示同一個(gè)字符，這種顯示器是不能用的。解決這個(gè)問題利用人眼的視覺停留，從段選線I/o口上按位分別送顯示字符的段選碼，在位控制口也按相應(yīng)的次序分別選通相應(yīng)的顯示位（共陰極送低電平，共陽極送高電平），選通位就顯示相應(yīng)字符，并保持幾毫秒的延時(shí)，未選通位不顯示字符（保持熄滅）。614）設(shè)計(jì)一個(gè)內(nèi)置HD44780驅(qū)動(dòng)控制器的字符型LCM與51單片機(jī)的接口電路，并編寫在字符型液晶顯示模塊顯示“HELLO”字符的程序。★P187圖616）ADC0809的8路輸入通道是如何選擇的？試舉例說明?！顰DDCADDBADDA選通的通道000 IN0000 IN1010 IN2011 IN3100 IN41 01 IN5110 IN6111 IN7617) 設(shè)有一個(gè)8路模擬量輸入的巡回檢測(cè)系統(tǒng)，使用中斷方式采樣數(shù)據(jù)，并依次存放在片內(nèi)RAM區(qū)從30H開始的8個(gè)單元內(nèi)。試編寫采集一遍數(shù)據(jù)的主程序和中斷服務(wù)程序。624）單片機(jī)控制大功率對(duì)象時(shí)，為什么要采用隔離器進(jìn)行接口？試編寫一些常用的光耦器件的型號(hào)。 ★由于繼電器由吸合到斷開的瞬間會(huì)產(chǎn)生一定的干擾，當(dāng)吸合電流較大時(shí)，在單片機(jī)與繼電器之間需要增加隔離電路。 4N25 ，4N26~4N28，TLP528,TLP124,TLP126,4N33,H11G1,H11GZ,H11G3625) 單片機(jī)與繼電器線圈接口時(shí)，應(yīng)注意什么問題？采取什么措施解決這些問題？★繼電器由吸合到斷開的瞬間會(huì)產(chǎn)生一定的干擾，因而使用于吸合電流很小的微型繼電器★當(dāng)吸合電流比較大時(shí)，在單片機(jī)與繼電器之間需要增加隔離電路。 82）51單片機(jī)能直接進(jìn)行處理的C51的數(shù)據(jù)處理類型有哪幾種？ ★在51單片機(jī)中，只有bit 和unsigned char 兩種直接支持機(jī)器指令。85）簡(jiǎn)述C51存儲(chǔ)類型與51單片機(jī)存儲(chǔ)空間的對(duì)應(yīng)關(guān)系？ 存儲(chǔ)類型與存儲(chǔ)空間的對(duì)應(yīng)關(guān)系Code 程序存儲(chǔ)器區(qū)，64kb,通過movc @A+DPTR訪問 Data直接尋址的片內(nèi)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)，128B,可在一個(gè)周期內(nèi)直接尋址 Bdata可位尋址的片內(nèi)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)，允許位和字節(jié)的混合尋址，16BIdata間接尋址的片內(nèi)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)，256B，可以訪問整個(gè)內(nèi)部地址空間256B Pdata分頁尋址片外數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)，256B，通過MOVX @Ri訪問（i=0,1） Xdata片外數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)，64KB，通過MOVX @DPTR訪問86）C51中51單片機(jī)的特殊功能寄存器如何定義？試舉例說明?！? Sfr sfr_name = int_constant ↓ ↓ ↓關(guān)鍵字 特殊功能寄存器名 整型常數(shù)，是sfr_name的字節(jié)地址例：sfr P0 =0x80。 /*P0,地址為80H*/88) C51中使用51單片機(jī)的位單元的變量如何定義？試舉例說明?！? Bit my_bit。 /*把my_bit定義為位變量*/ Bit done_flag =0。 /*把done_flag定義為位變量*/ 814）設(shè)fose=6MHz,。定時(shí)器溢出時(shí)采用中斷方式處理。 include Sbit P1_6=P1^6。 Void time(void) interrupt 1using 1 {P1_0=! P1_0。 TH0=15H。 TL0=96H。 } Void main (void) {TMOD=0x01。 P1_6=0。 TH0=15H。 TL0=96H。 EA=1。 ET0=1。 TR0=1。 Do {} while(1)。 }
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