avr教程系列一(8)：atmega16簡(jiǎn)介-資料下載頁
2025-06-25 06:03本頁面
【正文】 。/* 置位EEMWE */EECR |= (1EEMWE)。/* 置位EEWE 以啟動(dòng)寫操作*/EECR |= (1EEWE)。} 下面的例子說明如何用匯編和C 函數(shù)來讀取EEPROM，在此假設(shè)中斷不會(huì)在執(zhí)行這些函數(shù)的過程當(dāng)中發(fā)生。匯編代碼例程EEPROM_read:。 等待上一次寫操作結(jié)束sbic EECR,EEWErjmp EEPROM_read。 設(shè)置地址寄存器 (r18:r17)out EEARH, r18out EEARL, r17。 設(shè)置EERE 以啟動(dòng)讀操作sbi EECR,EERE。 自數(shù)據(jù)寄存器讀取數(shù)據(jù)in r16,EEDRretC 代碼例程unsigned char EEPROM_read(unsigned int uiAddress){/* 等待上一次寫操作結(jié)束 */while(EECR amp。 (1EEWE))。/* 設(shè)置地址寄存器*/EEAR = uiAddress。/* 設(shè)置EERE 以啟動(dòng)讀操作*/EECR |= (1EERE)。/* 自數(shù)據(jù)寄存器返回?cái)?shù)據(jù) */return EEDR。} 在掉電休眠模式下的EEPROM寫操作若程序執(zhí)行掉電指令時(shí)EEPROM 的寫操作正在進(jìn)行， EEPROM 的寫操作將繼續(xù)，并在指定的寫訪問時(shí)間之前完成。但寫操作結(jié)束后，振蕩器還將繼續(xù)運(yùn)行，單片機(jī)并非處于完全的掉電模式。因此在執(zhí)行掉電指令之前應(yīng)結(jié)束EEPROM 的寫操作。防止EEPROM 數(shù)據(jù)丟失若電源電壓過低，CPU 和EEPROM 有可能工作不正常，造成EEPROM 數(shù)據(jù)的毀壞( 丟失)。這種情況在使用獨(dú)立的EEPROM 器件時(shí)也會(huì)遇到。因而需要使用相同的保護(hù)方案。由于電壓過低造成EEPROM 數(shù)據(jù)損壞有兩種可能：一是電壓低于EEPROM 寫操作所需要的最低電壓；二是CPU 本身已經(jīng)無法正常工作。EEPROM 數(shù)據(jù)損壞的問題可以通過以下方法解決：當(dāng)電壓過低時(shí)保持AVR RESET信號(hào)為低。這可以通過使能芯片的掉電檢測(cè)電路BOD來實(shí)現(xiàn)。如果BOD 電平無法滿足要求則可以使用外部復(fù)位電路。若寫操作過程當(dāng)中發(fā)生了復(fù)位，只要電壓足夠高，寫操作仍將正常結(jié)束。ATmega16 I/O存儲(chǔ)器ATmega16所有的I/O及外設(shè)都被放置于I/O空間。所有的I/O位置都可以通過IN 與OUT指令來訪問，在32 個(gè)通用工作寄存器和I/O 之間傳輸數(shù)據(jù)。 地址為0x00 0x1F 的I/O 寄存器還可用SBI 和CBI 指令直接進(jìn)行位尋址，而SBIS 和SBIC 則用來檢查某一位的值。更多內(nèi)容請(qǐng)參見指令集。使用IN 和OUT 指令時(shí)地址必須在 0x00 0x3F 之間。如果要象SRAM 一樣通過LD 和ST 指令訪問I/O 寄存器，相應(yīng)的地址要加上0x20。為了與后續(xù)產(chǎn)品兼容，保留未用的未應(yīng)寫0，而保留的I/O 寄存器則不應(yīng)進(jìn)行寫操作。一些狀態(tài)標(biāo)志位的清除是通過寫1 來實(shí)現(xiàn)的。要注意的是，與其他大多數(shù)AVR 不同，CBI 和SBI 指令只能對(duì)某些特定的位進(jìn)行操作，因而可以用于包含這些狀態(tài)標(biāo)志的寄存器。CBI 與SBI 指令只對(duì)0x00 到0x1F 的寄存器有效。I/O 和外設(shè)控制寄存器在后續(xù)其他章節(jié)進(jìn)行介紹。 10 / 1
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