單片機復習題含答案-資料下載頁
2025-06-23 22:29本頁面
【正文】 AM 20H單元。 MOV DPTR,1000H MOV A,20H MOVX A,@DPTR （5）ROM 3000H單元的內(nèi)容傳送到R1。 MOV DPTR,3000H CLR A MOVC A,@A+DPTR MOV R1，A （6）ROM 2000H單元的內(nèi)容傳送到內(nèi)部RAM 30H單元。 MOV DPTR,2000H MOV A,30H MOVC A,@A+DPTR （7）ROM 2000H單元的內(nèi)容傳送到外部RAM 20H單元。 MOV DPTR,2000H CLR A MOVC A,@A+DPTR MOV R1，20H MOVX @R1，A 指出下列指令的源操作數(shù)的尋址方式及連續(xù)執(zhí)行后的結(jié)果。已知：（R0）=20H，且（20H）=0AH，（A）=1AH，（CY）=1，（27H）=0FFH，求(1） DEC @R0；間接尋址 (2)ADDC A,@R0；間接尋址（3）ANL A,27H；直接尋址 (4)MOV A,27H； 立即尋址 （5）CLR 。直接尋址 = x + x C+的程序 MOV A, MOV B, MUL AB 初始值為（A）=50H,(70H)=35H,(43H)=08H,在執(zhí)行完下面的程序段后，A、R70H單元、43H單元的內(nèi)容各為多少？ MOV 35H,A MOV A,@R1 MOV @R1,43H MOV 43H,35H MOV R1，78H (A)=35H,(R1)=78H,(70H)=35H 執(zhí)行以下程序段后，A和B的內(nèi)容各為多少？ MOV SP,3AH MOV A,20H MOV B,30H PUSH ACC PUSH B POP ACC POP B (A)=30H,(B)=20H 內(nèi)部存儲單元30H中有一個ASCII碼，試編程給該數(shù)的最高位加上奇偶校驗。 寫出完成下列操作的指令： （1）、累加器A的高4位清“0”，其余位不變； （2）、累加器A的低4位置“1”，其余位不變； （3）、累加器A的高4位取反，其余位不變； （4）、累加器A的內(nèi)容全部取反。 用移位指令實現(xiàn)累加器A的內(nèi)容乘以10的操作。 將內(nèi)部RAM單元20H開始的兩個單元中存放的雙字節(jié)十六進制數(shù)和內(nèi)部RAM30H單元開始的兩個單元中存放的十六進制數(shù)相減，結(jié)果存放在30H開始的單元中。 定時器T0已預置初值156，且選定用于方式計數(shù)工作方式，現(xiàn)在T0引腳上輸入周期固定為1ms的脈沖，問： （1）分析此時定時器T0的實際用途可能是什么？ （2）在什么情況下，定時器T0溢出？ 設晶振頻率為12MHz，定時器T0的初始化程序如下：MAIN：MOV TH0，0DH MOV TL0,@0D0H MOV TMOD,01H SETB TR0LOOP：JNB TF0，LOOP CLR TF0 CPL CJMP LOOP問：（1）該定時器工作于什么方式？ （2）相應的定時時間或計數(shù)值是多少？ 綜述定時器T0、定時器T1各有哪幾種工作方式？相應的方式特征與用法是什么？ 利用T0方式0產(chǎn)生2ms的定時。設單片機晶振頻率為12MHz。 利用T0方式1產(chǎn)生50ms的定時。其中高電平為50ms，低電平為100ms。設單片機晶振頻率為12MHz。 利用定時器T0門控位GATE，測試（）引腳上出現(xiàn)的正脈沖的寬度，并將脈沖的寬度存放在31H30H中。設單片機晶振頻率為12MHz。
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