【正文】 。EA／VPP：外部訪問允許。欲使CPU僅訪問外部程序存儲器（地址為0000H—FFFFH），EA端必須保持低電平（接地）。需注意的是：如果加密位LB1被編程，復位時內(nèi)部會鎖存EA端狀態(tài)。如EA端為高電平（接VCC端），CPU則執(zhí)行內(nèi)部程序存儲器中的指令。Flash存儲器編程時，該引腳加上+12V的編程允許電源Vpp，當然這必須是該器件是使用12V編程電壓Vpp。XTAL1：振蕩器反相放大器的及內(nèi)部時鐘發(fā)生器的輸入端。XTAL2：振蕩器反相放大器的輸出端。時鐘振蕩器：AT89C5l 中有一個用于構成內(nèi)部振蕩器的高增益反相放大器，引腳XTAL1 和XTAL2 分別是該放大器的輸入端和輸出端。這個放大器與作為反饋元件的片外石英晶體或陶瓷諧振器一起構成自激振蕩器，振蕩電路參見圖5。外接石英晶體（或陶瓷諧振器）及電容CC2接在放大器的反饋回路中構成并聯(lián)振蕩電路。對外接電容CC2雖然沒有十分嚴格的要求，但電容容量的大小會輕微影響振蕩頻率的高低、振蕩器工作的穩(wěn)定性、起振的難易程序及溫度穩(wěn)定性，如果使用石英晶體，我們推薦電容使用30pF177。10pF，而如使用陶瓷諧振器建議選擇40pF177。10F。用戶也可以采用外部時鐘。采用外部時鐘的電路如圖5右圖所示。這種情況下，外部時鐘脈沖接到XTAL1端，即內(nèi)部時鐘發(fā)生器的輸入端，XTAL2則懸空。由于外部時鐘信號是通過一個2分頻觸發(fā)器后作為內(nèi)部時鐘信號的，所以對外部時鐘信號的占空比沒有特殊要求，但最小高電平持續(xù)時間和最大的低電平持續(xù)時間應符合產(chǎn)品技術條件的要求?？臻e節(jié)電模式：AT89C51 有兩種可用軟件編程的省電模式，它們是空閑模式和掉電工作模式。這兩種方式是控制專用寄存器PCON（即電源控制寄存器）中的PD（）和IDL（）位來實現(xiàn)的。PD 是掉電模式，當PD=1 時，激活掉電工作模式，單片機進入掉電工作狀態(tài)。IDL是空閑等待方式，當IDL=1，激活空閑工作模式，單片機進入睡眠狀態(tài)。如需同時進入兩種工作模式，即PD和IDL同時為1，則先激活掉電模式。在空閑工作模式狀態(tài)，CPU保持睡眠狀態(tài)而所有片內(nèi)的外設仍保持激活狀態(tài)，這種方式由軟件產(chǎn)生。此時，片內(nèi)RAM和所有特殊功能寄存器的內(nèi)容保持不變。空閑模式可由任何允許的中斷請求或硬件復位終止。終止空閑工作模式的方法有兩種，其一是任何一條被允許中斷的事件被激活，IDL（）被硬件清除，即刻終止空閑工作模式。程序會首先響應中斷，進入中斷服務程序，執(zhí)行完中斷服務程序并緊隨RETI（中斷返回）指令后，下一條要執(zhí)行的指令就是使單片機進入空閑模式那條指令后面的一條指令。其二是通過硬件復位也可將空閑工作模式終止。需要注意的是，當由硬件復位來終止空閑工作模式時，CPU 通常是從激活空閑模式那條指令的下一條指令開始繼續(xù)執(zhí)行程序的，要完成內(nèi)部復位操作，硬件復位脈沖要保持兩個機器周期（24個時鐘周期）有效，在這種情況下，內(nèi)部禁止CPU訪問片內(nèi)RAM，而允許訪問其它端口。為了避免可能對端口產(chǎn)生意外寫入，激活空閑模式的那條指令后一條指令不應是一條對端口或外部存儲器的寫入指令。掉電模式：在掉電模式下，振蕩器停止工作，進入掉電模式的指令是最后一條被執(zhí)行的指令，片內(nèi)RAM 和特殊功能寄存器的內(nèi)容在終止掉電模式前被凍結。退出掉電模式的唯一方法是硬件復位，復位后將重新定義全部特殊功能寄存器但不改變RAM中的內(nèi)容，在Vcc恢復到正常工作電平前，復位應無效，且必須保持一定時間以使振蕩器重啟動并穩(wěn)定工作?？臻e和掉電模式外部引腳狀態(tài)程序存儲器的加密：AT89C51 可使用對芯片上的3 個加密位LBLBLB3 進行編程（P）或不編程（U）來得到如下表所示的功能加密位保護功能表：注：表中的U — 表示未編程，P — 表示編程當加密位LB1 被編程時，在復位期間，EA端的邏輯電平被采樣并鎖存，如果單片機上電后一直沒有復位，則鎖存起的初始值是一個隨機數(shù)，且這個隨機數(shù)會一直保存到真正復位為止。為使單片機能正常工作，被鎖存的EA 電平值必須與該引腳當前的邏輯電平一致。此外，加密位只能通過整片擦除的方法清除。Flash閃速存儲器的編程：AT89C51 單片機內(nèi)部有4k 字節(jié)的Flash PEROM，這個Flash 存儲陣列出廠時已處于擦除狀態(tài)（即所有存儲單元的內(nèi)容均為FFH），用戶隨時可對其進行編程。編程接口可接收高電壓（+12V）或低電壓（Vcc）的允許編程信號。低電壓編程模式適合于用戶在線編程系統(tǒng)，而高電壓編程模式可與通用EPROM編程器兼容。AT89C51單片機中，有些屬于低電壓編程方式，而有些則是高電壓編程方式，用戶可從芯片上的型號和讀取芯片內(nèi)的名字節(jié)獲得該信息，見下表。AT89C51的程序存儲器陣列是采用字節(jié)寫入方式編程的，每次寫入一個字節(jié)，要對整個芯片內(nèi)的PEROM程序存儲器寫入一個非空字節(jié)，必須使用片擦除的方式將整個存儲器的內(nèi)容清除。編程方法：編程前，須按表6和圖6所示設置好地址、數(shù)據(jù)及控制信號。－（11位地址范圍為0000H－0FFFH），數(shù)據(jù)從P0口輸入，、PSEN為低電平，RST保持高電平，EA／Vpp 引腳是編程電源的輸入端，按要求加上編程電壓，ALE／PROG引腳輸入編程脈沖（負脈沖）。編程時，可采用4－20MHz的時鐘振蕩器，AT89C51編程方法如下：1．在地址線上加上要編程單元的地址信號。2．在數(shù)據(jù)線上加上要寫入的數(shù)據(jù)字節(jié)。3．激活相應的控制信號。4．在高電壓編程方式時，將EA／Vpp端加上+12V編程電壓。5．每對Flash存儲陣列寫入一個字節(jié)或每寫入一個程序加密位，加上一個ALE／PROG編程脈沖。改變編程單元的地址和寫入的數(shù)據(jù)，重復1—5步驟，直到全部文件編程結束。每個字節(jié)寫入周期是自身定時的。數(shù)據(jù)查詢：AT89C51單片機用數(shù)據(jù)查詢方式來檢測一個寫周期是否結束，在一個寫周期中，如需讀取最后寫入的那個字節(jié)，則讀出的數(shù)據(jù)的最高位（）是原來寫入字節(jié)最高位的反碼。寫周期完成后，有效的數(shù)據(jù)就會出現(xiàn)在所有輸出端上，此時，可進入下一個字節(jié)的寫周期，寫周期開始后，可在任意時刻進行數(shù)據(jù)查詢。Ready／Busy：字節(jié)編程的進度可通過RDY／BSY輸出信號監(jiān)測，編程期間，ALE變?yōu)楦唠娖健癏”（RDY／BSY）端電平被拉低，表示正在編程狀態(tài)（忙狀態(tài)）。編程完成后。程序校驗：如果加密位LBLB2沒有進行編程，則代碼數(shù)據(jù)可通過地址和數(shù)據(jù)線讀回原編寫的數(shù)據(jù)，采用下圖的電路，程序存儲器的地址由P1 和P2 －，數(shù)據(jù)由P0口讀出，、PSEN保持低電平，ALE、EA和RST保持高電平。校驗時，P0口須接上10k左右的上拉電阻。表6 Flash 存儲器編程真值表注：片擦除操作時要求PROG脈沖寬度為10ms圖5編程電路 圖6校驗電路 加密位不可直接校驗，加密位的校驗可通過對存儲器的校驗和寫入狀態(tài)來驗證。Flash存儲器編程和校驗時序圖7（高電壓編程）和圖8（低電壓編程）。Flash存儲器編程和校驗的波形時序（高電壓編程VPP=12V）Flash存儲器編程和校驗的波形時序（低電壓編程VPP=5V）芯片擦除：利用控制信號的正確組合（表6）并保持ALE／PROG引腳10mS 的低電平脈沖寬度即可將PEROM 陣列（4k字節(jié)）和三個加密位整片擦除，代碼陣列在片擦除操作中將任何非空單元寫入“1”，這步驟需再編程之前進行。讀片內(nèi)簽名字節(jié)：AT89C51 單片機內(nèi)有3 個簽名字節(jié)，地址為030H、031H 和032H。用于聲明該器件的廠商、型號和編程電壓。讀簽名字節(jié)的過程和單元030H、031H及032H的正常校驗相仿，返回值意義如下：（030H）=1EH聲明產(chǎn)品由ATMEL公司制造。（031H）=51H聲明為AT89C51單片機。（032H）=FFH聲明為12V編程電壓。（032H）=05H聲明為5V編程電壓。編程接口：采用控制信號的正確組合可對Flash 閃速存儲陣列中的每一代碼字節(jié)進行寫入和存儲器的整片擦除，寫操作周期是自身定時的，初始化后它將自動定時到操作完成。Flash編程和校驗特性TA=0℃ to 70℃，Vcc=177。10%注：僅用于12V編程模式AT89C51的極限工作參數(shù)：極限參數(shù)直流特性：TA=40℃ to 85℃，Vcc=177。20%（unless otherwise noted）注：1. 在穩(wěn)定狀態(tài)（無輸出）條件下，IOL有以下限制：每一引腳最大IOL：10mA每一8位端口：P0口：26mA，PP2和P3：15mA全部輸出引腳最大IOL：71mA2. 掉電模式的最小Vcc為2V交流特性：在以下條件下，P0口ALE／PSEN，PSEN的負載電容為100pF，其他輸出口負載電容為80pF。外部程序存儲器讀周期外部數(shù)據(jù)存儲器讀周期外部時鐘驅(qū)動波形外部時鐘驅(qū)動特性串行口時序：移位寄存器測試條件（Vcc=177。20%；負載容抗=80pF）移位寄存器時序波形注： 邏輯0，時序測試在VIH為最小值和VIL為最大值 時測量。注：在浮空狀態(tài)下，端口引腳在負載出現(xiàn)100mV電壓變化即為浮空，也即當一個端口電壓從VOH到VOL變化時出現(xiàn)100mV電壓時為浮空