疊層有機(jī)發(fā)光器件的性能優(yōu)化本科畢業(yè)論文-資料下載頁(yè)
2025-06-18 12:54本頁(yè)面
【正文】 減弱，最終消失， NPB 的特征發(fā)射峰強(qiáng)度逐漸增強(qiáng)，達(dá)到飽和， NPB 的 HOMO 峰和 VL 都沒(méi)有發(fā)生移動(dòng)，表明 NPB/Mg:Bphen 界面沒(méi)有能級(jí)彎曲和界面偶極現(xiàn)象。再進(jìn)一步通過(guò)分析價(jià)帶（或 HOMO ）、 VL 和元素內(nèi)層電子 XPS 峰的化學(xué)位移，可以確定界面處的能級(jí)彎曲。在 MoO3/Mg:Bphen 界面，分析出MoO3中Mo 3d, O 1s, VL和 Mg：Bphen 中 C 1 s和 HOMO 的相對(duì)偏移量。隨著 MoO3 厚度的增加，在 MoO3/Mg:Bphen 界面， MoO3 eV,另一側(cè)Mg:Bphen 的 HOMO eV。NPB/MoO3 界面也存在著類似能帶彎曲現(xiàn)象。 Bphen/Mg:Bphen/MoO3/NPB 界面能帶圖 NPB/MoO3/Mg:Bphen/Bphen 的界面能級(jí)排布。能級(jí)中的 HOMO （或價(jià)帶）位置可以從 UPS 譜中直接得到， LUMO （或?qū)В┪恢每梢杂貌牧系慕麕拵p去 HOMO （或價(jià)帶）能級(jí)得出。 Bphen， Mg：Bphen, NPB 和MoO3 , , eV。，Mg:Bphen和MoO3 是 n 型半導(dǎo)體材料， NPB 是 P 型半導(dǎo)體有機(jī)材料，因此內(nèi)部連接層NPB/MoO3/Mg:Bphen 實(shí)際上是一個(gè) p/n/n 異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)。連接層中 MoO3 能有效的調(diào)節(jié)能級(jí)排布，產(chǎn)生界面偶極和能帶彎曲，使其與相鄰的 Mg:Bphen 和 NPB 的能級(jí)匹配。在外界電場(chǎng)作用下， NPB/MoO3 界面產(chǎn)生的電子能有效地從界面?zhèn)鬏數(shù)組oO3 的導(dǎo)帶， eV，接著電子又非常容易的注入到 Mg：Bphen 的 LUMO 上。而且，一方面 Bphen 和 Mg+ 有可能成為產(chǎn)生的載流子來(lái)源之一，另一方面由于 Mg：Bphen 的 HOMO 能級(jí)比 Bphen 的低，可以阻止來(lái)自陽(yáng)極一側(cè)的空穴直接跳到相鄰的第二個(gè)發(fā)光單元，避免了空穴漏電流的產(chǎn)生。因此， NPB/MoO3/Mg:Bphen/Bphen 是一種非常高效地疊層器件內(nèi)部連接層結(jié)構(gòu)[20 21 22]。綜上所述， NPB/MoO3/Mg:Bphen/Bphen 具有優(yōu)異的能級(jí)排布，在外界電場(chǎng)作用下， NPB/MoO3 界面產(chǎn)生的載流子能夠有效地注入到相鄰的發(fā)光單元中。因此，Mg:Bphen 和 MoO3 在內(nèi)部連接層中起著至關(guān)重要的作用。將以上四張圖（）進(jìn)行對(duì)比分析，與實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證結(jié)果一致。在以上四種雙層疊層結(jié)構(gòu)中：第四種結(jié)構(gòu)ITO/NPB(40nm)/Alq3(20nm)/Bphen(40nm)/10%Mg:Bphen(10nm)/MoO3(5nm)/NPB(40nm)/Alq3(20nm)Bphen(40nm)/LiF()/Al(100nm) 具有最高的發(fā)光強(qiáng)度和最低的開啟電壓。所以說(shuō)：內(nèi)部連接層 Mg:Bphen 和 MoO3 確實(shí)是最好的中間傳輸層。綜上所述：（1） 雙層的疊層器件的電流效率是比單層的要好，可以提高到原來(lái)的2倍，但是開啟電壓也同時(shí)增大到原來(lái)的2倍。（2） 這時(shí)候，如果摻入合適的中間連接層，不僅可以降低疊層以后器件的開啟電壓，而且還進(jìn)一步提高了電流效率。（3） 在所有中間連接層中 Mg：Bphen 加 MoO3 的效果最好， 單獨(dú)的 MoO3 其次，單獨(dú)的 Mg：Bphen 再次。（4） 雖然優(yōu)異的中間連接層確實(shí)降低了疊層器件的開啟電壓，提高了疊層器件的電流效率，但是同時(shí)也出現(xiàn)了微共振腔效應(yīng)。產(chǎn)生了色度漂移，使得色坐標(biāo)發(fā)生改變。（5） 在疊層的基本單元中就摻入綠光材料 C545T 又可以更進(jìn)一步的提高電流效率。第六章：實(shí)驗(yàn)的優(yōu)缺點(diǎn)及其評(píng)價(jià)： 實(shí)驗(yàn)設(shè)備先進(jìn)，并且使用高品質(zhì)，高性能的實(shí)驗(yàn)材料。為實(shí)驗(yàn)的成功提供了強(qiáng)有力的物質(zhì)基礎(chǔ)與技術(shù)支持； 實(shí)驗(yàn)對(duì)比性強(qiáng)，依次從單層到疊層，再到摻雜加疊層，共分三個(gè)層次，每一層內(nèi)部以及層與層之間都進(jìn)行對(duì)比，層次清晰，目的明確； 實(shí)驗(yàn)的理論構(gòu)想能與實(shí)驗(yàn)緊密相連，并且對(duì)每一個(gè)疊層結(jié)構(gòu)的具體實(shí)驗(yàn)結(jié)果，都進(jìn)行了理論分析與實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。闡述時(shí)圖文并茂，使得實(shí)驗(yàn)結(jié)論更加合理可靠； 實(shí)驗(yàn)思路具有廣泛的應(yīng)用性，結(jié)合有機(jī)發(fā)光二極管（ OLED )的實(shí)際市場(chǎng)需求,并且考慮到了如果投入運(yùn)用后的實(shí)際情況，通用性強(qiáng)。: 在實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的處理過(guò)程中，運(yùn)用了 Matlab 和Excel 兩個(gè)軟件工具，但在制作Origin ，為了美化起見，數(shù)據(jù)取到小數(shù)點(diǎn)后三位。所以，處理的過(guò)程中可能會(huì)存在稍微的一點(diǎn)偏差。 在實(shí)驗(yàn)過(guò)程中，由于受到機(jī)時(shí)的限制，將一些次要的因素忽略，例如溫度對(duì)真空鍍膜的影響，從而可能導(dǎo)致能級(jí)發(fā)生一定的漂移。在實(shí)驗(yàn)的過(guò)程中已盡量注意控制，但尚存在一些微擾影響。：實(shí)驗(yàn)從單層標(biāo)準(zhǔn)器件入手，依次蒸鍍了疊層器件，摻入MoO3 、Mg:Bphen、Mg:Bphen 再加入MoO3 ，最后改變基本結(jié)構(gòu)，使用了既疊層又摻雜的器件結(jié)構(gòu)。取得了最佳的實(shí)驗(yàn)效果，并對(duì)先后實(shí)驗(yàn)進(jìn)行對(duì)比，以后的實(shí)驗(yàn)起到了很好的范例作用。對(duì)于實(shí)驗(yàn)結(jié)果，還分別進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證和理論分析，得出的結(jié)果一致。因此，可以說(shuō)此次實(shí)驗(yàn)是非常成功的。參考文獻(xiàn)[1] J. X. Tang, M. K. Fung, C. S. Lee, S. T. Lee, “Interface studies of intermediate connectors and their roles in tandem OLEDs”, Journal of Materials Chemistry 2010, 20(13), 25392548. [2] J. X. Tang*, M. K. Fung, C. S. Lee, S. T. Lee, “Interface Study of the Intermediate Connectors in Tandem Organic Devices”, Journal of Information Display 2010, 11(1), 17. [3] Y. Q. Li, J. X. Tang, X. Y. Xie, L. S. Hung, and S. S. Lau, “An efficient organic lightemitting diode with silver as electrodes”, Chemical Physics Letters 2004, Vol. 386, Page 128 – 131.[4] Yanqing Li, Man Keung Fung, Zhiyuan Xie, ShuitTong Lee, LiangSun Hung, and Jianmin Shi, “An efficient
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