發(fā)電機(jī)的勵磁限制與保護(hù)的配合整定-資料下載頁
2025-06-18 07:17本頁面
【正文】 變和系統(tǒng)阻抗標(biāo)幺值，在PQ平面上，計算的發(fā)電機(jī)靜穩(wěn)圓坐標(biāo)和半徑為：Sc= （10）Sr= （11）對于凸極發(fā)電機(jī)，靜穩(wěn)臨界可以用圓來擬合，其失磁保護(hù)阻抗判據(jù)一般為蘋果圓，如果在PQ平面整定校核，可以用可靠包圍蘋果圓的圓來擬合，再映射至PQ平面。第二步，確定低勵限制，發(fā)電機(jī)靜穩(wěn)圓要求越嚴(yán)格，并考慮20%的靜穩(wěn)儲備系數(shù)，靜穩(wěn)圓與P正半軸和Q負(fù)半軸相交的點(diǎn)表示為，以此兩點(diǎn)來確定低勵限制線，低勵限制點(diǎn)或直線應(yīng)保持在這條線的附近。P正半軸：Q負(fù)半軸：U2/根據(jù)進(jìn)相試驗(yàn)結(jié)論對比校核，如果低勵限制與之沖突，調(diào)整低勵限制；用式（12）計算在最低廠用電壓為95%Ue時的進(jìn)相深度S，S應(yīng)略低于與低勵限制最低點(diǎn)。 （12）第三步，用式（8）、（9）將失磁保護(hù)阻抗圓映射至PQ平面第四步，在PQ平面上，將低勵限制、靜穩(wěn)圓、失磁保護(hù)圓按同一比例作圖，分析配合關(guān)系的正確性。167。 計算實(shí)例167。 機(jī)組參數(shù)300MW機(jī)組，參數(shù)如下：發(fā)電機(jī)額度容量Sg： 353MVA；主變額定容量St： 370MVA；發(fā)電機(jī)同步電抗Xd： %；發(fā)電機(jī)暫態(tài)電抗Xd’： %：變壓器電抗Xt： %；系統(tǒng)電抗Xs（100MVA,最大方式）： ；系統(tǒng)電抗Xs（100MVA,最小方式）： ；機(jī)端電壓Un：20kV；TA變比nTA： 15000/5；TV變比nTV： 20/。167。 參數(shù)有名值計算Xb=Un2*nTA/(Sg*nTV)=202*3000/(353*200)=(發(fā)電機(jī)基本阻抗)。Xt=Xt*Sg/St=*353/370= (標(biāo)幺值)Xs（?。?Xs*Sg/100 =*353/100= (標(biāo)幺值)Xs（大）=Xs*Sg/100 =*353/100= (標(biāo)幺值)Xd= (標(biāo)幺值)Xd’= (標(biāo)幺值)167。 校核步驟、內(nèi)容低勵限制整定1） 整定靜穩(wěn)圓在PQ平面可用式（1）表示 (1)，靜穩(wěn)圓的圓心和半徑為 Sc===Sc===靜穩(wěn)圓由上式可知，機(jī)端電壓越低，發(fā)電機(jī)越易失去靜穩(wěn)，按規(guī)定，機(jī)端或高壓廠用電最大偏差不能大于177。5%，發(fā)電機(jī)靜穩(wěn)圓要求越嚴(yán)格，并考慮20%的靜穩(wěn)儲備系數(shù)，靜穩(wěn)圓與P正半軸和Q負(fù)半軸相交的點(diǎn)表示為：P正半軸：==Q負(fù)半軸：U2/=（*）=，兩點(diǎn)確定的直線為：K=，b=即 Q=低勵限制的整定的五個點(diǎn)應(yīng)該保持在直線附近或上方，且應(yīng)該保證發(fā)電機(jī)具有一定的進(jìn)相深度，但不能與進(jìn)相試驗(yàn)的結(jié)論沖突，取：P=,Q=。P=,Q=。P=,Q=。P=,Q=。P=,Q=。2）校核與進(jìn)相試驗(yàn)結(jié)論校核，發(fā)電機(jī)進(jìn)相試驗(yàn)結(jié)論為：30MVar/300MW, 50MVar/250MW, 70MVar/210MW即：P=,Q=；P=,Q=；P=,Q=，與上述的低勵限制整定沒有沖突。原低勵限制定值為：P=,Q=。P=,Q=。P=,Q=。P=,Q=。P=,Q=。與進(jìn)相試驗(yàn)有沖突，且低勵限制線在有功較大時進(jìn)相深度太大，沒有一定靜穩(wěn)儲備系數(shù)，不合理。用機(jī)端電壓校核，機(jī)端電壓可用下式表示 （2）當(dāng)U=，解下面的方程，得：Q=,有一定的裕度，進(jìn)相運(yùn)行時對機(jī)端或廠用電不會構(gòu)成威脅。167。 失磁保護(hù)異步圓校核阻抗圓映射至PQ平面失磁保護(hù)阻抗圓定值為：Xa=Xb=Zr=(+)/2= {半徑}Zc== {圓心}，阻抗圓按式（3）映射到PQ平面： （3）Sc=*()/()= {圓心}Sr=*()= {半徑}167。 配合關(guān)系校核將各曲線按相同比例畫在同一平面上，如圖1所示，由圖可知，：1） 原失磁保護(hù)阻抗圓與低勵限制相交，在有功較大進(jìn)相運(yùn)行時失磁保護(hù)可能會誤動；2） 原低勵限制整定不合理，在有功較大進(jìn)相運(yùn)行時靜穩(wěn)儲備系數(shù)不夠，發(fā)電機(jī)很可能失去靜穩(wěn)；3） 失磁保護(hù)整定不合理，在發(fā)電機(jī)未失去靜穩(wěn)前有可能誤動作；4） 建議失磁保護(hù)阻抗圓按最新的系統(tǒng)電抗重新整定；5） 建議低勵限制按如下值整定： P=,Q=。P=,Q=。P=,Q=。P=,Q=。P=,Q=這樣保證與失磁保護(hù)的阻抗圓之間的配合的合理性，在保證系統(tǒng)和機(jī)組穩(wěn)定的情況下，有利于機(jī)組一定深度的進(jìn)相運(yùn)行。PQ低勵限制與失磁保護(hù)配合整定示意靜穩(wěn)圓O失磁保護(hù)圓原低勵限制整定值低勵限制整定建議值進(jìn)相深度第 31 頁 共 31 頁
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