550kvgis隔離開(kāi)關(guān)產(chǎn)生的過(guò)電壓計(jì)算-資料下載頁(yè)
2025-05-23 18:25本頁(yè)面
【正文】 43為高壓電纜；44為高頻阻波器；45為電容式電壓互感器，其中標(biāo)注了GIS內(nèi)部各個(gè)元件之間的距離，以及母線和電纜的長(zhǎng)度。 550KV GIS電氣接線及隔離開(kāi)關(guān)的操作方式根據(jù)上面的電氣主接線圖和GIS的布置圖可以得到變電站的操作示意圖。 GIS部署，一共有單機(jī)單出線、雙機(jī)單出線及四機(jī)單出線工況下的共十余種運(yùn)行方式如下： （1）單機(jī)單出線工況： ①方式1：CB11，CB12，DS12斷開(kāi)，操作DS11； ②方式2：CB11，CB12，CB21斷開(kāi)，DS11閉合，操作DS12； ③方式3：CB11閉合，CB12，CB21斷開(kāi)，DS22斷開(kāi)，操作DS13； ④方式4：CB11閉合，CB12，CB21斷開(kāi)，DS13閉合，DS22斷開(kāi)，操作DS14； （2）、雙機(jī)單出線工況:雙機(jī)單出線分為兩種情況一種是同一機(jī)組，其操作方式和單機(jī)單出線類(lèi)似。第二種情況是兩臺(tái)屬于不同機(jī)組的情況，操作方式如下： ①方式5：CB11，CB12，DS22閉合，CB21斷開(kāi)，操作DS22； ②方式6：CB11，CB21閉合，CB12斷開(kāi)，DS14斷開(kāi)，操作DS13； ③方式7：CB11，CB21閉合，CB12斷開(kāi)，DS13閉合，操作DS14；（3）、四機(jī)雙出線工況：①方式8：CB11，CB12，CB22閉合，CB21，DS21斷開(kāi)，操作DS22；②方式9：CB11，CB21，CB22閉合，CB12斷開(kāi)，DS13閉合，操作DS14； 550KV GIS計(jì)算結(jié)果根據(jù)上面所述的不同運(yùn)行工況，我們通過(guò)電磁暫態(tài)分析程序（EMTP）進(jìn)行電路模型的搭建，并根據(jù)參數(shù)，對(duì)其進(jìn)行仿真， VFTO幅值最大點(diǎn)波形圖 方式1電路模型 方式1下CB11處VFTO波形與頻譜圖 方式2 電路模型 方式2 下CB11處VFTO波形與頻譜，不同操作操作方式，不同節(jié)點(diǎn)的VFTO幅值及每種操作方式下節(jié)點(diǎn)的VFTO最大幅值 每種操作方式下隔離開(kāi)關(guān)操作引起的各個(gè)節(jié)點(diǎn)的VFTO值（單位：.）測(cè)量點(diǎn)位置操作方式123456789101TM12TM2———————3TM3——————4TM4————————5DS16DS117CB118DS129DS13—10CB12——11DS14——12DS213DS21————14CB21————15DS22—16DS23———————17CB22———————18DS24———————19DS3——————20DS4————————21MOA122MOA2————23PT—24出線套管1———25出線套管2———————26Cable127Cable2——————方式12345678910幅值位置CB11CB11CB12CB12CB21CB12CB12CB21CB12CB12 每種操作方式下隔離開(kāi)關(guān)操作引起的的VFTO最大值位置及幅值（單位：.）：(1)（485kV，）。只有雷擊沖擊過(guò)電壓（1550kV）%。同時(shí)由于VFTO對(duì)變壓器的影響主要是其高頻振蕩分量對(duì)主變?cè)验g絕緣的影響，~3MHz，根據(jù)文獻(xiàn)[7]這個(gè)頻率段的VFTO幅值并不高，不足以引起變壓器的匝間擊穿。綜合兩方面的原因，操作隔離開(kāi)關(guān)引起的VFTO不會(huì)對(duì)變壓器造成直接危害。另外，最大的過(guò)電壓是都出現(xiàn)在斷開(kāi)的斷路器上， （ kV），只有斷路器所允許的雷擊沖擊過(guò)電壓（1550kV）%。因此，VFTO不會(huì)因超過(guò)斷路器的絕緣水平而損壞斷路器。15沈陽(yáng)化工大學(xué)學(xué)士學(xué)位論文 第五章 總結(jié)第五章 總結(jié) 本課題以550kV黑麋峰抽水蓄電站為研究背景，通過(guò)對(duì)不同運(yùn)行工況下的VFTO幅值進(jìn)行研究，從而指導(dǎo)GIS絕緣的設(shè)計(jì)。論文首先對(duì)VFTO的發(fā)展歷程及VFTO產(chǎn)生的機(jī)理以及VFTO的危害進(jìn)行計(jì)算。通過(guò)對(duì)仿真出的波形進(jìn)行了簡(jiǎn)單的介紹。隨后對(duì)電磁暫態(tài)程序進(jìn)行了介紹。最后通過(guò)電磁暫態(tài)程序分析，得出VFTO的幅值，從而確定是否會(huì)對(duì)設(shè)備本身以及相鄰設(shè)備造成危害，以此來(lái)指導(dǎo)GIS的絕緣設(shè)計(jì)。本次論文使我學(xué)到了很多知識(shí)，尤其是斷路器和隔離開(kāi)關(guān)的使用，以及電磁暫態(tài)程序，對(duì)VFTO有了詳細(xì)的了解。0沈陽(yáng)化工大學(xué)學(xué)士學(xué)位論文 參考文獻(xiàn) 參考文獻(xiàn)[1]林莘，現(xiàn)代高壓電器計(jì)數(shù)。北京：機(jī)械工業(yè)出版社，2002.[2] 齊韋夫，何柏娜，林莘。特高壓線路上潛供電弧熄滅特性的分析。第五屆輸配電技術(shù)國(guó)際會(huì)議論文集，北京，2005.[3]邱敏昌，GIS裝置及其絕緣技術(shù)。北京：水利電力出版社，1994.[4]羅學(xué)深。SF6氣體絕緣全封閉組合電器（GIS）。北京：中國(guó)電力出版社，1999[5]黎斌。SF6高壓電器設(shè)計(jì)，北京：機(jī)械工業(yè)出版社，2003[6]謝光潤(rùn)，電力系統(tǒng)過(guò)電壓。水利電力出版社。北京。1985[7]He Baina，Liu Xin，Xu Analysis of Secondary Arc Extinction Characteristics on UHV Transmission Lines[J].2008 international conference on high voltage engineering and application,2008[8]Lin Xin ,Geng Zhenxin,Xu jianyuan,et of Series Reactor on Shortcircuit Current and Transisent Recovery Voltage[J].ICHVE 2008[9]金華峰。500kV GIS隔離開(kāi)關(guān)操作產(chǎn)生VFTO研究[J].湖南電力研究與實(shí)驗(yàn)，2010，30（1）。[10]劉佳，李汶江。550kV GIS中VFTO研究[J]。重慶電力高等?？茖W(xué)校學(xué)報(bào)，2010，15（3）。[11]鄭必成，傅煜。500kV GIS開(kāi)關(guān)站快速暫態(tài)過(guò)電壓計(jì)算及對(duì)主變的影響[J]。高壓電器，2012，48（12）。[12]劉青。隔離開(kāi)關(guān)不同操作方式產(chǎn)生的快速暫態(tài)過(guò)電壓[J]。高壓電器，2011，47（4）。[13]阮金榮，施圍，王亮。限制GIS中隔離開(kāi)關(guān)操作引起過(guò)電壓的研究。高壓電器，2006，42（1）。1沈陽(yáng)化工大學(xué)學(xué)士學(xué)位論文 附錄附 錄：不同運(yùn)行方式VFTO波形 方式3下CB12處的VFTO波形與頻譜 方式4下CB12處的VFTO波形與頻譜 方式5 CB21處的VFTO波形與頻譜 方式6 CB12處的VFTO波形與頻譜方式7下CB12處的VFTO波形與頻譜方式8下CB21處的VFTO波形與頻譜方式9下CB12處的VFTO波形與頻譜方式10下CB12處的VFTO波形與頻譜51
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