gpp制程簡(jiǎn)介reappt課件-資料下載頁
2025-05-05 12:15本頁面
【正文】 佈機(jī)均勻的塗佈在晶片表面 將光阻內(nèi)之有機(jī)溶液以約 90℃ 烘烤，以增加後續(xù) 對(duì)位曝光之解析度 將 軟烤 完成之晶片以對(duì)位曝光機(jī)進(jìn)行圖形轉(zhuǎn)移 將曝光完成之晶片以顯影液將所須之圖形顯現(xiàn)出來 硬烤 將顯影完成之晶片送進(jìn) 130 ℃ 之烤箱烘烤，使光阻固化 Andy Kang 三次黃光 N N+ P+ SIPOS SIPOS Glass SiO2 PR Andy Kang Contact Etch ( 接觸面蝕刻 ) BOE浸泡 HF浸泡 純水 QDR沖洗 混合酸浸泡 純水 QDR沖洗 旋乾機(jī)旋乾 利用 BOE 蝕刻晶片表面氧化層 利用高純水 ( 12MΩ)快速?zèng)_洗晶片表面前站之殘餘物 利用高純水 ( 12MΩ)快速?zèng)_洗晶片表面前站之殘餘物 利用混合酸 去除 SIPOS 利用旋乾機(jī)將晶片表面之水分帶離 純水 QDR沖洗 利用 HF 蝕刻晶片表面氧化層 利用高純水 ( 12MΩ)快速?zèng)_洗晶片表面前站之殘餘物 Andy Kang 接觸面蝕刻 N N+ P+ SIPOS Glass SiO2 PR Andy Kang PR(photography resistance) Strip ( 光阻去除 ) ? 將 接觸面蝕刻 完成之晶片送至光阻去除站，並準(zhǔn)備進(jìn)行光阻去除 ? 利用硫酸將光阻劑去除乾淨(jìng) Andy Kang 光阻去除 N N+ P+ SIPOS Glass SiO2 Andy Kang 1st Ni (nickel) Plating ( 一次鍍鎳 ) ? 於晶片表面以無電電鍍之方式鍍上一層鎳，以形成後段封裝所需之焊接面 Andy Kang 一次鍍鎳 N N+ P+ SIPOS Glass SiO2 Ni Andy Kang Ni Sintering ( 鎳燒結(jié) ) ? 於一次鍍鎳完後會(huì)安排晶片進(jìn)爐做燒結(jié)之動(dòng)作 ? 其主要目的為： 1.) 讓鎳與矽形成合金 2.) 增加焊接之拉力 Andy Kang 鎳燒結(jié) N N+ P+ SIPOS Glass SiO2 Ni Andy Kang 2nd Ni Plating ( 二次鍍鎳 ) ? 鎳燒結(jié)完後晶片表面一樣會(huì)有多餘之鎳殘留，通常都使用硝酸來去除 ? 處理完之晶片會(huì)再鍍上一層鎳來提供焊接面 Andy Kang 二次鍍鎳 – 泡完硝酸後 N N+ P+ SIPOS Glass SiO2 Ni Andy Kang 二次鍍鎳完成後 N N+ P+ SIPOS Glass SiO2 Ni Andy Kang Au Plating ( 鍍金 ) ? 由於鎳置於室溫中容易氧化，故會(huì)在其晶片外表再鍍上一層金，以避免氧化現(xiàn)象發(fā)生 ? 另外金還有一個(gè)優(yōu)點(diǎn) ? 於焊接時(shí)可讓銲錫之流動(dòng)狀況較好 Andy Kang 鍍金 N N+ P+ SIPOS Glass SiO2 Ni Au
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1