電路和電路元ppt課件-資料下載頁(yè)
2025-05-04 07:13本頁(yè)面
【正文】 IE 特性曲線和主要參數(shù) 1. 共發(fā)射極輸入、輸出特性曲線 ☆ 輸入特性曲線： 與二極管正向特性曲線類似。 ☆ 輸出特性曲線： iB=f (uBE)|UCE=常數(shù) iC=f (uCE)|iB=常數(shù) B E C － + uBE － + uCE iC iB 80 40 UCE1V uBE/V O iB/μA 2 uCE/V O iC/mA 4 6 8 2 4 6 8 100μA IB=0 飽和區(qū) 截止區(qū) 放大區(qū) 80μA 60μA 40μA 20μA 截止區(qū)： IB=0 曲線一下區(qū)域 特點(diǎn)：集電結(jié)、發(fā)射結(jié)均反向偏置，無(wú)放大作用， IC=ICEO≈0 ，集電極與發(fā)射極相當(dāng)于斷開的開關(guān) ——用于開關(guān)電路。 飽和區(qū)： UCEUBE的區(qū)域 特點(diǎn)：發(fā)射結(jié)、集電結(jié)均正向偏置，無(wú)放大作用 , 有IC，但 UCE=UCES≈0（約 ）， 集電極與發(fā)射極相當(dāng)于接通的開關(guān) —— 用于開關(guān)電路。 2 uCE/V O iC/mA 4 6 8 2 4 6 8 100μA IB=0 飽和區(qū) 截止區(qū) 放大區(qū) 80μA 60μA 40μA 20μA 放大區(qū)： IC=βIB 特點(diǎn)：發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置，有放大作用 ——用于放大電路。 2. 主要參數(shù) 電流放大系數(shù) C C E O CBBI I III???? （ 直 流 ）CBII???? ( 交 流 )穿透電流 ICEO 集電極最大允許電流 ICM 集電極最大允許耗散功率 PCM 集電極 —發(fā)射極反向擊穿電壓 U(BR)CEO 簡(jiǎn)化的小信號(hào)模型 1. 受控源概念 受控源 ——非獨(dú)立電源 輸出電壓或電流受電路中另一電壓或電流的控制 。 電壓控制電壓源（ VCVS） 電壓控制電流源（ VCCS） 電流控制電壓源（ CCVS） 電流控制電流源（ CCCS） 四種類型： 四種受控源符號(hào)： +U2= μ U1+U1I2= g U1+U1+U2= γ I1I1I2= β I1I1VCVS VCCS CCVS CCCS 2．晶體管的簡(jiǎn)化小信號(hào)模型 晶體管工作在放大區(qū)，即 : BEC+△ UB E+△ UC E△ IB△ IC BE之間，工作在輸入特性 的近似線性區(qū)，用電阻 rbe模擬。 26( 1 )BEb e bUrrII ??? ? ? ??QuB EiBIB△ UB E△ IBOUB E用電流控制電流源模型 。 β IB△ UC E+△ IB△ IC△ UB E+rb eB CErb=200Ω IE單位 mA。 CE之間， IC=βIB。 IC與 UCE基本無(wú)關(guān)。 部分晶體管的照片 絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 基本結(jié)構(gòu)和工作原理 特性曲線和主要參數(shù) 簡(jiǎn)化的小信號(hào)模型 基本結(jié)構(gòu)和工作原理 類型： N溝道絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（ NMOS） P溝道絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（ PMOS） 增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管 耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管 1. 基本結(jié)構(gòu) ◆耗盡型 NMOS管結(jié)構(gòu) G — 柵極 S — 源極 D — 漏極 N+N+N 溝 道耗 盡 層SG DS i O2BP 襯 底+ + + + +GDSB耗盡型 NMOS 在二氧化硅絕緣層中摻入大量正離子，不加 UGS 在兩個(gè) N +區(qū)之間存在 N型導(dǎo)電溝道。 ◆ 增強(qiáng)型 NMOS管結(jié)構(gòu) 在二氧化硅絕緣層中摻入少量正離子，尚未形成導(dǎo)電溝道 , 只有加入足夠大的 UGS時(shí)才形成導(dǎo)電溝道。 P溝道 MOS管的符號(hào) 增強(qiáng)型 NMOS G D S B 增強(qiáng)型 PMOS 耗盡型 PMOS G D S B G D S B 2. 工作原理 在 DS間外加電源 UDD，加于 GS間的電壓UGS變化時(shí)，漏極電流 ID變化。 UGS控制 ID— 電壓控制型器件。 GDS_+UG G_+UD DRDID+_UD S_+UG S對(duì)耗盡型 NMOS， UGS可正可負(fù)； 對(duì)增強(qiáng)型 NMOS， UGS為正。 特性曲線和主要參數(shù) 1. 特性曲線 輸出特性： ()D D S G Si f U U?? 常 數(shù)轉(zhuǎn)移特性： ()D G S D Si f U U?? 常 數(shù)uD S/ VOiD/ m A1 02 01234可 變 電 阻 區(qū)線 性 放 大 區(qū)UG S= 2 VUG S= 1 VUG S= 0 VUG S= 1 VuG S/ VOiD/ m A 221UG S ( o f f )UD S= 1 0 VID S S耗盡型 NMOS管的特性曲線 uG SOiDUG S ( t h )UG S ( t h )uG SiDO增強(qiáng)型 MOS管的轉(zhuǎn)移特性 NMOS管 PMOS管 2. 主要參數(shù) 夾斷電壓 UGS(off) — 耗盡型 MOS管參數(shù)。 開啟電壓 UGS(th) — 增強(qiáng)型 MOS管參數(shù)。 飽和漏極電流 IDSS — 耗盡型 MOS管參數(shù)。 低頻跨導(dǎo) gm 最大漏極電流 IDM 最大耗散功率 PDM 最大漏 源極擊穿電壓 U(BR)DS 柵源直流電阻 RGS Dm D SGSIgU???? 常 數(shù) 簡(jiǎn)化的小信號(hào)模型 柵源電阻很大，柵極電流 IG≈0 柵源電壓控制漏極電流 ——電壓控制電流源模型 gm△ UG S△ IB△ ID△ UG S+_G DS
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1