【正文】 ??? ??1. 高頻響應(yīng) ② 高頻響應(yīng)和上限頻率 RC低通電路 )/ HH j(11ffA V ???)/ HMHV j(11ffAA VSS ??? ??共射放大電路 頻率響應(yīng)曲線變化趨勢(shì)相同 ?＝－ 180?－ arctg(f/fH) 相頻響應(yīng) 幅頻響應(yīng) 2HMHV(1120 2020)/lg||lg||lgffAA VSS??? ??③ 增益 帶寬積 RCπ21?BJT 一旦確定， 帶寬增益積基本為常數(shù) 1. 高頻響應(yīng) HVSM fA ??? ?? ? ? ?? ?cb39。Lmeb39。sbb b 39。eb39。bebs bebbe eb39。Lm 1π2 1 CRgCRRrrrRR rRrrRg 39。////////39。 ????????bebsbebbeeb39。LmrRRrRrrRg////39。????當(dāng) RbRs及 Rbrbe時(shí)，有 ? ? ? ?? ?cb39。Lmeb39。sb b 39。 Lm 1π2 CRgCRr Rg 39。39。 ????HVSM fA ??例題 解： 模型參數(shù)為 例 設(shè)共射放大電路在室溫下運(yùn)行，其參數(shù)為： ，?? 1ksR，，， 0 M H z41001 m A100 cbT0Cbb ?????? ?? CfIr ?。?? k5cR負(fù)載開(kāi)路， Rb足夠大忽略不計(jì)。試計(jì)算它的低頻電壓增益和上限頻率。 ?mgTVIEmV26mA1? S ???ebrm0g?S 001? ?? k ??ebCcbTm2π ?? Cfg pF ??M1C cbcm )1( ?? CRg pF ??VSMA? cmRg?ebbbseb????? rrRr ???C eb?C M1C? pF 5111.?低頻電壓增益為 ?R )( bbs ?? rR eb// ?r ?? k 所以上限頻率為 ? HfRCπ21 M H z ??V S M20 A?lg ? dB ?dB/lg20 SVA?2. 低頻響應(yīng) ① 低頻等效電路 2. 低頻響應(yīng) ① 低頻等效電路 Rb=（ Rb1//Rb2）遠(yuǎn)大于 R’i ee1 RC ???， CeCb2 ce II ?? ? R’i eb1eb11 )1( CCCCC??? ?soV SL VVA??? ?)])][[ ffffAA VSVS /j(1/j(1 L2 L1ML ?????besLV S M rRRA???? ??)(π21bes1L1 rRCf ??)(π21Lcb2L2 RRCf ??中頻區(qū) (即通常內(nèi) )源電壓增益 當(dāng) 則 下限頻率取決于 L1f2. 低頻響應(yīng) ② 低頻響應(yīng) ? ? ? ?Lcb2bes1bes L 1 11 1 RRCjrRCjrR R ??????? ?? ??? //39。L2L1 4 ff ?當(dāng) )])][[ ffffAA VSVS /j(1/j(1 L2 L1ML ?????2. 低頻響應(yīng) ② 低頻響應(yīng) 下限頻率取決于 L1f當(dāng) 時(shí)， L2L1 4 ff ?相頻響應(yīng) ?＝－ 180?－ arctg(－ fL1 / f) ＝－ 180＋ arctg(fL1/f) 幅頻響應(yīng) 2L1MLV(1120 2020)/lg||lg||lgffAA VSS??? ??)ffAA VSVS /j(11 L1ML ??? ??2. 低頻響應(yīng) ② 低頻響應(yīng) 包含 fL2的幅頻響應(yīng) 單級(jí)共集電極和共基極放大電路的高頻響應(yīng) 1. 共基極放大電路的高頻響應(yīng) ① 高頻等效電路 ② 高頻響應(yīng) ebmπ2 ?? Cg Tf? 特征頻率 1. 共基極放大電路的高頻響應(yīng) ???????????????????H2H1SMSHffffAAj1j1VV??? ? eb39。eesH1 ||||π2 1 CrRRf ?cb39。LH2 39。π21CRf ?eeseeLmSM ||||39。RrRRrRgAV ???其中 由于 re很小 由于 Cb?c很小， fH2也很高。 ? ? eb39。eeb39。eesH1 π2 1||||π2 1 CrCrRRf ?? 單級(jí)共集電極和共基極放大電路的高頻響應(yīng) 2. 共集電極放大電路的上限頻率 1. 多級(jí)放大電路的增益 )j()j()j(io???VVAV ??? ?)j()j()j()j()j()j( 1 )o(oo1o2io1??????nnVVVVVV???????????)j()j()j( 21 ??? VnVV AAA ???? ????? 前級(jí)的開(kāi)路電壓是下級(jí)的信號(hào)源電壓 ? 前級(jí)的輸出阻抗是下級(jí)的信號(hào)源阻抗 ? 下級(jí)的輸入阻抗是前級(jí)的負(fù)載 多級(jí)放大電路的頻率響應(yīng) 2. 多級(jí)放大電路的頻率響應(yīng) ? 多級(jí)放大電路的通頻帶比它的任何一級(jí)都窄。 （以兩級(jí)為例） 則單級(jí)的上下限頻率處的增益為 當(dāng)兩級(jí)增益和頻帶均相同時(shí)， 。 M1VA?兩級(jí)的增益為 。 )7 0 ( M122M1 VV AA ?? ?即兩級(jí)的帶寬小于單級(jí)帶寬。 多級(jí)放大電路的頻率響應(yīng) end 一 . 二 . 三 . ,11,12 四 . 五 . 六 . 七 . 作 業(yè) 例 1:已知兩只晶體管的電流放大系數(shù) β分別為 50和 100， 現(xiàn)測(cè)得放大電路中這兩只管子兩個(gè)電極的電流如圖 所示。分別求另一電極的電流，標(biāo)出其實(shí)際方向， 并在圓圈中畫(huà)出管子。 例 2: 測(cè)得放大電路中六只晶體管的直流電位如圖所示。 在圓圈中畫(huà)出管子，并分別說(shuō)明它們是硅管還是鍺管。 例 3: 電路如圖所示，晶體管導(dǎo)通時(shí) UBE＝ ， β=50。試分析 VI為 0V、 1V、 三種情況下 T的工作狀態(tài)及輸出電壓 uO的值。 例 4:電路如圖所示，試問(wèn) β大于多少時(shí)晶體管飽和？ 例 5:電路如圖所示，晶體管的 β＝ 50， |UBE|＝ ， 飽和管壓降 |UCES|＝ ；穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓 UZ＝ 5V， 正向?qū)妷?UD＝ 。試問(wèn)：當(dāng) uI＝ 0V時(shí) uO＝？ 當(dāng) uI＝－ 5V時(shí) uO＝？ 例 6:分別判斷圖示各電路中晶體管是否有可能 工作在放大狀態(tài)。 例題 （ a）所示，圖（ b）是晶體管的輸出特性，靜態(tài)時(shí) UBEQ＝ 。利用圖解法分別求出 RL＝ ∞和 RL＝ 3kΩ時(shí)的靜態(tài)工作點(diǎn)和最大不失真輸出電壓 Uom（有效值）。 解： 空載時(shí)： IBQ＝ 20μA， ICQ＝ 2mA， UCEQ＝ 6V； 最大不失真輸出電壓峰值約為 ，有效值約為 。 帶載時(shí)： IBQ＝ 20μA， ICQ＝ 2mA， UCEQ＝ 3V； 最大不失真輸出電壓峰值約為 ，有效值約為 。 2. 電路如圖所示。 試畫(huà)出其小信號(hào)等效模型電路。 VCCRcRLReRb2Rb1Cb2Cb1+vo+vi++cebbI?bI??r beeb cR eiI?iV ? Rb2+R b1R coV ?R L+ 解： 例題 例題 解： （ 1） 4Vk4mA212cCCCCE ??????? RIVVmA2uA4050BC ???? IβIuA40k3 0 0 V12bCCbBECCB ??????RVRVVI（ 2） ??????????863)mA()mV(26)1(200)mA()mV(26)1(200CEbeIIr?? 15)//(beLcioV ??????rRRVVA ???????? 863// bebebi rrRRk4co ?? RR)(500863863VsiiVS????????? ARRRA ??ioV VVA??? ?soVS VVA??? ?3. 放大電路如圖所示。試求：（ 1） Q點(diǎn)；（ 2） 、 oi RR 、 。 已知 ?=50。 例題 ， 晶體管的 ?＝ 100， =100Ω 。 （ 1） 求電路的 Q點(diǎn) 、 、 Ri和 Ro； （ 2） 若電容 Ce開(kāi)路 ， 則將引起電路的哪些動(dòng)態(tài)參數(shù) 發(fā)生變化 ？ 如何變化 ？ 39。bbruA? 解： （ 1）靜態(tài)分析 )( A μ 101mA1 V2efcEQC E QEQBQefB E QBQEQCCb2b1b1BQ????????????????RRRIVUIIRRUUIVRRRUCC????????????????????k5])1([)1()(mV26)1(cofbeb2b1ifbeLcEQb b 39。beRRRrRRRRrRRAIrru????∥∥∥? 動(dòng)態(tài)分析 （ 2） Ri增大， Ri≈ ； 減小， uA?ef39。LRRRAu ???? ≈ － 作 業(yè)