電工學半導體器ppt課件-資料下載頁
2025-05-01 07:33本頁面
【正文】 C mA ?A V V UCE UBE RB IB USC USB 實驗線路 (共發(fā)射極接法 ) C B E RC IB 與 UBE的關(guān)系曲線（同二極管） （ 1）輸入特性 IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 UCE?1V 死區(qū)電壓，硅管 工作壓降： 硅管UBE ? （ 2）輸出特性 (IC與 UCE的關(guān)系曲線 ) IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 40?A 60?A Q Q’ ? = IC / IB =2 mA/ 40?A=50 ? = ? IC / ? IB =(32)mA/(6040) ?A=50 ? = IC / IB =3 mA/ 60?A=50 輸出特性 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 當 UCE大于一定的數(shù)值時， IC只與 IB有關(guān)，IC=?IB , 且 ? IC = ? ? IB 。 此區(qū)域 稱為線性放大區(qū)。 此區(qū)域中 UCE?UBE,集電結(jié)正偏， ?IBIC，UCE?。 此區(qū)域中 : IB=0 , IC=ICEO , UBE 死區(qū)電壓 ,，稱為截止區(qū)。 輸出特性三個區(qū)域的特點 : (1) 放大區(qū) IC=?IB , 且 ? IC = ? ? IB ， BE結(jié)正偏， BC結(jié)反偏 (2) 飽和區(qū) IC達飽和， IC與 IB不是 ?倍 的關(guān)系， ?IBIC 。 BE結(jié)正偏，BC結(jié)正偏 ，即 UCE?UBE （ UCE? ， UBE?） (3) 截止區(qū) UBE 死區(qū)電壓， IB=0 ， IC=ICEO ?0 （ ICEO穿透電流，很小， ?A 級） 例： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 當 USB = 2V， 2V， 5V時， 晶體管的靜態(tài)工作點 Q位 于哪個區(qū)？ USB =2V， IB=0 ， IC=0， Q位于截止區(qū) USB =2V， IB= (USB UBE)/ RB =()/70= mA IC= ?IB =50?= mA ICS =2 mA ， Q位于放大區(qū) IC最大飽和電流 ICS = (USC UCE)/ RC =(120)/6=2mA IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE IC UCE IB USC RB USB C B E RC ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 當 USB = 2V， 2V， 5V時， 晶體管的靜態(tài)工作點 Q位 于哪個區(qū)？ USB =5V， IB= (USB UBE)/ RB =()/70= mA IC= ?IB =50?= mA ICS =2 mA ， Q位于飽和區(qū) (實際上，此時 IC和 IB 已不是 ?的關(guān)系） 三極管的技術(shù)數(shù)據(jù)：（自學） （ 1）電流放大倍數(shù) ? （ 2）集 射間穿透電流 ICEO （ 3）集 射間反向擊穿電壓 UCEO (BR) （ 4）集電極最大電流 ICM （ 5）集電極最大允許功耗 PCM
教學課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1