湯遜放電理論ppt課件-資料下載頁
2025-05-01 05:03本頁面
【正文】 )bU f p d=巴申定理： 意義： 氣體 間隙的擊穿電壓不僅與氣壓有關(guān)還與間隙的距離有關(guān)， 是兩者乘積的函數(shù)。 Ub(kV) 圖 22 均勻電場中空氣的 帕邢 曲線 2 3 5 10 20 30 50 100 300 1000 50 20 10 1 5 2 3 30 δ? 巴申曲線 d保持不變， ① 當 p很大時，電子的平均自由行程縮短了，相鄰兩次碰撞之間電子積聚到足夠動能的幾率減小了，故 Ub 必然增大。 ② 當 p很小時，電子在碰撞前積聚到足夠動能的幾率雖然增大了，但氣體很稀薄，電子在走完全程中與氣體分子相撞的總次數(shù)卻減到很小 ，所以 Ub也會增大。 應(yīng)用： 采用高真空和高氣壓可提高間隙的擊穿電壓。 巴申曲線的解釋： 真空滅弧室 GIS 站 P保持不變， ① 當 d增加時，場強 E降低，因此碰撞電離減弱，故 Ub 必然增大。 ② d很小時，自由電子直接從陰極運動到陽極（工程中不會用到） 。 應(yīng)用： 增加氣體間隙的距離 可提高間隙的擊穿電壓。 放電外形 根據(jù)湯遜理論，氣體放電應(yīng)在整個間隙中均勻連續(xù)地發(fā)展 .低氣壓下氣體放電發(fā)光區(qū)確實占據(jù)了整個電極空間，如輝光放電。但大氣壓力下氣體擊穿時出現(xiàn)的卻是 帶有分枝的明亮細通道 。 放電時間 根據(jù)湯遜理論，間隙完成擊穿，需要好幾次這樣的循環(huán) :形成電子崩，崩中正離子到達陰極造成二次電子，這些電子重又形成更多的電子崩。由正離子的遷移率可以計算出完成擊穿所需的時間，即所謂放電時間。這樣計算得到的放電時間和低氣壓下的放電時間比較一致， 但比火花放電時的放電時間實側(cè)值要大得多。 湯遜放電理論的適用范圍 ? 低氣壓、 短間隙的電場中，即 2 0 0 ( c m 1 3 3 p a )pd??湯遜放電理論不能解釋的放電現(xiàn)象 擊穿電壓 pd值較小時，選擇適當?shù)南轮担鶕?jù)湯遜自持放電條件求得的擊穿壓和實驗值比較一致。 pd值很大時，如仍采用原來的 值， 則擊穿電壓計算值和實驗值將有很大出入 。 陰極材料的影響 根據(jù)湯遜理論，陰極材料的性質(zhì)在擊穿過程中應(yīng)起一定作用。實驗表明，低氣壓下陰極材料對擊穿電壓有一定影響， 但大氣壓力下空氣中實測得到的擊穿電壓卻和陰極材料無關(guān) 。 湯遜放電理論不能解釋的放電現(xiàn)象 基于以上的原因提出了流注放電理論：
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