led基礎(chǔ)知識(shí)及外延工藝-資料下載頁(yè)
2025-04-26 12:56本頁(yè)面
【正文】 光致發(fā)光是半導(dǎo)體的一種發(fā)光現(xiàn)象，利用光照射到材料表面，其電子吸收光子而躍遷到高能級(jí)，處于高能級(jí)的電子不穩(wěn)定，會(huì)回落到低能級(jí)，同時(shí)伴隨著能級(jí)差的能量以光輻射的形式發(fā)射出來(lái)。這個(gè)過(guò)程就是光致發(fā)光，即 PL。 Photoluminescence （ PL）：光致發(fā)光 3E Semiconductor Create the Light, Light the World PL測(cè)量 Peak wavelength: 峰值波長(zhǎng) （ 446~452） Dominant wave: 主波長(zhǎng) FWHM：半峰寬 Thickness: 外延片的總厚度 3E Semiconductor Create the Light, Light the World EL測(cè)量 Electroluminescent （ EL） 通過(guò)加在兩電極的電壓產(chǎn)生電場(chǎng)，被電場(chǎng)激發(fā)的電子碰擊發(fā)光中心，而引致電子能級(jí)的躍進(jìn)、變化、復(fù)合導(dǎo)致發(fā)光的一種物理現(xiàn)象。 Pout： 在一定的激發(fā)電流下得到的發(fā)光亮度。通過(guò)積分球收集激發(fā)出的光子得到。 VF1： VF4: 20mA驅(qū)動(dòng)電流下的正向電壓 3E Semiconductor Create the Light, Light the World 什么樣的 wafer是好的產(chǎn)品？ 1. 通過(guò)光致發(fā)光譜查看生長(zhǎng)的 wafer的波長(zhǎng)分布 2. X射線衍射得到晶體質(zhì)量的數(shù)據(jù) 3. 通過(guò)面電阻測(cè)試得到 n型半導(dǎo)體的摻雜量（ Si摻雜） 4. 通過(guò)顯微鏡觀察 wafer表面形貌 (是否有缺陷存在 ) 5. 通過(guò)芯片制程驗(yàn)證 wafer的各項(xiàng)電性能數(shù)據(jù) 肉眼觀察下的 wafer 顯微鏡觀察下的 wafer 3E Semiconductor Create the Light, Light the World Change TMGa (Total thickness) Change TEGa (XRD 1P) Change TMIn (Wavelength) Change Cp2Mg (P GaN Doping) PM (Change reactor condition) 設(shè)備 PM對(duì)工藝影響 3E Semiconductor Create the Light, Light the World 發(fā)光二極管的伏安特性曲線 VF1 VF2 1uA驅(qū)動(dòng)電流下的正向電壓 VF3 10uA驅(qū)動(dòng)電流下的正向電壓 VF4 20mA驅(qū)動(dòng)電流下的正向電壓 VR 10uA驅(qū)動(dòng)電流下的反向電壓 IR 5V反向電壓時(shí)的驅(qū)動(dòng)電流 ESD： 靜電擊穿性能 由于人體自身會(huì)產(chǎn)生靜電 (電壓能夠達(dá) 到上萬(wàn)伏 )，因此人體與 LED芯片直接 接觸時(shí)會(huì)造成芯片擊穿。從而使其不 能使用 芯片光電參數(shù) 3E Semiconductor Create the Light, Light the World About LED – LED Process RAW WAFER EPITAXY CHIP PROCESS PACKAGE MODULE MOCVD 原材料 外延工藝 芯片制程 封裝 模組 LED工藝流程 直徑4’ 3E Semiconductor Create the Light, Light the World Thank you
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