led基礎知識及外延工藝-資料下載頁
2025-04-26 12:56本頁面
【正文】 光致發(fā)光是半導體的一種發(fā)光現(xiàn)象，利用光照射到材料表面，其電子吸收光子而躍遷到高能級，處于高能級的電子不穩(wěn)定，會回落到低能級，同時伴隨著能級差的能量以光輻射的形式發(fā)射出來。這個過程就是光致發(fā)光，即 PL。 Photoluminescence （ PL）：光致發(fā)光 3E Semiconductor Create the Light, Light the World PL測量 Peak wavelength: 峰值波長 （ 446~452） Dominant wave: 主波長 FWHM：半峰寬 Thickness: 外延片的總厚度 3E Semiconductor Create the Light, Light the World EL測量 Electroluminescent （ EL） 通過加在兩電極的電壓產(chǎn)生電場，被電場激發(fā)的電子碰擊發(fā)光中心，而引致電子能級的躍進、變化、復合導致發(fā)光的一種物理現(xiàn)象。 Pout： 在一定的激發(fā)電流下得到的發(fā)光亮度。通過積分球收集激發(fā)出的光子得到。 VF1： VF4: 20mA驅(qū)動電流下的正向電壓 3E Semiconductor Create the Light, Light the World 什么樣的 wafer是好的產(chǎn)品？ 1. 通過光致發(fā)光譜查看生長的 wafer的波長分布 2. X射線衍射得到晶體質(zhì)量的數(shù)據(jù) 3. 通過面電阻測試得到 n型半導體的摻雜量（ Si摻雜） 4. 通過顯微鏡觀察 wafer表面形貌 (是否有缺陷存在 ) 5. 通過芯片制程驗證 wafer的各項電性能數(shù)據(jù) 肉眼觀察下的 wafer 顯微鏡觀察下的 wafer 3E Semiconductor Create the Light, Light the World Change TMGa (Total thickness) Change TEGa (XRD 1P) Change TMIn (Wavelength) Change Cp2Mg (P GaN Doping) PM (Change reactor condition) 設備 PM對工藝影響 3E Semiconductor Create the Light, Light the World 發(fā)光二極管的伏安特性曲線 VF1 VF2 1uA驅(qū)動電流下的正向電壓 VF3 10uA驅(qū)動電流下的正向電壓 VF4 20mA驅(qū)動電流下的正向電壓 VR 10uA驅(qū)動電流下的反向電壓 IR 5V反向電壓時的驅(qū)動電流 ESD： 靜電擊穿性能 由于人體自身會產(chǎn)生靜電 (電壓能夠達 到上萬伏 )，因此人體與 LED芯片直接 接觸時會造成芯片擊穿。從而使其不 能使用 芯片光電參數(shù) 3E Semiconductor Create the Light, Light the World About LED – LED Process RAW WAFER EPITAXY CHIP PROCESS PACKAGE MODULE MOCVD 原材料 外延工藝 芯片制程 封裝 模組 LED工藝流程 直徑4’ 3E Semiconductor Create the Light, Light the World Thank you
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