uc3842開關電源設計流程圖-資料下載頁
2025-04-07 06:45本頁面
【正文】 MOSFET:D5: D4:輔助電源(開機，滿載)、短路Pin max.: Static (full load)Pin(w)Iin(A)Iout(A)Vout(V).Ripple(mV)Pout(w)eff90V/47Hz432115V/60Hz0..31428132V/60Hz429180V/60Hz430230V/60Hz429264V/60Hz42990V/47Hz = OK115V/60Hz = OK132V/60Hz = OK180V/60Hz = OK230V/60Hz = OK264V/63Hz = OKFull Range負載()(驗證是否有振蕩現象)回授失效(輸出輕載)90V/47Hz 234。 Vout = 264V/63Hz 234。 Vout = .(過電流保護)90V/47Hz = 264V/63Hz = Pin(max.)90V/47Hz = 264V/63Hz = Dynamic testH=4A，t1=25ms，slew Rate = (Rise)L=，t2=25ms，slew Rate = (Full)90V/47Hz264V/63HzHIPOT test:HIPOT test一般可分為兩種等級:輸入為3 Pin(有FG者)，HIPOT test為1500Vac/1 minute。YCAP使用Y2CAP輸入為2 Pin(無FG者)，HIPOT test為3000Vac/1 minute。YCAP使用Y1CAPDA14B33屬于輸入3 PIN HIPOT test 為1500Vac/1 minute。Grounding test:輸入為3 Pin(有FG者)，一般均要測接地阻(Grounding test)，安規(guī)規(guī)定FG到輸出線材(輸出端)的接地電阻不能超過100mΩ(25A/3 Second)。溫升記錄設計實驗定案后(暫定)，需針對整體溫升及EMI做評估，若溫升或EMI無法符合規(guī)格，則需重新實驗。溫升記錄請參考附件，D5原來使用BYV118(10A/40V Schottky)，因溫升較高改為PBYR1540CTX(15A/40V)。EMI測試:EMI測試分為二類:Conduction(傳導干擾)Radiation(幅射干擾)前者視規(guī)范不同而有差異(FCC : 450K 30MHz，CISPR 22 :150K 30MHz)，前者可利用廠內的頻譜分析儀驗證；后者(范圍由30M 300MHz，則因廠內無設備必須到實驗室驗證，Conduction，Radiation測試數據請參考附件) 。機構尺寸:設計階段即應對機構尺寸驗證，驗證的項目包括 : PCB尺寸、零件限高、零件禁置區(qū)、螺絲孔位置及孔徑、外殼孔寸….，若設計階段無法驗證，則必須在樣品階段驗證。樣品驗證:樣品制作完成后，除溫升記錄、EMI測試外(是否需重新驗證，視情況而定)，每一臺樣品都應經過驗證(包括電氣及機構尺寸)，此階段的電氣驗證可以以ATE(Chroma)測試來完成，ATE測試必須與電氣規(guī)格相符。QE驗證:QE針對工程部所提供的樣品做驗證，工程部應提供以下交件及樣品供QE驗證。歡迎您的光臨，！希望您提出您寶貴的意見，你的意見是我進步的動力。贈語； 如果我們做與不做都會有人笑，如果做不好與做得好還會有人笑，那么我們索性就做得更好，來給人笑吧！ 現在你不玩命的學，以后命玩你。我不知道年少輕狂，我只知道勝者為王。不要做金錢、權利的奴隸；應學會做“金錢、權利”的主人。什么時候離光明最近？那就是你覺得黑暗太黑的時候。最值得欣賞的風景，是自己奮斗的足跡。壓力不是有人比你努力，而是那些比你牛幾倍的人依然比你努力。 參考
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