word版可編輯-開關(guān)穩(wěn)壓電源e題設(shè)計報告國賽一等獎大學(xué)生電子設(shè)計競賽doc精心整理-資料下載頁
2025-03-27 23:45本頁面
【正文】 保護電路 產(chǎn)生偏差的原因1） 對效率等進行理論分析和計算時，采用的是器件參數(shù)的典型值，但實際器件的參數(shù)具有明顯的離散性，電路性能很可能因此無法達到理論分析值。2） 電路的制作工藝并非理想的，會增加電路中的損耗。 改進方法1） 使用性能更好的器件，如換用導(dǎo)通電阻更小的電力MOS管，采用低阻電容。2） 使用軟開關(guān)技術(shù)，進一步減小電力MOS管的開關(guān)損耗；3） 采用同步式開關(guān)電源的方案，用電力MOS管代替肖特基二極管以減小損耗；4） 優(yōu)化軟件控制算法，進一步減小電壓調(diào)整率和負載調(diào)整率。5 結(jié)論本電路結(jié)構(gòu)簡單，功能齊全，性能優(yōu)良，除個別指標外均達到并超過了題目要求。保護電路完善，使用更安全。使用同步采樣技術(shù)和多種抗EMI技術(shù)使得本電路更加環(huán)保。由于時間緊張，任務(wù)較為繁重，本電路尚有不足之處，如輸出紋波偏大等。這些都是以后我們努力和改進的方向。附錄1 電路原理圖圖1 開關(guān)穩(wěn)壓電源電路圖2 單片機最小系統(tǒng)圖3 保護電路 （a）輸入保護電路 （b）過熱保護電路圖4 輸出過流保護電路圖5 逐波過流保護電路附錄 2 效率計算完整過程 電路中的主要損耗已在正文中進行了計算，下面給出其他部分損耗的計算過程：1. Boost電路中電容的損耗 輸出電流有效值代入數(shù)據(jù)得 IORMS= A而電容的損耗 等效串聯(lián)電阻ESR取為10 mΩ，代入得PCO1= W2. 輸出濾波電路的損耗：1） 電容的損耗 計算方法與求PCO1相同，可求得PCO2= W2） 電感的損耗 其中，DCR2為電感的直流電阻，取為50 mΩ，又IO=2A， 代入可得PDCR2= W3. PWM驅(qū)動部分的損耗1） 驅(qū)動芯片IR2302的靜態(tài)損耗為12 mW（可忽略）2） IR2302驅(qū)動電路的動態(tài)損耗 其中，導(dǎo)通控制電壓UGSON=12V，場效應(yīng)管輸入電容CQON= nF, f=20 kHz，代入計算得 P驅(qū)動= mW（可忽略）4. 由于設(shè)計實現(xiàn)時較多的考慮到降低功耗，控制電路和檢測保護電路功耗都較小， W。4. 過流保護采樣電阻上的損耗 其中，IO=2A，RTEST2=，代入可得 PRTEST2= W5. 逐波過流保護采樣電阻上的損耗 其中，采樣電阻RTEST1=，代入數(shù)據(jù)計算可得PRTST1= W附錄 3 輸出濾波電路的設(shè)計與參數(shù)計算為了降低紋波，采用LC低通濾波器，取截止頻率fL=200 Hz，電容取470μF，由 可得 代入得L= μH，取220μH11
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