【正文】 工具稱為 Speed Disk。 計算機實用技術(shù) 第二講 Norton utilities集成工具軟件 實踐演示 計算機實用技術(shù) 第二講 附：相關(guān)資料 1. BIOS英語短句的解釋 計算機開機時會自動進行檢測，如發(fā)現(xiàn)問題，會出現(xiàn)各種各樣的英文短句，短句中包含了非常重要的信息，讀懂這些信息就可以自己解決一些小問題，下面是一些常見的 BIOS英語短句和解釋： Cmos battery failed 中文含義： cmos電池失效。 這說明 cmos電池已經(jīng)快沒電了，只要更換新的電池即可。 Cmos check sum error－ defaults loaded 中文： cmos 執(zhí)行全部檢查時發(fā)現(xiàn)錯誤，要載入系統(tǒng)預設值。 一般來說出現(xiàn)這句話都是說電池快沒電了，可以先換個電池試試，如果問題還是沒有解決，那么說明 cmos ram可能有問題，需更換主板或送回生產(chǎn)廠家修理。 計算機實用技術(shù) 第二講 Press Esc to skip memory test 中文：正在進行內(nèi)存檢查，可按 Esc鍵跳過。這是因為在 cmos內(nèi)沒有設定跳過存儲器的第二、三、四次測試，開機就會執(zhí)行四次內(nèi)存測試，當然你也可以按 Esc 鍵結(jié)束內(nèi)存檢查，不過每次都要這樣太麻煩了，可以進入 s設置后選擇bios featurs setup，將其中的 quick power on self test設為 enabled，儲存后重新啟動即可。 Hard disk install failure 中文：硬盤安裝失敗。這是因為硬盤的電源線或數(shù)據(jù)線可能未接好或者硬盤跳線設置不當。可以檢查一下硬盤的各根連線是否插好，看看同一根數(shù)據(jù)線上的兩個硬盤的跳線的設置是否一樣，如果一樣，只要將兩個硬盤的跳線設置的不一樣即可（一個設為 master，另一個設為 slave）。 計算機實用技術(shù) 第二講 Secondary slave hard fail 中文：檢測從盤失敗?？赡苁?cmos設置不當，比如說沒有從盤但在 cmos里設為有從盤，那么就會出現(xiàn)錯誤，這時可以進入 s設置選擇 ide hdd auto detection進行硬盤自動栓測。也可能是硬盤的電源線、數(shù)據(jù)線可能未接好或者硬盤跳線設置不當。 Floppy disk(s) fail 中文：無法驅(qū)動軟盤驅(qū)動器。系統(tǒng)提示找不到軟驅(qū)，看看軟驅(qū)的電源線和數(shù)據(jù)線有沒有松動或者是接錯也有可能損壞。 Hard disk(s) diagnosis fail 中文：執(zhí)行硬盤診斷時發(fā)生錯誤。出現(xiàn)這個問題一般就是說硬盤本身出現(xiàn)故障了。 Memory test fail 中文：內(nèi)存檢測失敗。重新插拔一下內(nèi)存條，看看是否能解決，出現(xiàn)這種問題一般是因為內(nèi)存條互相不兼容需要更換。 計算機實用技術(shù) 第二講 Override enable－ defaults loaded 中文：當前 cmos設定無法啟動系統(tǒng)，載入 bios中的預設值以便啟動系統(tǒng)。一般是在 s內(nèi)的設定出現(xiàn)錯誤，只要進入 s設置選擇 load setup defaults載入系統(tǒng)原來的設定值然后重新啟動即可。 計算機實用技術(shù) 第二講 硬盤的轉(zhuǎn)速 (Rotationl Speed)也就是硬盤電機主軸的轉(zhuǎn)速，轉(zhuǎn)速是決定硬盤內(nèi)部傳輸率的關(guān)鍵因素之一，它的快慢在很大程度上影響了硬盤的速度，同時轉(zhuǎn)速的快慢也是區(qū)分硬盤檔次的重要標志之一。硬盤的主軸馬達帶動盤片高速旋轉(zhuǎn)，產(chǎn)生浮力使磁頭飄浮在盤片上方。要將所要存取資料的扇區(qū)帶到磁頭下方，轉(zhuǎn)速越快，等待時間也就越短。因此轉(zhuǎn)速在很大程度上決定了硬盤的速度。目前市場上常見的硬盤轉(zhuǎn)速一般有 5400rpm、 7200rpm、甚至 10000rpm。理論上，轉(zhuǎn)速越快越好。因為較高的轉(zhuǎn)速可縮短硬盤的平均尋道時間和實際讀寫時間?？墒寝D(zhuǎn)速越快發(fā)熱量越大，不利于散熱?，F(xiàn)在的主流硬盤轉(zhuǎn)速一般為7200rpm以上。隨著硬盤容量的不斷增大，硬盤的轉(zhuǎn)速也在不斷提高。然而，轉(zhuǎn)速的提高也帶來了磨損加劇、溫度升高、噪聲增大等一系列負面影響。于是，應用在精密機械工業(yè)上的液態(tài)軸承馬達（ Fluid dynamic bearing motors）便被引入到硬盤技術(shù)中。液態(tài)軸承馬達使用的是黏膜液油軸承，以油膜代替滾珠。這樣可以避免金屬面的直接磨擦，將噪聲及溫度被減至最低；同時油膜可有效吸收震動，使抗震能力得到提高；更可減少磨損，提高壽命。 2. 硬盤技術(shù)指標 計算機實用技術(shù) 第二講 平均尋道時間（ Average seek time） 指硬盤在盤面上移動讀寫頭至指定磁道尋找相應目標數(shù)據(jù)所用的時間，它描述硬盤讀取數(shù)據(jù)的能力，單位為毫秒。當單碟片容量增大時，磁頭的尋道動作和移動距離減少，從而使平均尋道時間減少，加快硬盤速度。目前市場上主流硬盤的平均尋道時間一般在 9ms以下。 平均潛伏時間（ Average latency time） 指當磁頭移動到數(shù)據(jù)所在的磁道后，然后等待所要的數(shù)據(jù)塊繼續(xù)轉(zhuǎn)動到磁頭下的時間，一般在 2ms－ 6ms之間。 平均訪問時間（ Average access time） 指磁頭找到指定數(shù)據(jù)的平均時間，通常是平均尋道時間和平均潛伏時間之和。平均訪問時間最能夠代表硬盤找到某一數(shù)據(jù)所用的時間，越短的平均訪問時間越好，一般在 11ms－ 18ms之間。注意：現(xiàn)在不少硬盤廣告之中所說的平均訪問時間大部分都是用平均尋道時間 計算機實用技術(shù) 第二講 突發(fā)數(shù)據(jù)傳輸率（ Burst data transfer rate） 指的是電腦通過數(shù)據(jù)總線從硬盤內(nèi)部緩存區(qū)中所讀取數(shù)據(jù)的最高速率。也叫外部數(shù)據(jù)傳輸率（ External data transfer rate）。目前采用 UDMA/66技術(shù)的硬盤的外部傳輸率已經(jīng)達到了 。 最大內(nèi)部數(shù)據(jù)傳輸率（ Internal data transfer rate） 指磁頭至硬盤緩存間的最大數(shù)據(jù)傳輸率，一般取決于硬盤的盤片轉(zhuǎn)速和盤片數(shù)據(jù)線密度（指同一磁道上的數(shù)據(jù)間隔度）。也叫持續(xù)數(shù)據(jù)傳輸率（ sustained transfer rate）。一般采用 UDMA/66技術(shù)的硬盤的內(nèi)部傳輸率也不過 2530MB/s，只有極少數(shù)產(chǎn)品超過 30MB/s，由于內(nèi)部數(shù)據(jù)傳輸率才是系統(tǒng)真正的瓶頸，因此大家在購買時要分清這兩個概念。不過一般來講，硬盤的轉(zhuǎn)速相同時，單碟容量大的內(nèi)部傳輸率高；在單碟容量相同時，轉(zhuǎn)速高的硬盤的內(nèi)部傳輸率高。 計算機實用技術(shù) 第二講 自動檢測分析及報告技術(shù)（ SelfMonitoring Analysis and Report Technology，簡稱 SMART） 現(xiàn)在出廠的硬盤基本上都支持 SMART技術(shù)。這種技術(shù)可以對硬盤的磁頭單元、盤片電機驅(qū)動系統(tǒng)、硬盤內(nèi)部電路以及盤片表面媒介材料等進行監(jiān)測，當 SMART監(jiān)測并分析出硬盤可能出現(xiàn)問題時會及時向用戶報警以避免電腦數(shù)據(jù)受到損失。 SMART技術(shù)必須在主板支持的前提下才能發(fā)生作用，而且 SMART技術(shù)也不能保證能預報出所有可能發(fā)生的硬盤故障。 磁阻磁頭技術(shù) MR(Mago－ Resistive Head) MR技術(shù)可以更高的實際記錄密度、記錄數(shù)據(jù)，從而增加硬盤容量，提高數(shù)據(jù)吞吐率。目前的 MR技術(shù)已有幾代產(chǎn)品。 MAXTOR的鉆石三代 /四代等均采用了最新的 MR技術(shù)。磁阻磁頭的工作原理是基于磁阻效應來工作的，其核心是一小片金屬材料 ,其電阻隨磁場變化而變化 ,雖然其變化率不足 2%,但因為磁阻元件連著一個非常靈敏的放大器 ,所以可測出該微小的電阻變化。 MR技術(shù)可使硬盤容量提高 40%以上。 GMR巨磁阻磁頭與 MR磁頭一樣，是利用特殊材料的電阻值隨磁場變化的原理來讀取盤片上的數(shù)據(jù)，但是 GMR磁頭使用了磁阻效應更好的材料和多層薄膜結(jié)構(gòu)，比 MR磁頭更為 計算機實用技術(shù) 第二講 敏感，相同的磁場變化能引起更大的電阻值變化，從而可以實現(xiàn)更高的存儲密度，現(xiàn)有的 MR磁頭能夠達到的盤片密度為 3Gbit－ 5Gbit/in2（千兆位每平方英寸），而 GMR磁頭可以達到 10Gbit－ 40Gbit/in2以上。目前 GMR磁頭已經(jīng)處于成熟推廣期，在今后的數(shù)年中，它將會逐步取代 MR磁頭，成為最流行的磁頭技術(shù)。 緩存 緩存是硬盤與外部總線交換數(shù)據(jù)的場所。硬盤的讀數(shù)據(jù)的過程是將磁信號轉(zhuǎn)化為電信號后，通過緩存一次次地填充與清空，再填充，再清空，一步步按照PCI總線的周期送出，可見，緩存的作用是相當重要的。在接口技術(shù)已經(jīng)發(fā)展到一個相對成熟的階段的時候，緩存的大小與速度是直接關(guān)系到硬盤的傳輸速度的重要因素。 計算機實用技術(shù) 第二講 硬盤是計算機的存儲核心部件，一旦出現(xiàn)問題，將導致電腦無法正常工作，雖然隨著技術(shù)的發(fā)展，硬盤的穩(wěn)定性和容量都有了提高，但是我們還是需要提醒大家注意以下事項，盡量避免硬盤出現(xiàn)問題。 為電腦提供不間斷電源 (UPS)當硬盤開始工作時，一般都處于高速旋轉(zhuǎn)之中，如果硬盤讀寫過程中突然斷電，可能會導致硬盤的數(shù)據(jù)邏輯結(jié)構(gòu)或物理結(jié)構(gòu)的損壞。因此最好為您的電腦提供不間斷電源，正常關(guān)機時一定要注意面板上的硬盤指示燈是否還在閃爍，只有當硬盤指示燈停止閃爍、硬盤結(jié)束讀寫后方可關(guān)閉計算機的電源開關(guān)。 計算機實用技術(shù) 第二講 為硬盤降溫 溫度對硬盤的壽命也是有影響的。硬盤在使用過程中會產(chǎn)生一定熱量，所以在使用中存在散熱問題。溫度以 25℃ ～ 30℃ 為宜，溫度過高或過低都會使晶體振蕩器的時鐘主頻發(fā)生改變。溫度還會造成硬盤電路元件失靈，磁介質(zhì)也會因熱脹效應而造成記錄錯誤。 定期整理硬盤碎片 在硬盤中，頻繁地建立、刪除文件會產(chǎn)生許多碎片，如果碎片積累了很多的話，那么日后在訪問某個文件時，硬盤可能會需要花費很長的時間讀取該文件，不但訪問效率下降，而且還有可能損壞磁道。 病毒防護以及系統(tǒng)升級工作 各類操作系統(tǒng)都存在著很多已知和未知的漏洞，加之現(xiàn)在病毒攻擊的范圍也越來越廣泛，而硬盤作為計算機的信息存儲基地，通常都是計算機病毒攻擊的首選目標。所以，為了保證硬盤的安全，我們應該經(jīng)常在操作系統(tǒng)內(nèi)打一些必要的補丁，為殺毒軟件下載最新的病毒庫，做好病毒防護工作，同時要注意對重要的數(shù)據(jù)進行保護和經(jīng)常性的備份，以備數(shù)據(jù)恢復之需。 計算機實用技術(shù) 第二講 拿硬盤時要小心 在日常的電腦維護工作中，拿硬盤是再頻繁不過的事了。其實，用手拿硬盤還是有學問的，稍有不慎就會使硬盤“報廢”，因此我們在拿硬盤時一定要做到以下幾點： A. 要輕拿輕放，不要磕碰或者與其他堅硬物體相撞； B. 不能用手隨便地觸摸硬盤背面的電路板，這是因為人的手上可能會帶有靜電，在這種情況下用手觸摸硬盤背面的電路板，“靜電”就有可能會傷害到硬盤上的電子元件，導致電子元件損壞，從而無法正常運行。 因此，我們在用手拿硬盤時應該抓住硬盤兩側(cè)，并避免與其背面的電路板直接接觸。 在工作中最好不要移動主機 硬盤是一種高度精密設備，工作時磁頭在盤片表面的浮動高度只有零點幾微米。當硬盤處于讀寫狀態(tài)時，一旦發(fā)生較大的震動，就可能造成磁頭與盤片的撞擊，導致?lián)p壞。所以不要搬動運行中的主機。在硬盤的安裝、拆卸過程中應多加小心，硬盤移動、運輸時嚴禁磕碰，最好用泡沫或海綿包裝保護一下，盡量減少震動。 計算機實用技術(shù) 第二講 第二講 完 計算機實用技術(shù) 第二講