【導(dǎo)讀】電力晶體管GTR;可關(guān)斷晶閘管GTO;功率場效應(yīng)晶體管MOSFET;絕緣柵雙極型晶體管IGBT;120º導(dǎo)電型三相橋式逆變電路,晶閘管換相是在不同橋臂上的元件之間進行的?,F(xiàn)改用雙向晶閘管組成的。通過對電壓檢測,實施對兩組反并聯(lián)晶閘管門極予以控制。晶閘管的觸發(fā)脈沖移到180°使他們截止,從而使輸出電壓提高10%,達(dá)到穩(wěn)定輸出電壓的目的。
【總結(jié)】....電力電子技術(shù)答案2-1與信息電子電路中的二極管相比,電力二極管具有怎樣的結(jié)構(gòu)特點才使得其具有耐受高壓和大電流的能力?答:,使得硅片中通過電流的有效面積增大,顯著提高了二極管的通流能力。,也稱漂移區(qū)。低摻雜N區(qū)由于摻雜濃度低而接近于無摻雜的純半導(dǎo)體材料即本征半導(dǎo)體,由于摻雜濃度低,低摻雜N區(qū)就可
2025-06-23 20:09
【總結(jié)】電力電子技術(shù)試題1、請在空格內(nèi)標(biāo)出下面元件的簡稱:電力晶體管GTR;可關(guān)斷晶閘管GTO;功率場效應(yīng)晶體管MOSFET;絕緣柵雙極型晶體管IGBT;IGBT是MOSFET和GTR的復(fù)合管。2、晶閘管對觸發(fā)脈沖的要求是要有足夠的驅(qū)動功率
2024-11-07 18:17
【總結(jié)】電力電子技術(shù)試題(第四章)一、填空題1、GTO的全稱是,圖形符號為;GTR的全稱是,圖形符號為;P-MOSFET的全稱是,圖形符號為;IGBT的全稱是,圖形符號為。33、門極可關(guān)斷晶閘管、大功率晶體管、功率場效應(yīng)管、絕緣門極
2025-05-31 07:20
【總結(jié)】電力電子技術(shù)試題(第三章)一、填空題1、某半導(dǎo)體器件的型號為KS50—7的,其中KS表示該器件的名稱為,50表示,7表示。1、雙向晶閘管、額定電流50A、額定電壓100V。2、某半導(dǎo)體器件的型號為KN100/50—7,其中KN表示該器件的名稱為
2024-10-21 15:48
【總結(jié)】電力電子技術(shù)習(xí)題集標(biāo)*的習(xí)題是課本上沒有的,作為習(xí)題的擴展習(xí)題一*試說明什么是電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)及其作用。答:當(dāng)PN結(jié)通過正向大電流時,大量空穴被注入基區(qū)(通常是N型材料),基區(qū)的空穴濃度(少子)大幅度增加,這些載流子來不及和基區(qū)的電子中和就到達(dá)負(fù)極。為了維持基區(qū)半導(dǎo)體的電中性,基區(qū)的多子(電子)濃度也要相應(yīng)大幅度增加。這就意味著,在大注入的條件下原始基片的電阻率實際上大大
2025-06-27 16:13
【總結(jié)】誠信應(yīng)考,考試作弊將帶來嚴(yán)重后果!?華南理工大學(xué)期末考試《數(shù)字電子技術(shù)》試卷A注意事項:1.考前請將密封線內(nèi)填寫清楚;?????????2.所有答案請直接答在試卷上(或答題紙上);???????
2025-06-24 21:26
【總結(jié)】《數(shù)字電子技術(shù)》試卷五一、填空題(12分)1、(3FF)16=()2=()10=()8421BCD2、OC門稱為()門,多個OC門輸出端并聯(lián)到一起可實現(xiàn)()功能。3、消除組合邏輯電路中競爭冒險的方法有()、()等。
2024-11-08 00:11
【總結(jié)】好文檔盡在阿燈免費目錄第1章電力電子器件 1第2章整流電路 4第3章直流斬波電路 20第4章交流電力控制電路和交交變頻電路 26第5章逆變電路 31第6章PWM控制技術(shù) 35第7章軟開關(guān)技術(shù) 40第8章組合變流電路 42第1章電力電子器件
2025-06-18 13:42
【總結(jié)】一、單項選擇題(每小題1分,共15分)在下列每小題的四個備選答案中選出一個正確的答案,并將其字母標(biāo)號填入題干的括號內(nèi)。1.一位十六進制數(shù)可以用多少位二進制數(shù)來表示?(C)A.1B.2C.4D.162.以下電路中常用于總線應(yīng)用的是(A)C.漏極開路門
2025-06-22 17:27
【總結(jié)】1考試試卷(1)卷一、填空題(本題共8小題,每空1分,共20分)1、電子技術(shù)包括______________和電力電子技術(shù)兩大分支,通常所說的模擬電子技術(shù)和數(shù)字電子技術(shù)就屬于前者。2、為減少自身損耗,提高效率,電力電子器件一般都工作在_________狀態(tài)。當(dāng)器件的工作頻率較高時,_________損耗會成為主要的損耗。3、在PWM控制電路中,載波頻率與調(diào)制信號頻
2025-06-07 03:22
【總結(jié)】電力電子技術(shù)復(fù)習(xí)2011一、選擇題(每小題10分,共20分)1、單相半控橋整流電路的兩只晶閘管的觸發(fā)脈沖依次應(yīng)相差?????A???度。A、180°,?B、60°,?c、360°,?D、120°2、α為?
2025-05-31 07:08
【總結(jié)】2、晶閘管對觸發(fā)脈沖的要求是???要有足夠的驅(qū)動功率?、????觸發(fā)脈沖前沿要陡幅值要高????和??觸發(fā)脈沖要與晶閘管陽極電壓同步。3、多個晶閘管相并聯(lián)時必須考慮 均流?的問題,解決的方法是???串專用
2025-06-22 17:31
【總結(jié)】做試題,沒答案?上自考365,網(wǎng)校名師為你詳細(xì)解答!2004年4月全國自考模擬數(shù)字及電力電子技術(shù)試卷14/14
2025-07-13 21:36
【總結(jié)】8/8
2025-07-14 00:32
【總結(jié)】電工電子技術(shù)(二)和電子技術(shù)模擬試卷A1電子技術(shù)試題班級測04姓名學(xué)號第1頁題目一二三四五六七八總分?jǐn)?shù)分?jǐn)?shù)評卷人一,單項選擇題(從下列各題備選答案中選出一個正確答案,每小題2分
2024-10-19 17:20