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正文內(nèi)容

試驗(yàn)箱及示波器的使用-高頻試驗(yàn)報(bào)告-資料下載頁(yè)

2025-01-18 23:20本頁(yè)面
  

【正文】 試驗(yàn)的試驗(yàn)數(shù)據(jù)分析試驗(yàn)數(shù)據(jù)和實(shí)際數(shù)據(jù)基本相符實(shí)驗(yàn)結(jié)論:試驗(yàn)完成 , 通過(guò)比較 , 本次試驗(yàn)的試驗(yàn)數(shù)據(jù)分析試驗(yàn)數(shù)據(jù)和實(shí)際數(shù)據(jù)基本相符指導(dǎo)教師評(píng)語(yǔ)和成績(jī)?cè)u(píng)定: 實(shí)驗(yàn)報(bào)告成績(jī):指導(dǎo)教師簽字: 年 月 日黃淮學(xué)院信息工程學(xué)院 高頻電子線路 課程驗(yàn)證性實(shí)驗(yàn)報(bào)告實(shí)驗(yàn)名稱晶體振蕩器與壓控振蕩器實(shí)驗(yàn)時(shí)間2015 年12 月11 日學(xué)生姓名王永存實(shí)驗(yàn)地點(diǎn)1616同組人員趙微笑專業(yè)班級(jí)1301B實(shí)驗(yàn)?zāi)康?掌握晶體振蕩器與壓控振蕩器的基本工作原理。 比較LC振蕩器和晶體振蕩器的頻率穩(wěn)定度。實(shí)驗(yàn)主要儀器設(shè)備和材料:模塊 3 1塊頻率計(jì)模塊 1塊雙蹤示波器 1臺(tái)萬(wàn)用表 1塊實(shí)驗(yàn)內(nèi)容和原理: 晶體振蕩器:將開(kāi)關(guān)S2撥為“00”,S1撥為“10”,由NCCC1晶體CRY1與C4構(gòu)成晶體振蕩器(皮爾斯振蕩電路),在振蕩頻率上晶體等效為電感。 壓控振蕩器(VCO):將S2撥為“10”或“01”,S1撥為“01”,則變?nèi)荻O管DD2并聯(lián)在電感L1兩端。當(dāng)調(diào)節(jié)電位器W2時(shí),DD2兩端的反向偏壓隨之改變,從而改變了D1和D2的結(jié)電容Cj,也就改變了振蕩電路的等效電感,使振蕩頻率發(fā)生變化。晶體壓控振蕩器開(kāi)關(guān)S2撥為“10”或“01”,S1撥為“10”,就構(gòu)成了晶體壓控振蕩器。圖61 正弦波振蕩器()實(shí)驗(yàn)內(nèi)容 熟悉振蕩器模塊各元件及其作用。 分析與比較LC振蕩器與晶體振蕩器的頻率穩(wěn)定度。 改變變?nèi)荻O管的偏置電壓,觀察振蕩器輸出頻率的變化。實(shí)驗(yàn)方法、步驟: 溫度對(duì)兩種振蕩器諧振頻率的影響。 1) 電路接成LC振蕩器,在室溫下記下振蕩頻率(頻率計(jì)接于P1處)。2) 將加熱的電烙鐵靠近振蕩管N1,每隔1分鐘記下頻率的變化值。3) 開(kāi)關(guān)S1交替設(shè)為“01”(LC振蕩器)和“10”(晶體振蕩器),并將數(shù)據(jù)記于表61。溫度時(shí)間變化室溫1分鐘2分鐘3分鐘4分鐘5分鐘LC振蕩器晶體管振蕩器表61兩種壓控振蕩器的頻率變化范圍比較1) 將電路連接成LC壓控振蕩器(S1設(shè)為“01”),頻率計(jì)接于P1,直流電壓表接于TP7。2) 將W2調(diào)節(jié)從低阻值、中阻值、高阻值位置(即從左→中間→右順時(shí)針旋轉(zhuǎn)),分別將變?nèi)荻O管的反向偏置電壓、輸出頻率記于下表中。3) 將電路連接成晶體壓控振蕩器,重復(fù)步驟2),將測(cè)試結(jié)果填于下表。 實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象、實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)記錄:W2電阻值W2低阻值W2中阻值W2高阻值VD1(VD2)振蕩頻率LC壓控振蕩器晶體壓控振蕩器實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象、實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的分析:W2電阻值W2低阻值W2中阻值W2高阻值VD1(VD2)振蕩頻率LC壓控振蕩器晶體壓控振蕩器經(jīng)試驗(yàn)數(shù)據(jù)分析試驗(yàn)數(shù)據(jù)和實(shí)際數(shù)據(jù)基本相符。實(shí)驗(yàn)結(jié)論 實(shí)驗(yàn)完成 , 通過(guò)比較 , ,實(shí)驗(yàn)的實(shí)際數(shù)據(jù)與實(shí)驗(yàn)的理論數(shù)據(jù)基本一致指導(dǎo)教師評(píng)語(yǔ)和成績(jī)?cè)u(píng)定: 實(shí)驗(yàn)報(bào)告成績(jī):指導(dǎo)教師簽字: 年 月 日黃淮學(xué)院信息工程學(xué)院 高頻電子線路 課程驗(yàn)證性實(shí)驗(yàn)報(bào)告實(shí)驗(yàn)名稱三點(diǎn)式正弦波振蕩器實(shí)驗(yàn)時(shí)間2015年12 月 11日學(xué)生姓名王永存實(shí)驗(yàn)地點(diǎn)1616同組人員趙薇笑專業(yè)班級(jí)1301B實(shí)驗(yàn)?zāi)康?掌握三點(diǎn)式正弦波振蕩器電路的基本原理,起振條件,振蕩電路設(shè)計(jì)及電路參數(shù)計(jì)算。 通過(guò)實(shí)驗(yàn)掌握晶體管靜態(tài)工作點(diǎn)、反饋系數(shù)大小、負(fù)載變化對(duì)起振和振蕩幅度的影響。 研究外界條件(溫度、電源電壓、負(fù)載變化)對(duì)振蕩器頻率穩(wěn)定度的影響。實(shí)驗(yàn)主要儀器設(shè)備和材料:模塊 3 1塊頻率計(jì)模塊 1塊雙蹤示波器 1臺(tái)萬(wàn)用表 1塊實(shí)驗(yàn)內(nèi)容和原理:實(shí)驗(yàn)內(nèi)容 熟悉振蕩器模塊各元件及其作用。 進(jìn)行LC振蕩器波段工作研究。 研究LC振蕩器中靜態(tài)工作點(diǎn)、反饋系數(shù)以及負(fù)載對(duì)振蕩器的影響。 實(shí)驗(yàn)原理測(cè)試LC振蕩器的頻率穩(wěn)定度。圖51 正弦波振蕩器()將開(kāi)關(guān)S1的1撥下2撥上, S2全部斷開(kāi),由晶體管N1和CCC1CCCL1構(gòu)成電容反饋三點(diǎn)式振蕩器的改進(jìn)型振蕩器——西勒振蕩器,電容CCI可用來(lái)改變振蕩頻率。 (計(jì)算振蕩頻率可調(diào)范圍)振蕩電路反饋系數(shù)F=振蕩器輸出通過(guò)耦合電容C5(10P)加到由N2組成的射極跟隨器的輸入端,因C5容量很小,再加上射隨器的輸入阻抗很高,可以減小負(fù)載對(duì)振蕩器的影響。射隨器輸出信號(hào)經(jīng)N3調(diào)諧放大,再經(jīng)變壓器耦合從P1輸出。實(shí)驗(yàn)方法、步驟: 根據(jù)圖51在實(shí)驗(yàn)板上找到振蕩器各零件的位置并熟悉各元件的作用。 研究振蕩器靜態(tài)工作點(diǎn)對(duì)振蕩幅度的影響。1)將開(kāi)關(guān)S1撥為“01”,S2撥為“00”,構(gòu)成LC振蕩器。 2)改變上偏置電位器W1,記下N1發(fā)射極電流Ieo(=,R11=1K)(將萬(wàn)用表紅表筆接TP2,黑表筆接地測(cè)量VE),并用示波測(cè)量對(duì)應(yīng)點(diǎn)TP4的振蕩幅度VPP,填于表51中,分析輸出振蕩電壓和振蕩管靜態(tài)工作點(diǎn)的關(guān)系。振蕩狀態(tài)VppIeo起振 停振表51分析思路:靜態(tài)電流ICQ會(huì)影響晶體管跨導(dǎo)gm,而放大倍數(shù)和gm是有關(guān)系的。在飽和狀態(tài)下(ICQ過(guò)大),管子電壓增益AV會(huì)下降,一般取ICQ=(1~5mA)為宜。 測(cè)量振蕩器輸出頻率范圍將頻率計(jì)接于P1處,改變CC1,用示波器從TP8觀察波形及輸出頻率的變化情況,記錄最高頻率和最低頻率填于52表中 實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象、實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的分析:振蕩狀態(tài)VppIeo起振 停振fmaxfmin經(jīng)試驗(yàn)結(jié)果分析試驗(yàn)數(shù)據(jù)和實(shí)際數(shù)據(jù)基本符合實(shí)驗(yàn)結(jié)論: 通過(guò)本次的實(shí)驗(yàn)三點(diǎn)式正弦波振蕩器的起振條件和理論符合。指導(dǎo)教師評(píng)語(yǔ)和成績(jī)?cè)u(píng)定: 實(shí)驗(yàn)報(bào)告成績(jī):指導(dǎo)教師簽字: 年 月 日
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