存儲單元學時ppt課件-資料下載頁
2025-01-14 14:33本頁面
【正文】 and storage capacitance Voltage swing is small。 typically around 250 mV. 25 ROM WL BL WL BL 1 WL BL WL BL WL BL 0 VDD WL BL GND 二極管 ROM MOS ROM 1 MOS ROM 2 26 讀寫時序 讀出時間：從存儲器中讀出數據所需要的時間，等于從提出讀請求到數據在輸出端上有效之間的延時。 寫入時間：從提出寫請求到最終把輸入數據寫入存儲器之間所經過的時間。 讀 /寫周期時間：在前后兩次讀或寫操作之間所要求的最小時間間隔。這一時間通常大于存取時間。 27 時序控制 DRAM Timing SRAM Timing 地址變化啟動存儲器操作 28 SRAM接口時序（ SRAM， FLASH) 29 SDRAM 存儲器接口 ? SDRAM是隨機存儲器中價格最低的一種，在大多數計算機系統中用做主存儲器； ? 數據以電荷形式儲存在電容上，并會在幾 ms內泄漏掉。為了長期保存， SDRAM必須定期刷新； ? 但動態(tài) RAM比靜態(tài) RAM集成度高、功耗低，從而成本也低，適于作大容量存儲器； ? 工作時序比較復雜 – A0－ A10：地址輸入引腳，當 ACTIVE命令和READ/WRITE命令時，來決定使用某個 bank內的某個基本存儲單元。 – CLK：時鐘信號輸入引腳 – CKE： Clock Enable，高電平時有效。當這個引腳處于低電平期間，提供給所有 bank預充電和刷新的操作 – /CS：芯片選擇（ Chip Select，這個引腳就是用于選擇進行存取操作的芯片 – /RAS:行地址選擇 (Row Address Select) – /CAS:列地址選擇 (Column Address Select) – /WE:寫入信號 (Write Enable) – DQ0－ DQ15:數據輸入輸出接口 – BA： Bank地址輸入信號引腳， BA信號決定了由激活哪一個 bank、進行讀寫或者預充電操作； BA也用于定義Mode寄存器中的相關數據。 30 基于 SEP3203的 存儲系統設計 31 Flash存儲器接口設計 ? Flash設計實例 – Nor Flash Nand Flas
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