rc正弦波振蕩電路ppt課件-資料下載頁(yè)
2025-01-14 04:39本頁(yè)面
【正文】 EBEEEbbuouobeUbu防止間歇振蕩的方法 : 可以把 C e , R e 的值適當(dāng)選小些 , 使偏 壓的變化能跟得上 bu 的變化 . + UBE _ 04:03 36 Rb1 Rb2 Cb Rc Re Ce C1 C2 C3 R2 EC 振蕩器為了將信號(hào)傳輸?shù)较乱患?jí)負(fù)載上 , 往往采用互感或其它藕合形式 . 一旦藕合系數(shù)過(guò)大 , 而負(fù)載又是一個(gè)調(diào)諧回路 , 則調(diào)節(jié)次級(jí)回路時(shí) , 振蕩頻率也會(huì)隨之變化 , 甚至產(chǎn)生頻率跳變 . 這一現(xiàn)象通常稱(chēng)為頻率拖曳現(xiàn)象 . 右圖為具有藕合諧振回路作為負(fù)載的電容三端式振蕩器 如果設(shè)振蕩回路的自然諧 振頻為 : ω 01 , 負(fù)載回路的諧振頻率為 : ω 02 而振蕩器的工作頻率為 : ω 兩回路的藕合系數(shù)為：21 LLMk ? 由于 振蕩回路與負(fù)載回路存在藕合 , 因此調(diào)節(jié)負(fù)載回路將對(duì)振蕩工作頻率 產(chǎn)生影響 , 其影響程度與回路的藕合程度有關(guān) . 二 ,頻率拖曳現(xiàn)象 04:03 37 討論：（ 1 ） 當(dāng) k 很小時(shí) 如果調(diào)節(jié) C 2 , 使 ω 02 由小到大變化 , 如圖所示 , 工作頻率 ω 的變化為： ω01 ω01 ω ω02 當(dāng) ω 02 ω 01 或 ω 02 ω 01 時(shí) , ω = ω 01 當(dāng) ω 02 接近 ω 01 但 ω 02 ω 01 時(shí) , ω ω 01 ω 02 ω 01 時(shí) , ω ω 01 (2) 當(dāng) K = K C = 1 / Q 時(shí) , 臨界耦合 , 當(dāng) ω 02 = ω 01 時(shí) , ω 值有跳變 , 且有 : ω ω01 ω01 ω02 ω 02 ω 01 或 ω 02 ω 01 時(shí) , ω = ω 01 ω 02 接近 ω 01 ω 02 ω 01 ω ω 01 ω 02 ω 01 ω ω 01 ω 02 = ω 01 時(shí) , ω 值有跳變 . 04:03 38 討論：(3) K K C 時(shí) a b d c ω ω01 ω01 ω02 ω 02 ω 01 或 ω 02 ω 01 時(shí) , ω = ω 01 當(dāng) ω 02 由小到大接近 ω 01 時(shí) , ω 沿 ab 曲線上升 , 到達(dá) b 點(diǎn) 后脫離 ω 02 對(duì) ω 的影響跳變 到 c 點(diǎn) , 使 ω = ω 01 當(dāng) ω 02 由大于 c 點(diǎn)對(duì)應(yīng)的頻率而減少時(shí) , 以沿 cd 曲線下降 ,到達(dá) d 點(diǎn)后又?jǐn)[脫 ω 02 的影響而跳變到 a 點(diǎn) , 使 ω = ω 01 三 , 振蕩器的占據(jù)現(xiàn)象 頻率占據(jù) ( 或牽引 ) 現(xiàn)象是 指外加電動(dòng)勢(shì)與振蕩器自然振蕩頻率接近到一定程度時(shí) , 可以使振蕩隨外電動(dòng)勢(shì)頻率的改變而改變 , 這時(shí)振蕩器頻率完全受外電動(dòng)勢(shì)控制 , 不再取決于回路參數(shù)當(dāng) ω Ｓ ＞＞ ω 0 或 ω Ｓ ＜＜ ω 0 時(shí)， ω ＝ ω 0 當(dāng) ω S 很接近 ω 0 時(shí) , 有 ω = ω S 04:03 39 三、 寄生振蕩 所謂 寄生振蕩 即不是人為安排，而是由于電路中的寄生參數(shù)形成了正反饋，并滿足自激條件而產(chǎn)生的振蕩。 表現(xiàn)形式 。 ，但振蕩器工作不正常，振蕩波形和電路工作狀態(tài)受人手觸摸的影響。 寄生振蕩的類(lèi)型 主要有反饋寄生振蕩、負(fù)阻寄生振蕩和參量寄生振蕩。 反饋型寄生振蕩 在放大器的輸入與輸出回路之間，存在各種內(nèi)部和外部的寄生反饋引起的。 超低頻： 濾波電容、旁路電容、扼流圈的器件 ,產(chǎn)生超低頻寄生振蕩。 高頻： 濾波電容在高頻時(shí)呈現(xiàn)寄生電感，晶體管的極間分布電容等 大電容旁加小電容、選擇合理的放大倍數(shù) 元器件分布電容 ﹑ 互感形成的寄生耦合 靜電耦合和磁耦合 合理布局或加屏蔽 靜電屏蔽（用高導(dǎo)電率材料） 磁屏蔽（用高導(dǎo)磁率材料）。 04:03 40 負(fù)阻型寄生振蕩 由器件的負(fù)阻現(xiàn)象產(chǎn)生的振蕩，主要有 雪崩負(fù)阻振蕩和過(guò)壓負(fù)阻振蕩 。 雪崩負(fù)阻振蕩 是指晶體管工作進(jìn)入雪崩擊穿區(qū)時(shí)，器件對(duì)外呈現(xiàn)負(fù)阻特性，從而產(chǎn)生負(fù)阻振蕩。這種寄生振蕩一般只在放大器激勵(lì)信號(hào)的 負(fù)半周 才出現(xiàn)。 當(dāng)放大器工作于 過(guò)壓狀態(tài) 時(shí)，也會(huì)出現(xiàn)某種負(fù)阻現(xiàn)象，這是由于晶體管進(jìn)入正向工作，在集電極與基極間有一個(gè)低阻通路，在輸入端產(chǎn)生反饋，可能呈現(xiàn)負(fù)阻，由此產(chǎn)生的寄生振蕩（高于工作頻率）一般只在放大器激勵(lì)電壓的 正半周出現(xiàn)。 參量寄生振蕩 在晶體管高頻功率放大器中，由于晶體管結(jié)電容的非線性，特別是 Cb’c的強(qiáng)非線性影響，將引起所謂“參量效應(yīng)”，在集電極輸出電壓中除了有基波之外，還產(chǎn)生了二次、三次等諧波，造成輸出波形失真。參量效應(yīng)會(huì)使放大器在信號(hào)頻率的分諧波（ 1/n諧波頻率）上產(chǎn)生自激振蕩。 04:03 41 ● 各類(lèi)振蕩電路的選擇原則 : ? 根據(jù)工作頻率 選擇電路 高 頻 ： 用 LC振蕩電路； 低 頻 ： 用 RC振蕩電路； 超低頻 ： 用 積分式 RC振蕩電路； 超高頻 ：用 負(fù)阻振蕩器 電路。 ? 根據(jù)頻率穩(wěn)定性 選擇電路 LC振蕩器頻率穩(wěn)定性高于 RC振蕩器 ； 克拉潑和西勒電路的穩(wěn)定性高于普通 LC振蕩器 ； 石英晶體振蕩器頻率穩(wěn)定性最高 ； RC振蕩器靠加深負(fù)反饋提高頻率穩(wěn)定性。 04:03 42 ? 根據(jù)振蕩頻率是否可變 選擇電路 電感三點(diǎn)式 和 變壓器耦合正弦波振蕩器比電容 三點(diǎn)式易于調(diào)節(jié)； 西勒電路比克拉潑電路易于調(diào)節(jié) 。 文氏電橋振蕩器通過(guò)改變電容調(diào)節(jié)振蕩頻率， 也易于調(diào)節(jié)。 04:03 43 作業(yè) ? ? （第二問(wèn)不做） 04:03 44
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