實驗2四探針法測量半導(dǎo)體電阻率和薄層電阻-資料下載頁
2024-12-23 13:57本頁面
【正文】 品測量五個不同的點，計算 (修正 )當(dāng) I=1mA時的電阻率 ρ。 2. 對樣品進(jìn)行不同電流但測量點相同情況下的測量， 計算 (修正 )同點電流不同 時的電阻率 ρ。 3. 單晶斷面電阻率不均勻度 E的計算公式為： 式中 ρmax 為所測五個點中電阻率的最大值， ρmin為所測點中電阻率的最小 值， ρ為斷面 。測量點電阻率平均值， Δ=maxmin，用 (16)式計算所測樣品的 斷面電阻率不均勻度 E。 4. 計算擴(kuò)散情況不同的樣品的薄層電阻。 實驗數(shù)據(jù)處理和分析 School of Microelectronics Xidian University 1. 為增加表面復(fù)合，減少少子壽命及避免少子注入，被測表面需粗磨或噴砂 處理。 2. 對高阻材料及光敏材料，由于光電導(dǎo)及光壓效應(yīng)會嚴(yán)重影響電阻率的測 量，這時測量應(yīng)在暗室進(jìn)行。 3. 電流要選擇適當(dāng)， 電流太小影響電壓檢測精度，電流太大會引起發(fā)熱或非 平衡載流子注入。 4. 半導(dǎo)體材料的電阻率受溫度的影響十分敏感，因此，必須在樣品達(dá)到熱平 衡情況下進(jìn)行測量并記錄測量溫度。 5. 由于正向探針有少子注入及探針移動的存在，所以在測量中總是進(jìn)行正反 兩個電流方向的測量，然后取其平均以減小誤差。 實驗注意問題 School of Microelectronics Xidian University 1．分析電阻率誤差的來源，指出和 的區(qū)別及條件各是什么 ? 2. 為什么要用四探針進(jìn)行測量， 如果只用兩根探針既作電流探針又作電壓探 針， 這樣是否能夠?qū)悠愤M(jìn)行較為準(zhǔn)確的測量 ? 為什么 ? 實驗思考題 School of Microelectronics Xidian University ⑴ 孫以材編著： 半導(dǎo)體測試技術(shù) ，冶金工業(yè)出版社 1984。 ⑵ 成都電訊工程學(xué)院 謝孟賢、劉國維編： 半導(dǎo)體工藝原理 上冊， 國防 工業(yè)出版社， 1980。 ⑶ 復(fù)旦大學(xué)，孫恒慧、包宗明主編： 半導(dǎo)體物理實驗 ，高等教育出版 社， 1985。 ⑷ 廈門大學(xué)物理系半導(dǎo)體物理教研室編： 半導(dǎo)體器件工藝原理 ，人民教 育出版社， 1977。 實驗參考資料
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