[計(jì)算機(jī)硬件及網(wǎng)絡(luò)]chapter6放大器的頻率特性-資料下載頁
2024-10-19 03:57本頁面
【正文】 11/10 CMOS模擬集成電路 39 ? ? srCCCrgsCrgIVo2YXYo2m2Xo2m2ino u t1111??????于是得到 ,1,1 XYo2m2o2m2 ???? CCrgrg若sCCCgsCgIVYXYm2Xm2ino u t 1???sCgsCCggVV???Xm2XYm2m1ino u t 1傳輸函數(shù)為 o u tXinYo u to2XinYo u tm2Yo u t VsCIsCVrsCIsCVgsCV ?????????? ???2021/11/10 CMOS模擬集成電路 40 忽略 CGD1和 CY ,求電路的 輸出阻抗 . ? ?? ?sCrsCrZrZrgZXoXoXoXomout111222111???????可見 , 包含一個(gè)極點(diǎn) outZXop Cr11??當(dāng) ???o u tXp ZZ ,時(shí)??2021/11/10 CMOS模擬集成電路 41 差動(dòng)對(duì) a. 基本差動(dòng)對(duì)的 差模信號(hào) 的頻率特性 . 差模信號(hào)的頻率特性 :利用半邊電路的概念 ,我們可以知道差模響應(yīng)與共源級(jí)相同 ,且極點(diǎn)數(shù)相同 . 2021/11/10 CMOS模擬集成電路 42 對(duì)于共模信號(hào) ,我們得到如圖所示的等效電路 : b. 基本差動(dòng)對(duì)的 共模信號(hào) 的頻率特性 . 電路完全對(duì)稱時(shí) ,忽略溝長(zhǎng)調(diào)制效應(yīng) ,電路的共模增益為 ? ? SSmDV RgRA??? 212sCrR PoSS1//3?LDD sCRR1//?2021/11/10 CMOS模擬集成電路 43 考慮 M1與 M2的失配 ,即 gm1≠gm2 的情況 ,高頻共模增益可用下式進(jìn)行計(jì)算 : ? ? SSm2m1 DmCMV, 1 RggRgA?????Po3SS1//sCrR ?LDD1//sCRR ?其中 于是得到共模電壓增益為 ? ? ?????????????????????????????????Po3m2m1LDmCMV,1//11//sCrggsCRgA2021/11/10 CMOS模擬集成電路 44 c. 高阻抗負(fù)載的差動(dòng)對(duì)的頻率響應(yīng) 2021/11/10 CMOS模擬集成電路 45 d. 以有源電流鏡為負(fù)載的差動(dòng)對(duì)的頻率響應(yīng) 結(jié)點(diǎn) E: ,12////1mponopmp grrg ?EmpEp, 11Cg???,// onop rr ? ?Lonopo u tp, //1Crr ???結(jié)點(diǎn) out: 鏡像極點(diǎn) 2021/11/10 CMOS模擬集成電路 46 傳輸函數(shù)的計(jì)算 ? ?? ? ? ?? ? ? ?oPoNmPLoNmPoPEoPoN2LEoPoNEmPoPoNmNino u t2121222)(rrgsCrgrCrrsCCrrsCgrrgsVV?????????2021/11/10 CMOS模擬集成電路 47 例 ,估計(jì)電路的低頻增益和傳輸函數(shù) . 0??Dm1 KRgA V ?電路的低頻增益為 2021/11/10 CMOS模擬集成電路 48 CGD5在 X處的密勒項(xiàng)為 M CL、 RD構(gòu)成共源放大器，低頻增益為 Dm5 RgA V ??G D 5Dm5G D 5 )1()1( CRgAC V ???CGD5在 Y處的密勒項(xiàng)為 G D 5G D 5Dm51G D 5 )11()1( CCRgAC V ?????將 M3等效為電阻，得到等效電路。 利用半邊電路求傳輸函數(shù)： 2021/11/10 CMOS模擬集成電路 49 G D 5Dm5D B 1G S 5D B 3G S 3 )1( CRgCCCCC X ??????sCRRgsCRgVVLDDm5LDm5Xo u t 1111//?????????????i n 1XXo u t 1i n 1o u t 1VVVVVV ??2021/11/10 CMOS模擬集成電路 50 習(xí)題 ? ?(a) (b) ?
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