門電路補(bǔ)充內(nèi)容-資料下載頁
2024-09-28 08:42本頁面
【導(dǎo)讀】上兩個slides中吸收和提供電流各是多少？浪費(fèi)的功率等于多少？現(xiàn)代電路設(shè)計正朝著純CMOS技術(shù)的方向演。CMOS輸入端、封裝和內(nèi)部連線具有相當(dāng)大。電容充放電時間是構(gòu)成電路/器件時延的主。影響轉(zhuǎn)換時間的因素。其中RnCL為時間常數(shù)。CMOS電路在狀態(tài)不發(fā)生變化時，功耗很低?狀態(tài)發(fā)生變化的過程中消耗可觀的電能?
【正文】 生變化的 過程中 消耗可觀的電能 ?動態(tài)功耗 T1和 T2 瞬態(tài)導(dǎo)通而導(dǎo)致的瞬態(tài)導(dǎo)通功耗 PT=CPD VCC2 f，其中： ? CPD：功耗電容 ? f：輸出信號轉(zhuǎn)換的頻率 2. 對負(fù)載電容充放電導(dǎo)致的功耗 PL=CL VDD2 f，其中： ? CL：負(fù)載電容 ? f：輸出信號轉(zhuǎn)換的頻率 – 總功耗： P=PT+PL CMOS三態(tài)緩沖器 漏極開路 CMOS與非門 集電極開路 (OC) 門 TTL與非門電路 TTL反相器電路 OC門輸出并聯(lián)的接法 為 OC輸出并聯(lián)電路 選取合適的上拉電阻 參考閻石版“數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)” 【 例 】 作業(yè) ? 1 2 24
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