系列單片機(jī)教程共15章第2章-資料下載頁(yè)
2025-05-13 02:46本頁(yè)面
【正文】 阻代替 P0口中的場(chǎng)效應(yīng)管 ，輸出緩沖器不是三態(tài)的－ 準(zhǔn)雙向口 （ 3） P3口的口線(xiàn)具有第二功能 ， 為系統(tǒng)提供一些控制信號(hào) 。 因此在 P3口電路增加了第二功能控制邏輯 。這是 P3口與其它各口的 不同之處 。 時(shí)鐘電路與時(shí)序 時(shí)鐘電路用于產(chǎn)生 MCS51單片機(jī)工作所必需的時(shí)鐘控制信號(hào) 。 時(shí)鐘電路 時(shí)鐘頻率直接影響單片機(jī)的 速度 ， 電路的質(zhì)量直接影響系統(tǒng)的 穩(wěn)定性 。 常用的時(shí)鐘電路有兩種方式： 內(nèi)部時(shí)鐘 方式和 外部時(shí)鐘 方式 。 一、內(nèi)部時(shí)鐘方式 內(nèi)部有一個(gè)用于構(gòu)成振蕩器的 高增益反相放大器 ，反相放大器的輸入端為芯片引腳 XTAL1，輸出端為引腳XTAL2。 C1和 C2典型值通常選擇為 30pF左右。 晶體的振蕩頻率 在 ～ 12MHz之間。某些高速單片機(jī)芯片的時(shí)鐘頻率已達(dá) 40MHz。 二、外部時(shí)鐘方式 常用于多片 MCS51單片機(jī)同時(shí)工作。 三、時(shí)鐘信號(hào)的輸出 為應(yīng)用系統(tǒng)中的其它芯片提供時(shí)鐘，但需增加驅(qū)動(dòng)能力。 機(jī)器周期、指令周期與指令時(shí)序 單片機(jī)執(zhí)行的指令的 各種時(shí)序均與時(shí)鐘周期 有關(guān) 一、時(shí)鐘周期 單片機(jī)的 基本時(shí)間單位 。若時(shí)鐘的晶體的振蕩頻率為 fosc，則時(shí)鐘周期 Tosc=1/fosc。如 fosc=6MHz，Tosc=。 二、機(jī)器周期 CPU完成一個(gè)基本操作所需要的時(shí)間稱(chēng)為 機(jī)器周期 。執(zhí)行一條指令分為幾個(gè)機(jī)器周期 。 每個(gè)機(jī)器周期完成一個(gè)基本操作 。 MCS51單片機(jī)每 12個(gè)時(shí)鐘周期為一個(gè)機(jī)器周期 ， 一個(gè)機(jī)器周期又分為 6個(gè)狀態(tài) ： S1～ S6。 每個(gè)狀態(tài)又分為兩拍 ： P1和 P2。因此， 一個(gè)機(jī)器周期中的 12個(gè)時(shí)鐘周期表示為： S1P S1P S2P S2P … 、 S6P2。 三、指令周期 執(zhí)行任何一條指令時(shí)，都可分為 取指令階段 和 指令執(zhí)行階段 。 取指令階段 ， PC中地址送到程序存儲(chǔ)器，并從中取出需要執(zhí)行指令的操作碼和操作數(shù)。 指令執(zhí)行階段 ，對(duì)指令操作碼進(jìn)行譯碼，以產(chǎn)生一系列控制信號(hào)完成指令的執(zhí)行。 ALE信號(hào)是為地址鎖存而定義的 ，以時(shí)鐘脈沖 1/6的頻率出現(xiàn)，在一個(gè)機(jī)器周期中， ALE信號(hào)兩次有效（注意，在執(zhí)行訪(fǎng)問(wèn)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的指令 MOVX時(shí)，將會(huì)丟失一個(gè) ALE脈沖） 復(fù)位操作和復(fù)位電路 復(fù)位操作 單片機(jī)的初始化操作，擺脫死鎖狀態(tài)。 引腳 RST加上 大于 2個(gè)機(jī)器周期（即 24個(gè)時(shí)鐘振蕩周期）的高電平就可使 MCS51復(fù)位。 復(fù)位時(shí)， PC初始化為 0000H，使 MCS51單片機(jī)從 0000H單元開(kāi)始執(zhí)行程序。 除 PC之外，復(fù)位操作還對(duì)其它一些寄存器有影響，見(jiàn) 表 26(P34)。 SP=07H ， P0P3的引腳均為高電平 。 在復(fù)位有效期間， ALE腳和 PSEN*腳均為高電平，內(nèi)部 RAM的狀態(tài)不受復(fù)位的影響。 復(fù)位電路 片內(nèi)復(fù)位結(jié)構(gòu)： 復(fù)位電路通常采用 上電自動(dòng)復(fù)位 和 按鈕復(fù)位 兩種方式。 最簡(jiǎn)單的上電自動(dòng)復(fù)位電路 : 按鍵手動(dòng)復(fù)位，有 電平方式 和 脈沖方式 兩種。 電平方式： 脈沖方式： 兩種實(shí)用的兼有上電復(fù)位與按鈕復(fù)位的電路。 圖 219中 （ b） 的電路能輸出高 、 低兩種電平的復(fù)位控制信號(hào) ， 以適應(yīng)外圍 I/O接口芯片所要求的不同復(fù)位電平信號(hào) 。 74LS122為單穩(wěn)電路 ， 實(shí)驗(yàn)表明 ， 電容 C的選擇約為?F較好 。
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