單相全橋逆變電路講解-資料下載頁(yè)
2025-05-12 23:04本頁(yè)面
【正文】 ( 9 ?????? ?DSfirvDVttIC PF 主電路工作原理及設(shè)計(jì)（吸收緩沖電路 ） ? C的取值需要足夠的大，使得開(kāi)關(guān)管電壓上升速度足夠緩慢，保證開(kāi)關(guān)管不受到?jīng)_擊。而 C因?yàn)閾p耗的原因也不能太大，而 R的大小沒(méi)有特別要求， R越小， C的放電速度越快。只需要在 Ton的時(shí)間內(nèi)保證 C在下次開(kāi)關(guān)管關(guān)斷時(shí)候放完電荷就可以了。 ? 該電容應(yīng)為大于 500V耐壓的無(wú)感電容器。 ? 綜上 ,選擇 1000PF/630V電容 . 主電路工作原理及設(shè)計(jì)（吸收緩沖電路 ） ? 電阻 R的選擇 ? 計(jì)算 R:RC=(1/3~1/5)Ton R= ton/3C，其中 ton為開(kāi)關(guān)管最小導(dǎo)通時(shí)間；C為吸收緩沖電路中電容值。 ? 當(dāng)逆變頻率為 40kHz，則占空比 D=ton/t= tonf， ? 電源最小占空比為 ,由R= ton/3C，確定其阻值大小。 ? R= ton/3C=160 usfDt on 3 ????主電路工作原理及設(shè)計(jì)（吸收緩沖電路 ） ? 選用電阻所需最大功率：常計(jì)算出該電阻功率較大。因考慮該吸收電路是短路時(shí)工作，且放電電壓 (電流 )是按指數(shù)規(guī)律下降，因此選用較大功率且為無(wú)感的電阻器即可。 ? 選 150/5W 主電路工作原理及設(shè)計(jì)（吸收緩沖電路 ） ? 二極管的選擇 ? 快恢復(fù)二極管 (FRD)因有反向恢復(fù)時(shí)間短 (一般在幾百納秒 )，正向壓降約為 ～ ，正向?qū)娏鞔?、反向峰值電壓高的特點(diǎn)，來(lái)對(duì)通斷中開(kāi)關(guān)管產(chǎn)生的突波進(jìn)行有效地吸收。 ? 選 MUR8100 控制電路原理及設(shè)計(jì) ? SG3525：見(jiàn)原理圖和管腳說(shuō)明 ? 開(kāi)關(guān)頻率： )(3710*2)**( 1)( 1 3 KH zCRRfTDT????? ?)(7310*2)**( 1)( 1 3 KH zCRRfTDT????? ?死區(qū)時(shí)間： usCRtTD *2** 32 ??? ?控制電路原理及設(shè)計(jì) ? IR2110： IR2110自舉電容和二極管 ? IR2110用 于 驅(qū) 動(dòng) 半 橋 的 電 路 如 圖 所 示 。 圖 中 C VD1分 別 為 自 舉 電 容 和 二 極 管 ， C2為 VCC的 濾 波 電 容 。 假 定 在 S1關(guān) 斷 期 間 C1已 充 到 足 夠 的 電 壓 （ VC1≈ VCC） 。 當(dāng) HIN為 高 電 平 時(shí) VM1開(kāi) 通 ， VM2關(guān) 斷 ， VC1加 到 S1的 門 極 和 發(fā) 射 極 之 間 ， C1通 過(guò) VM1， Rg1和 S1門 極 柵 極 電 容 Cgc1放 電 ， Cgc1被 充 電 。 此 時(shí) VC1可 等 效 為 一 個(gè) 電 壓 源 。 當(dāng) HIN為 低 電 平 時(shí) ， VM2開(kāi) 通 ， VM1斷 開(kāi) ， S1柵 電 荷 經(jīng) Rg VM2迅 速 釋 放 ， S1關(guān) 斷 。 經(jīng) 短 暫 的 死 區(qū) 時(shí) 間 （ td） 之 后 ， LIN為 高 電 平 ， S2開(kāi) 通 ， VCC經(jīng) VD1， S2給 C1充 電 ， 迅 速 為 C1補(bǔ) 充 能 量 。 如 此 循 環(huán) 反 復(fù) 。 控制電路原理及設(shè)計(jì) ? IR2110自舉電容和二極管 控制電路原理及設(shè)計(jì) ? 自 舉 電 容 的 設(shè) 計(jì) IGBT和 PM(POWER MOSFET)具有相似的門極特性，它們?cè)陂_(kāi)通時(shí)都需要在極短的時(shí)間內(nèi)向門極提供足夠的柵電荷。假定在器件開(kāi)通后，自舉電容兩端的電壓比器件充分導(dǎo)通所需要的電壓 (10 V，高壓側(cè)鎖定電壓為 ／ V)要高，而且在自舉電容充電路徑上有 V的壓降 (包括 VD1的正向壓降 )，同時(shí)假定有 1／ 2的柵電壓 (柵極門檻電壓 VTH通常 3～ 5 V)因泄漏電流引起電壓降。那么，此時(shí)對(duì)應(yīng)的自舉電容可用下式表示： 控制電路原理及設(shè)計(jì) 例如 IRF2807充分導(dǎo)通時(shí)所需要的柵電荷 Qg為 160 nC (可由 IRF2807電特性表查得 )， Vcc為 15V，那么有： 這樣 C1約為 μF，設(shè)計(jì)中即可選取 C1為 ， 且耐壓大于 35 V的獨(dú)石電容。 控制電路原理及設(shè)計(jì) ? 自舉二極管的選擇 自舉二極管是一個(gè)重要的自舉器件。它應(yīng)在高端器件開(kāi)通時(shí)能阻斷直流干線上的高壓，并且應(yīng)當(dāng)是快恢復(fù)二極管，以減小從自舉電容向電源 Vcc的回饋電荷。二極管承受的電流是柵極電荷與開(kāi)關(guān)頻率之積。為了減少電荷損失，應(yīng)選擇反向漏電流小的快恢復(fù)二極管。 ? 如果電容需要長(zhǎng)期貯存電荷，則高溫反向漏電流十分重要。二極管耐壓選擇可按后級(jí)功率 MOSEFT管的要求來(lái)定，其最大反向恢復(fù)時(shí)間 trr要小于等于 100 ns， ? 選 BYV26C （封裝 DO41） 控制電路原理及設(shè)計(jì) ? LM339： ? LM339接上拉電阻的作用： LM393是集電極輸出，不加上拉電阻的話沒(méi)有高電平。 ? 原來(lái)的電流檢測(cè)電路， LM339輸出有個(gè)反二極管5V/，但調(diào)試調(diào)不出來(lái)，都將其斷掉能調(diào)試出，但原理沒(méi)有它是不完整的。 當(dāng) LM339輸出低電平時(shí)，不能將反二極管擊穿，不能封鎖，電阻 R6防止輸出電平沿抖動(dòng)干擾；當(dāng)輸出高電平時(shí)， IN4148將電阻短掉，擊穿反二極管，起到封鎖作用。
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